1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Микроэлектроника
  4. T. 52, № 4, 2023

Микроэлектроника, 2023, T. 52, № 4, стр. 262-281

Влияние граничных условий на квантовый магнетотранспорт в тонкой пленке

И. А. Кузнецова a, О. В. Савенко a, Д. Н. Романов a, *

a Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
150003 Ярославль, Россия

* E-mail: romanov.yar357@mail.ru

Поступила в редакцию 29.03.2023
После доработки 20.04.2023
Принята к публикации 22.04.2023

Аннотация

Получены аналитические выражения для коэффициентов Холла и магнетосопротивления тонкой полупроводниковой пленки. Рассматривается случай слабого магнитного поля и эффекты, связанные с расщеплением энергетического спектра носителей заряда на уровни Ландау, не учитываются. Изоэнергетическая поверхность материала полупроводника является эллипсоид вращения (сфероид). Выполнен переход к предельным случаям вырожденного и невырожденного электронных газов, зеркальных границ. Поведение носителей заряда описывается квантовым уравнением Лиувилля. Влияние поверхностного рассеяния носителей заряда учитывается через граничные условия Соффера. Проведен анализ зависимости коэффициентов Холла и магнетосопротивления от толщины пленки, индукции внешнего магнитного поля, шероховатости поверхности пленки.

Ключевые слова: тонкая пленка, уравнение Лиувилля, модель Соффера, коэффициент Холла, коэффициент магнетосопротивления

Список литературы

  1. Звездин А.К., Давыдова М.Д., Звездин К.А. // УФН. 2018. Т. 188. С. 1238.

  2. Блинов М.И., Черненко В.А., Прудников В.Н., Асегуинолаза И.Р., Барандиаран Ж.М., Ладеранта Э., Ховайло В.В., Грановский А.Б. // ЖЭТФ. 2021. Т. 159. С. 546.

  3. Семенчинский С.Г. Измерительная техника. 2021. Т. 1. С. 9.

  4. Soffer S.B. // J. Appl. Phys. 1967. V. 38. P. 1710.

  5. Ünal B. // AIP Advances. 2012. V. 2. P. 042145.

  6. Chatterjee S., Meyerovich A.E. // Physical review. 2010. V. 81. P. 245409.

  7. Bihun R.I., Stasyuk Z.V., Balitskii O.A. // Physica B: Condens. Matter. 2016. V. 487. P. 73.

  8. Kuznetsova I.A., Savenko O.V., Romanov D.N. // JPCS. 2021. V. 2056. P. 012018.

  9. Kuznetsova I.A., Savenko O.V., Romanov D.N. // Phys. Lett. A. 2022. V. 427. P. 127933.

  10. Демидов Е.В., Грабов В.М., Комаров В.А., Крушельницкий А.Н., Суслов А.В., Суслов М.В. // ФТП. 2019. Т. 63. С. 736.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Микроэлектроника

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал