1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Химия высоких энергий
  4. T. 57, № 3, 2023

Химия высоких энергий, 2023, T. 57, № 3, стр. 186-190

Измерение фотоэлектрофизических характеристик проводящих слоев ККТ CSPBBR3

Д. Н. Певцов a, b, *, Г. А. Лочин a, b, А. В. Кацаба b, c, С. Б. Бричкин a

a Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр проблем химической физики и медицинской химии Российской академии наук
142432 Московская область, Черноголовка, проспект ак. Семенова, 1, Россия

b Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)”
141701 Московская обл., Долгопрудный, Институтский пер., д. 9, Россия

c Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук
119991 Москва, Ленинский проспект, д. 53, Россия

* E-mail: pevtsov.dn@phystech.edu

Поступила в редакцию 16.01.2023
После доработки 17.01.2023
Принята к публикации 17.01.2023

Аннотация

Синтезированы коллоидные квантовые точки перовскитов химического состава CsPbBr3. Для этих частиц методом стационарной спектрофлуориметрии определены средний размер ансамбля частиц и полидисперсность образца. Из полученных частиц изготовлены проводящие слои и измерены их электрофизические характеристики. Установлен дырочный характер проводимости, измерены проводимость слоя (0.04 См/м), подвижность (0.8 см2/(В × с)) и концентрация свободных носителей заряда (3.01 × 1021 м–3). В соответствии с литературными данными, полученное значение подвижности выше типичных получаемых значений на 1–2 порядка. Показано, что высокая полидисперсность имеет слабое влияние на электрофизические и транспортные характеристики в полученных слоях.

Ключевые слова: коллоидные квантовые точки, неорганические перовскиты, полевой транзистор, подвижность носителей заряда

Список литературы

  1. Deschler F., Price M., Pathak S., Klintberg L.E., Jarasch D.-D., Higler R., Hüttner S., Leijtens T., Stranks S.D., Snaith H.J., Atatüre M., Phillips R.T., Friend R.H. // J. Phys. Chem. Lett. 2014. V. 5. P. 1421.

  2. Чикалова–Лузина О.П., Вяткин В.М., Щербаков И.П., Алешин А.Н. // Физика твердого тела. 2020. Т. 62. Вып. 8. С. 1333–1338.

  3. Ahmad S., Kanaujia P.K., Beeson H.J., Abate A., Deschler F., Credgington D., Steiner U., Prakash G.V., Baumberg J.J. // ACS Appl Mater. Interfaces. 2015. № 7. P. 25227.

  4. Ye J., Byranvand M.M., Martínez C.O., Hoye R.L., Saliba M., Polavarapu L. // Angewandte Chemie. № 133(40). P. 21804–21828.

  5. Zhang C., Wang S., Li X., Yuan M., Turyanska L., Yang X. // Advanced Functional Materials. № 30(31). P. 1910582.

  6. Kim J., Hu L., Chen H., Guan X., Anandan P.R., Li F., Wu T. // ACS Materials Letters. № 2(11). P. 1368-1374.

  7. Zhou S., Zhou G., Li Y., Xu X., Hsu Y. J., Xu J., Lu X. // ACS Energy Letters. № 5(8). P. 2614-2623.

  8. Иванчихина А.В., Пундиков К.С. // Химия высоких энергий. Т. 54. № 5. С. 361–369.

  9. Gilmore R.H., Lee E.M., Weidman M.C., Willard A.P., Tisdale W.A. // Nano letters. № 17(2). P. 893–901.

  10. Chang Lu, Marcus W. Wright, Xiao Ma et al. // Chemistry of Materials. 2019. V. 31 № 1. P. 62–67.

  11. Jorick Maes, Lieve Balcaen, Emile Drijvers et al. // J. Phys. Chemi. Let. 2018. V. 9. № 11. P. 3093–3097.

  12. Tovstun S.A., Gadomska A.V., Spirin M.G., Razumov V.F. // J. Luminescence. 2022. V. 252. P. 119420.

  13. Mandal A., Ghosh A., Senanayak S.P., Friend R.H., Bhattacharyya S. // J. Phys. Chem. Let. 2021. V. 12(5).

  14. Aleshin A.N., Shcherbakov I.P., Kirilenko D.A. et al. // Phys. Solid State. 2019. V. 61. P. 256–262.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Химия высоких энергий

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал