1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Микроэлектроника
  4. T. 52, № 4, 2023

Микроэлектроника, 2023, T. 52, № 4, стр. 282-289

Исследование чувствительной области МОП-транзистора к воздействию вторичных частиц, возникающих вследствие ионизирующего излучения

А. А. Глушко a, *, С. А. Морозов a, **, М. Г. Чистяков b, ***

a Федеральное государственное учреждение “Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук”
117218 Москва, Нахимовский проспект, 36, к. 1, Россия

b Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)”,
105005 Москва, ул. 2-я Бауманская, 5, к. 1, Россия

* E-mail: andrei19386@mail.ru
** E-mail: Sergey_Morozov@srisa.ru
*** E-mail: chistyakov.mikhail.g@gmail.com

Поступила в редакцию 06.04.2023
После доработки 20.04.2023
Принята к публикации 22.04.2023

Аннотация

Ранее было показано [1, 2], что зависимость сбоеустойчивости ячейки статической оперативной памяти от энергии вторичных частиц, возникающих в результате воздействия потока нейтронов, не учитывает другой существенный фактор – в какой части транзистора произошла генерация этих вторичных частиц. Для определения области ячейки памяти, в которой воздействие вторичных частиц может привести к возникновению сбоя, была исследована вероятность возникновения сбоя в зависимости от места возникновения вторичной частицы. Предложен метод анализа накопленного заряда для оценки сбоеустойчивости ячейки статической оперативной памяти в зависимости от места возникновения вторичной частицы, и заряда, соответствующего запасу статической помехоустойчивости. Анализ проводился на основе результатов приборно-технологического моделирования одиночного МОП-транзистора, входящего в состав ячейки статической оперативной памяти, и интегрирования полученных значений токовых откликов от областей транзистора.

Ключевые слова: TCAD, вторичные частицы, СОЗУ, МОП

Список литературы

  1. Глушко А.А., Чистяков М.Г., Кудинов И.В., Морозов С.А., Яшин Г.А., Амирханов А.В., Макарчук В.В., Зинченко Л.А. Методика сопряжения Монте-Карло моделирования радиационного транспорта и приборно-технологического моделирования для исследования одиночных сбоев / В сборнике докладов Международного форума “Микроэлектроника 2018” 4-й научной конференции “Электронная компонентная база и электронные модули”, Республика Крым, г. Алушта, 1–6 октября 2018 г., М., Изд-во “Техносфера”. С. 292–293.

  2. Чистяков М.Г. Исследование и оптимизация по критерию сбоеустойчивости ячейки памяти для технологии КНИ КМОП 0.25 мкм при облучении быстрыми нейтронами В сборнике докладов Международного форума “Микроэлектроника 2017” 3‑й научной конференции “Электронная компонентная база и электронные модули”, Республика Крым, г. Алушта, 2–7 октября 2017 г., М., Изд-во “Техносфера”. С. 351–358.

  3. Gordon M.S., Goldhagen P., Rodbell K.P., Zabel T.H., Tang H.H.K., Clem J.M., Bailey P. Measurement of the flux and energy spectrum of cosmic-ray induced neutrons on the ground / IEEE Transactions on Nuclear Science. 2004. V. 51. Issue 6.

  4. Batista A.J.N., Leong C., Santos B., Fernandes A., Ramos A.R., Santos J.P., Marques J.G., Teixeira J.P., Gonçalves B. Test results of an ITER relevant FPGA when irradiated with neutrons / 4th International Conference on Advancements in Nuclear Instrumentation Measurement Methods and their Applications (ANIMMA), Lisbon, Portugal, 20–24 April 2015, IEEE.

  5. Dodd P.E., Sexton F.W. Critical Charge Concepts for CMOS SRAMs / IEEE Transactions on Nuclear Science. 1995. V. 42. № 6.

  6. Seevinck E., List F.J., Lohstroh J. Static-Noise Margin Analysis of MOS SRAM Cells / IEEE J. Solid-State Circuits. 1987. V. Sc-22. № 5.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Микроэлектроника

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал