1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Журнал неорганической химии
  4. T. 68, № 1, 2023

Журнал неорганической химии, 2023, T. 68, № 1, стр. 26-33

Формирование тонкопленочных композиционных структур CdxPb1 – xS/CdyS при химическом осаждении

А. Д. Селянина a, *, Л. Н. Маскаева a, b, В. И. Воронин c, И. А. Анохина d, В. Ф. Марков a, b

a Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина
620002 Екатеринбург, ул. Мира, 19, Россия

b Уральский институт Государственной противопожарной службы МЧС России
620002 Екатеринбург, ул. Мира, 22, Россия

c Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН
620108 Екатеринбург, ул. Софьи Ковалевской, 18, Россия

d Институт высокотемпературной электрохимии УрО РАН
620137 Екатеринбург, ул. Академическая, 20, Россия

* E-mail: n-kutyavina@mail.ru

Поступила в редакцию 23.07.2022
После доработки 26.08.2022
Принята к публикации 31.08.2022

Полный текст (PDF)

Аннотация

Химическим осаждением получены тонкие пленки твердых растворов замещения CdxPb1 –xS (0 ≤ x ≤ 0.094) кубической структуры B1 (пр. гр. Fm$\overline 3 m$) и исследованы с помощью рентгеновской дифракции, сканирующей электронной микроскопии, элементного EDX-анализа и КР-спектроскопии. Показано, что при достижении некоторой критической концентрации сульфата кадмия в реакционной смеси (0.1 моль/л) пленки формируются с участием двух самостоятельных фаз: твердого раствора замещения CdxPb1 –xS и гексагонального сульфида кадмия CdyS со структурой В4 (пр. гр. P63mc). Предложенный метод и условия синтеза эффективны для получения гетероструктур в системе CdS–PbS при осаждении в одну стадию.

Ключевые слова: твердые растворы замещения CdxPb1 –xS, сульфид кадмия, кристаллическая структура, топология, КР-спектроскопия

ВВЕДЕНИЕ

Пленки твердых растворов замещения в системе PbS–CdS широко востребованы как фоточувствительные соединения в видимом и ближнем ИК-диапазоне [1, 2] с варьируемой шириной запрещенной зоны в пределах 0.4–2.42 эВ [3, 5], благодаря чему они нашли применение в фотодетекторах [1, 2], солнечных и фотохимических элементах [4, 6, 7], в качестве химических сенсоров [8] и др. Метод химического осаждения из водных растворов за счет своей коллоидно-химической природы и неравновесных низкотемпературных условий проведения является одним из немногих, позволяющих получать сильно пересыщенные твердые растворы замещения CdxPb1 –xS. Так, по данным [9, 10], содержание кадмия (x) в составе твердых растворов CdxPb1 –xS, полученных химическим осаждением при 353 K, по сравнению с фазовой диаграммой системы CdS–PbS [11] на три–четыре порядка превышает равновесную концентрацию.

Существует несколько возможных причин формирования неравновесных многокомпонентных структур в системе СdS–PbS при гидрохимическом синтезе, одной из которых является возникновение размерных эффектов вследствие возрастания вклада поверхностной энергии в свободную энергию системы [12, 13]. Несмотря на достаточно большое число исследований, посвященных синтезу и свойствам твердых растворов замещения CdxPb1 –xS, а также кинетике их осаждения [14], некоторые аспекты формирования данных структур остаются неясными. Например, при некоторых концентрационных условиях по солям кадмия и свинца в реакционной смеси наряду с твердым раствором замещения происходит дополнительное осаждение фазы сульфида кадмия [6, 9, 10, 15]. Можно предположить, что существует некоторое критическое соотношение концентраций солей свинца и кадмия в системе, при котором создаются условия зарождения и формирования индивидуальной фазы CdS.

