1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Микроэлектроника
  4. T. 52, № 4, 2023

Микроэлектроника, 2023, T. 52, № 4, стр. 290-297

Одиночные структурные повреждения в СБИС

А. И. Чумаков *

Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ” – АО “ЭНПО СПЭЛС”
Москва, Россия

* E-mail: aichum@spels.ru

Поступила в редакцию 13.02.2023
После доработки 20.04.2023
Принята к публикации 20.04.2023

Аннотация

Представлены результаты анализа проявления одиночных структурных повреждений в элементах СБИС при воздействии нейтронного излучения. Приведены оценки для определения энерговыделения при одном акте взаимодействия нейтронов с атомами кремния в чувствительном микрообъеме элемента СБИС. Определены условия влияния отдельных разупорядоченных областей, кластеров радиационных дефектов, на работоспособность СБИС. Показаны возможности проявления нестационарного отжига даже при стационарном воздействии и аддитивного влияния увеличения обратных токов нескольких элементов СБИС на условия возникновения отказов всей микросхемы.

Ключевые слова: одиночные радиационные эффекты, тяжелые заряженные частицы, СБИС, ускорители ионов

Список литературы

  1. Petersen E. Single Event Effects in Aerospace. Wiley-IEEE Press. 2011. 520 p.

  2. Чумаков А.И. Действие космической радиации на ИС. М.: Радио и Связь. 2004. 320 с.

  3. Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К., Чумаков А.И. Физические ограничения на стойкость биполярных полупроводниковых структур в ИМС повышенной степени интеграции к дестабилизирующим воздействиям // Микроэлектроника. 1984. Т. 13. № 5. С. 392–400.

  4. Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Чумаков А.И. Особенности использования БИС и сверхБИС в аппаратуре ядерного физического эксперимента // В сб.: Электронные приборы и схемы для экспериментальной физики / Под ред. Т.М. Агаханяна. М.: Энергоатомиздат. 1983. С. 3–9.

  5. https://www.sr-niel.org/index.php/sr-niel-long-write-up/sr-niel-results.

  6. Ionizing Radiation Effects in Electronics: From Memories to Imagers / Ed. by M. Bagatin and S. Gerardin. Tyalor&Francis Group. 2016. 390 p.

  7. Srour J.R., Palko J.W. Displacement Damage Effects in Irradiated Semiconductor Devices // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2013. V. 60. № 3. P. 1740–1766.

  8. http://www.srim.org.

  9. https://geant4.web.cern.ch/support.

  10. McMurray L.R., Messenger G.C. Rapid annealing factor for bipolar silicon devices irradiated by fast neutron pulse // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1981. V. 28. № 6. P. 4392–4396.

  11. Agahanyan T.M., Astvacaturyan E.R., Chumakov A.I. On the possibility of controlling non-stationary annealing characteristics in a stationary environment // International J. Electronics. 1986. V. 61. № 1. P. 73–78.

  12. Чумаков А.И. Оценка чувствительности интегральных схем к одиночным радиационным эффектам для точечной области собирания заряда // Микроэлектроника. 2015. Т. 44. № 1. С. 34–40.

  13. Chumakov A.I. Modified Charge Collection Model by Point Node for SEE Sensitivity Estimation // Proceedings of the European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems, RADECS. 2015. December. P. 511–515.

  14. Радиационная стойкость изделий ЭКБ: Научное издание // Под ред. А.И. Чумакова. М.: НИЯУ МИФИ. 2015. 512 с.

  15. Xiao-Ming Jin. Single event upset on static random access memory devices due to spallation, reactor, and monoenergetic neutrons // Chinese Phys. B 28. № 10. 2019. P. 104212-1–104212-10.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Микроэлектроника

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал