Микроэлектроника

Содержание

Том 52, Номер 5, 2023

Дата выхода: 13.09.2023

ДИАГНОСТИКА

Электрофизические параметры и эмиссионные спектры тлеющего разряда дифтордихлорметана
Д. Б. Мурин, И. А. Чесноков, И. А. Гогулев, А. Э. Гришков

347-353

ЛИТОГРАФИЯ

Защитные свободновисящие пленки для установок проекционной литографии экстремального ультрафиолетового диапазона
С. Ю. Зуев, А. Я. Лопатин, В. И. Лучин, Н. Н. Салащенко, Н. Н. Цыбин, Н. И. Чхало

354-366

Моделирование

Моделирование влияния решеточных дефектов на работу разделения соединенных материалов
Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев

367-373

Компьютерное исследование влияния неоднородностей высокоомного слоя на резистивные переключения в структуре на основе микрокристалла селенида висмута
В. В. Сироткин

374-382

ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

О влиянии малых добавок F₂, H₂ и HF на концентрации активных частиц в плазме тетрафторметана
А. М. Ефремов, С. А. Смирнов, В. Б. Бетелин

383-389

ПАМЯТЬ

Закономерности формирования подвижных локализованных магнитных конфигураций и технология изготовления структур для реализации элементов магнитной памяти
А. В. Проказников, В. А. Папорков, В. А. Чириков, Н. А. Евсеева

390-403

ПРИБОРЫ

Нейроморфные системы: приборы, архитектура и алгоритмы
К. А. Фетисенкова, А. Е. Рогожин

404-422

Влияние деградации горячих носителей на характеристики высоковольтного КНИ транзистора с большой областью дрейфа
А. С. Новоселов, Н. В. Масальский

423-430

ТЕХНОЛОГИИ

Влияние материала электродов на электроформовку и свойства мемристоров на основе открытых “сэндвич”-структур металл–SiO₂–металл
В. М. Мордвинцев, С. Е. Кудрявцев, В. В. Наумов, Е. С. Горлачев

431-440

Информация о выпуске

Микроэлектроника