Цель настоящей работы – исследование условий фазообразования в системе CdS–PbS при химическом осаждении пленок твердых растворов CdxPb1 – xS.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

Тонкие пленки в системе CdS–PbS синтезировали химическим осаждением на кварцевых подложках из водных растворов, содержащих 0.04 моль/л ацетата свинца (Pb(CH3COO)2)), 0.30 моль/л цитрата натрия (Na3C6H5O7), 4.5 моль/л гидроксида аммония (NH4OH) и 0.58 моль/л тиомочевины ((NH2)2CS). Концентрацию сульфата кадмия (CdSO4) в реакционной смеси варьировали в интервале от 0.02 до 0.10 моль/л. Продолжительность синтеза составляла 120 мин при температуре 353 K.

Кристаллическую структуру синтезированных пленок изучали на рентгеновском дифрактометре PANalytical Empyrean Series 2 с детектором PIXcel3D в CuKα-излучении в интервале углов 2θ = = 20°–90° с шагом 0.01° и экспозицией 10 с в точке. Уточнение структурных характеристик пленок CdxPb1 –xS проводили методом полнопрофильного анализа Ритвельда [16, 17] с использованием программы Fullprof [18]. Были также проведены расчеты внутренних микродеформаций, размеров областей когерентного рассеяния (ОКР) в изотропном и анизотропном вариантах, основанные на экстраполяционном уравнении Уильямсона–Холла [19]:

(1)
$\beta \times \cos \theta = {{0.9\lambda } \mathord{\left/ {\vphantom {{0.9\lambda } D}} \right. \kern-0em} D} + 4\varepsilon \sin \theta ,$
где D – средний размер ОКР, принимаемый за средний размер частиц, β – полуширина рефлекса в радианах, λ – длина волны используемого рентгеновского излучения, ε = Δd/d – деформация, d – межплоскостное расстояние.

Морфологию и элементный состав пленок изучали с помощью растровых электронных микроскопов FEI Helios G4 CX при энергии электронного пучка 5 кэВ и JEOL JSM-5900 LV с энергодисперсионным рентгеновским анализатором EDS Inca Energy 250.

Для получения АСМ-изображений поверхности использовали сканирующий зондовый микроскоп Ntegra Aura (НТ-МДТ, Россия) с зондом NSG01 (НТ-МДТ, Россия), радиус закругления которого не более 20 нм. Сканирование поверхности производили с разрешением не менее 512 × × 512 точек при строчной частоте развертки 1 Гц. Количественную обработку АСМ-изображений поверхности пленок выполняли с помощью программного продукта Gwyddion-2.55.

Спектры комбинационного рассеяния пленочных образцов PbS и твердых растворов CdxPb1 –xS записывали при комнатной температуре на Рамановском спектрометре Renishaw-1000 (λ = = 514.5 нм) в области частот колебаний кристаллической решетки исследуемых соединений от 100 до 1000 см–1.

РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ

Набор дифракционных отражений, присутствующих на рентгенограммах пленок, полученных на основе сульфидов свинца и кадмия (рис. 1а), соответствует кубической гранецентрированной решетке B1 (пр. гр. $Fm\bar {3}m$). Доказательством образования твердых растворов CdxPb1 –xS служит смещение дифракционных отражений в область бóльших углов 2θ, показанное на примере фрагмента рентгенограмм с рефлексом (111)B1 (рис. 1б). Стоит обратить внимание, что на рентгенограмме пленочного образца, синтезированного из реактора с 0.10 моль/л CdSO4, обнаружены рефлексы при 2θ = ~25° и 26.8° (обозначены символом *), которые соответствуют гексагональной фазе В4 CdS (пр. гр. P63mc). Количественный анализ рентгенограмм позволил обнаружить уменьшение периода кристаллической решетки аВ1 от 0.59353 нм (пленка PbS, полученная без добавки соли кадмия) до 0.59080, 0.58902, 0.58913 и 0.58986 нм (табл. 1). Согласно оценкам, сделанным с помощью минимизации рентгенограмм с учетом периодов кубических решеток B1 сульфидов PbS (а = 0.59353 нм) и CdS (а = 0.546 нм) [20–22], с использованием правила Вегарда был рассчитан состав синтезированных пленок твердых растворов Cd0.061Pb0.939S, Cd0.094Pb0.906S, Cd0.092Pb0.908S, Cd0.076Pb0.924S. Сравнивая состав обсуждаемых пленок с фазовой диаграммой системы CdS–PbS, можно говорить об их пересыщенном состоянии. Параметры элементарной ячейки гексагонального сульфида кадмия CdyS, входящего в состав пленки, полученной при содержании 0.10 моль/л CdSO4, составили: a = 0.4048 нм, c = 0.6581 нм.

