Микроэлектроника, 2023, T. 52, № 5, стр. 347-353
Электрофизические параметры и эмиссионные спектры тлеющего разряда дифтордихлорметана
Д. Б. Мурин 1, *, И. А. Чесноков 1, И. А. Гогулев 1, А. Э. Гришков 1
1 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
“Ивановский государственный химико-технологический университет”
Иваново, Россия
* E-mail: dim86@mail.ru
Поступила в редакцию 25.04.2023
После доработки 10.07.2023
Принята к публикации 10.07.2023
- EDN: PZUWDO
- DOI: 10.31857/S0544126923700503
Полные тексты статей выпуска доступны в ознакомительном режиме только авторизованным пользователям.
Аннотация
Проанализировано влияние внешних параметров разряда на электрофизические параметры и эмиссионные спектры плазмы дифтордихлорметана. Получены данные по приведенной напряженности электрического поля и температуре газа. Установлено, что приведенная напряженность электрического поля в плазме дифтордихлорметана заметно уменьшается с ростом давления газа (при постоянстве тока разряда). Показано, что линейное увеличение температуры газа с ростом давления обусловлено ростом удельной мощности, вкладываемой в разряд. В эмиссионных спектрах тлеющего разряда дифтордихлорметана обнаружены атомарные и молекулярные компоненты. Установлено, что с ростом тока происходит линейное увеличение интенсивности излучения, что соответствует механизму прямого возбуждения излучающих состояний при электронном ударе и свидетельствует об отсутствии вторичных процессов.
Полные тексты статей выпуска доступны в ознакомительном режиме только авторизованным пользователям.
Список литературы
Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. М.: Энергоатомиздат, 1987. С. 264.
Дунаев А.В., Ситанов Д.В., Мурин Д.Б. Закономерности взаимодействия меди с хлорсодержащими газами // Химия высоких энергий. 2017. Т. 51. № 3. С. 239–243.
Wang Y.F., Lee W.J., Chen C.Y. Reaction Mechanisms in Both a CCl2F2/O2/Ar and a CCl2F2/H2/Ar RF Plasma Environment // Plasma Chem. and Plasma Proces. 2000. V. 20. № 4. P. 469–494.
Stoffels W.W., Stoffels E., Haverlag M. The chemistry of a CCl2F2 radio frequency discharge // J. Vac. Sci. Technol. A. 1995. V. 13. № 4. P. 2058–2066.
Ефремов А.М., Мурин Д.Б., Левенцов А.Е. Кинетика и режимы плазмохимического травления GaAs в условиях индукционного ВЧ разряда в CF2Cl2 // Микроэлектроника. 2014. Т. 43. № 6. С. 429–434.
Пивоваренок С.А., Дунаев А.В., Мурин Д.Б. Кинетика взаимодействия высокочастотного разряда CCl2F2 с арсенидом галлия // Микроэлектроника. 2016. Т. 45. № 5. С. 374–378.
Dunaev A.V., Murin D.B. Structuring copper in the plasma medium of a high-frequency discharge // Russian Microelectronics. 2018. V. 47. № 4. P. 234–238.
Pearse R.W.B., Gaydon A.G. The identification of molecular spectra. Fourth edition. New York: John Wiley & Sons, inc. 1976. P. 407.
Стриганов А.Р., Свентицкий Н.С. Таблицы спектральных линий нейтральных и ионизированных атомов. М.: Атомиздат., 1966. С. 899.
Рохлин Г.Н. Разрядные источники света. Изд. 2-е; перераб. и доп. М.: Энергатомиздат, 1991. С. 720.
Мурин Д.Б., Дунаев А.В. Электрофизические параметры и спектры излучения плазмы трихлорида бора // Микроэлектроника. 2018. Т. 47. № 2. С. 106–114.
Мурин Д.Б., Пивоваренок С.А., Малюгин А.А., Бобылев А.В. Электрофизические параметры и спектры излучения тлеющего разряда постоянного тока в среде фреона R-23 // Микроэлектроника. 2022. Т. 51. № 3. С. 212–217.
Пивоваренок С.А., Дунаев А.В., Мурин Д.Б., Ефремов А.М., Светцов В.И. Электрофизические параметры и эмиссионные спектры плазмы тлеющего разряда в хлористом водороде // Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2011. Т. 54. № 9. С. 48–52.
Ефремов A.M., Куприяновская А.П., Светцов В.И. Спектр излучения тлеющего разряда в хлоре // Журнал прикладной спектроскопии. 1993. Т. 59. № 3–4. С. 222.
Куприяновская А.П., Светцов В.И. Механизмы образования и разрушения активных частиц в галогенной плазме // Изв. ВУЗов. Химия и хим.технология. 1983. Т. 26. № 12. С. 1440.
Дополнительные материалы отсутствуют.
Инструменты
Микроэлектроника