Микроэлектроника

Содержание

Том 52, Номер 4, 2023

Дата выхода: 09.08.2023

Квантовые технологии

Томографии детекторов с учетом мертвого времени
Ю. И. Богданов, К. Г. Катамадзе, Н. А. Борщевская, Г. В. Авосопянц, Н. А. Богданова, С. П. Кулик, В. Ф. Лукичев

249-255

Моделирование

Моделирование кремниевых полевых с полностью охватывающим затвором нанотранзисторов с высоким k подзатворного диэлектрика
Н. В. Масальский

256-261

Влияние граничных условий на квантовый магнетотранспорт в тонкой пленке
И. А. Кузнецова, О. В. Савенко, Д. Н. Романов

262-281

Надежность

Исследование чувствительной области МОП-транзистора к воздействию вторичных частиц, возникающих вследствие ионизирующего излучения
А. А. Глушко, С. А. Морозов, М. Г. Чистяков

282-289

Одиночные структурные повреждения в СБИС
А. И. Чумаков

290-297

Плазменные технологии

Концентрация атомов фтора и кинетика реактивно-ионного травления кремния в смесях CF₄ + O₂, CHF₃ + O₂ и C₄F₈ + O₂
А. М. Ефремов, А. В. Бобылев, K.-H. Kwon

298-306

Приборы

Влияние структурных дефектов на электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов
Н. С. Ковальчук, С. Б. Ластовский, В. Б. Оджаев, А. Н. Петлицкий, В. С. Просолович, Д. В. Шестовский, В. Ю. Явид, Ю. Н. Янковский

307-314

Многоуровневые мемристивные структуры на основе эпитаксиальных пленок YBa₂Cu₃O_{7 – δ}
Н. А. Тулина, А. Н. Россоленко, И. Ю. Борисенко, А. А. Иванов

315-321

Сенсоры

Исследование сенсорных свойств упорядоченных массивов наностержней ZnO для детектирования УФ-излучения
М. В. Евстафьева, М. А. Князев, В. И. Корепанов, А. Н. Редькин, Д. В. Рощупкин, Е. Е. Якимов

322-328

Технологии

Влияние мощности магнетронного распыления на осаждение пленок ITO при комнатной температуре
А. В. Саенко, З. Е. Вакулов, В. С. Климин, Г. Е. Билык, С. П. Малюков

329-335

Механизмы перераспределения углеродных загрязнений в пленках, сформированных методом атомно-слоевого осаждения
А. В. Фадеев, А. В. Мяконьких, Е. А. Смирнова, С. Г. Симакин, К. В. Руденко

336-344

Информация о выпуске

Микроэлектроника