Рис. 1.

Рентгенограммы пленок PbS (1) и твердых растворов CdxPb1 –xS, полученных из реакционных ванн, содержащих 0.02 (2), 0.06 (3), 0.08 (4) и 0.10 моль/л CdSO4 (5). Символом (*) отмечены рефлексы гексагональной фазы CdS (а). Приведено также смещение рефлексов грани (111)В1 в область больших углов 2θ (б).

Таблица 1.

Параметры кристаллической решетки, текстурированность (T(200) и T(111)), величина микродеформаций (Δd/d), размер ОКР (D) пленок в системе CdS–PbS, полученных при различном содержании соли кадмия в реакционной смеси

[CdSO4], моль/л 0.02 0.06 0.08 0.10*
В1 В4
Параметры решетки, нм 0.59080 0.58902 0.58913 0.58986 a = 0.4048
c = 0.6581
T(200), %
T(111), % 		46.5
– 		59.9
– 		61.3
– 		–
36.6 		–
〈Δd/d〉 × 10−4 41.0 34.0 41.4 27.8 –
D, нм 375 813 690 312 7.5

* Двухфазная пленка, содержащая Cd0.076Pb0.924S (В1) и CdyS (В4).

Еще одной особенностью полученных рентгенограмм является преимущественная ориентация кристаллитов твердых растворах CdxPb1 –xS в направлении (200)В1, сохраняемая для пленок, синтезированных из реакционной ванны при содержании соли кадмия от 0.02 до 0.08 моль/л. Их текстурированность T(200) растет от 46.5 до 61.3% с повышением концентрации соли кадмия в реакторе. При концентрации соли кадмия в реакционной ванне 0.10 моль/л создаются условия роста частично упорядоченных зерен (~36%) в пленке твердого раствора Cd0.076Pb0.924S с преимущественной ориентацией (111)В1 и происходит образование дополнительной фазы CdyS.

На рис. 1б показаны профили рефлекса (111)B1 обсуждаемых слоев. На них отчетливо наблюдается уширение дифракционных отражений, причиной которого могут являться малый размер зерен и наличие микронапряжений. Разделение размерного и деформационного вклада в уширение рефлексов, включающего оценку среднего размера ОКР, принимаемого в первом приближении как средний размер зерен (D), и внутренних микронапряжений, выполнено экстраполяционным методом Уильямсона–Холла [19] по зависимости β(2θ) cos θ = f(sinθ), приведенной на вставках к рис. 2. Средний размер зерен D получен экстраполяцией этой зависимости на значение sin θ = 0, ее наклон свидетельствует о внутренних микронапряжениях, а разброс от средней линии связан с анизотропией микронапряжений вдоль различных кристаллографических плоскостей.

Рис. 2.

Экспериментальные (кружки) и расчетные (огибающие линии) рентгенограммы пленок Cd0.094Pb0.906S (а), Cd0.092Pb0.908S (б) и Cd0.076Pb0.924S/CdyS (в), осажденных на кварцевые подложки из реакционных смесей, содержащих 0.06, 0.08 и 0.10 моль/л CdSO4 соответственно. Нижняя линия – разность между экспериментом и расчетом. Штрихами показаны угловые положения рефлексов фазы B1 (а, б, верхние на в) и гексагональной фазы B4 (нижние на в). На вставках приведена зависимость β(2θ)cosθ от sinθ.

Оцененная величина внутренних микронапряжений (Δd/d) и размер областей когерентного рассеяния (D) в пленках, полученных из реакционных смесей, содержащих 0.02–0.08 моль/л соли кадмия, имеют асимбатный характер. Минимальным микронапряжениям (34.0 × 10−4) в пленке Cd0.094Pb0.906S, осажденной при концентрации 0.06 моль/л CdSO4, соответствует максимальный средний размер зерен (813 нм). Далее система, стремясь сохранить линейный характер образования и роста тонкопленочного слоя с повышением концентрации сульфата кадмия в реакторе до 0.08 моль/л, выступила кооперативно. В частности, в пленке твердого раствора Cd0.092Pb0.908S, с одной стороны, произошло уменьшение среднего размера зерен до 690 нм, а с другой – повышение микронапряжений до 41.4 × 10−4. Эти условия в процессе фазообразования можно назвать предкритическими, а концентрацию соли кадмия предельной. При превышении этой концентрации CdSO4 в реакционной смеси характер изменения содержания кадмия (x) в структуре CdxPb1 –xS качественно меняется, не позволяя системе развиваться линейно. Об этом свидетельствует снижение содержания кадмия в составе твердого раствора замещения до x = 0.076, уменьшение микронапряжений в кристаллической решетке до 27.8 × 10−4 и образование собственной фазы гексагонального СdyS при дальнейшем повышении концентрации соли кадмия в растворе до 0.10 моль/л, т.е. происходит формирование нового динамического состояния – диссипативной структуры [23]. Это обусловлено, учитывая конкурентный характер взаимодействия ионов свинца и кадмия с серой S2–, стремлением системы к наиболее термодинамически выгодному состоянию, т.е. к минимуму свободной энергии Гиббса.

Теория диссипативной самоорганизации основывается на случайном поведении системы в критической точке и, следовательно, предполагает эволюцию морфологии и топологии как тонкопленочных слоев, так и возникающих структур. Эволюцию микроизображений пленок Cd0.094Pb0.906S (а), Cd0.092Pb0.908S (б), Cd0.076Pb0.924S/CdyS (в) иллюстрирует рис. 3.

Рис. 3.

Электронно-микроскопические изображения пленок, полученных на кварцевых подложках из реакционных ванн, содержащих 0.06 (a), 0.08 (б), 0.10 моль/л CdSO4 (в, г). Пленки отвечают соответственно составам Cd0.094Pb0.906S, Cd0.092Pb0.908S, Cd0.076Pb0.924S/CdyS. На рис. г показано микроизображение интерфейса пленки Cd0.076Pb0.924S/CdyS – кварцевая подложка.

Синтезированная с использованием 0.06 моль/л CdSO4 пленка состоит из плотно прилегающих друг к другу кристаллитов размерами 400–800 нм различной формы с нарушенной огранкой. С увеличением концентрации соли кадмия в реакторе до 0.08 моль/л происходит восстановление кубической формы кристаллитов, характерной для PbS. Они становятся более однородными по размерам (средняя длина ребра ~500 нм) и приобретают четкую огранку. На микроизображении пленки, полученной из ванны с исходной концентрацией соли кадмия 0.10 моль/л, обнаружены две фазы: глобульные образования размерами 300–500 нм, характерные для CdS [24], и полиэдрические кристаллиты (500–900 нм) твердого раствора Cd0.076Pb0.924S с преимущественной ориентацией плоскостью (111)В1. Рис. 3г демонстрирует микроизображение этой пленки в разрезе. Как видно из рисунка, на подложке из кварцевого стекла расположены глобульные образования, на которых наблюдаются хорошо ограненные микрокристаллиты.

Данные локального EDX-анализа подтверждают наличие двух фаз, состоящих из кристаллитов, содержащих в среднем 41.8 ат. % Pb, 7.5 ат. % Cd и 50.7 ат. % S, а в межкристаллитном пространстве свинец не обнаружен, присутствуют лишь Cd (49.3 ат. %) и S (50.7 ат. %). Превышение кадмия в кристаллитах связано с их расположением на слое сульфида кадмия.

Информация о микрорельефе поверхности обсуждаемых слоев и количественной оценке их параметров была получена анализом трехмерных топографических изображений размерами 5 × 5 мкм с помощью атомно-силовой микроскопии (АСМ) (рис. 4). Особенности АСМ-изображений пленок согласуются с данными рентгеноструктурного анализа и электронной микроскопии изучаемых пленок: разновысокие “лепестки” с острыми краями (0.06 моль/л) → “лепестки” и кристаллиты кубической формы (0.08 моль/л) → зерна тетраэдрической формы, частично утопленные в слое сульфида кадмия (0.1 моль/л). Обработка АСМ-изображений с помощью программного продукта Gwyddion-2.55 показала резкое увеличение среднеквадратичной шероховатости Rq от 45 нм (0.08 моль/л CdSO4) до 123 нм (0.1 моль/л CdSO4), что связано с возникновением критического перехода и разрушением твердого раствора при повышении содержания сульфата кадмия в реакторе. О существенной неоднородности рельефа поверхности пленки Cd0.076Pb0.924S/CdyS свидетельствует значительная разница между величинами максимальной (RZ = 745 нм) и средней (Rt = 292 нм) высотами профиля.

Рис. 4.

Трехмерные АСМ-изображения пленок Cd0.094Pb0.906S (а), Cd0.092Pb0.908S (б) и Cd0.076Pb0.924S/CdyS (в), осажденных на кварцевые подложки из реакционных смесей, содержащих 0.06 (a), 0.08 (б) и 0.10 моль/л CdSO4 (в). Размер скана 5 × 5 мкм.

Как известно, положение и форма линий в спектрах комбинационного рассеяния зависят от молекулярной структуры соединения. Эволюцию КР-спектров пленок в системе CdS–PbS иллюстрирует рис. 5. Спектр пленки сульфида свинца содержит пять активных рамановских мод с центрами около 134, 179, 433, 603, 964 см–1, характерных для кубической В1 структуры PbS [25–27]. Линия при ~134 см–1 отвечает за комбинацию продольных и поперечных акустических мод кубической структуры PbS (LA + TA) [26, 28]. Наблюдаемая слабая линия рамановского рассеяния в структуре PbS на частоте 179 см–1 относится к продольной оптической моде (LO), а линии около 430 и 600 см–1 происходят из первого и второго обертонов основных продольных оптических (LO) фононных мод PbS 2LO и 3LO соответственно [27]. Мода 964 см–1 отвечает за валентные симметричные колебания ν1 ионов ${\text{SO}}_{4}^{{2 - }}$ (PbSO4) [29]. Кроме того, рамановские спектры твердых растворов CdxPb1 –xS содержат пики вблизи 290 см–1, принадлежащие продольной оптической моде сульфида кадмия (LO), а линии около 590 см–1 являются ее обертоном (2LO) [30–32], эти линии также наблюдаются в спектре индивидуального CdS (302 и 602 см–1).

Рис. 5.

Спектры КР пленок PbS, СdS и слоев Cd0.061Pb0.939S, Cd0.092Pb0.908S, полученных при концентрации соли кадмия 0.02, 0.08 моль/л в реакционной смеси. Цифрами обозначены спектры тонкопленочной композиционной структуры, осажденной из раствора с концентрацией сульфата кадмия, равной 0.10 моль/л: кристаллиты Cd0.076Pb0.924S (1) и СdyS (2).

Анализ спектров КР твердых растворов CdxPb1 –xS выявил изменение относительной интенсивности и смещение пиков с увеличением содержания кадмия в составе твердого раствора CdxPb1 –xS за счет напряжений, вызванных различными значениями постоянных кристаллических решеток PbS и CdS [33]. Низкочастотные линии при 134 см–1 в пленках CdxPb1 –xS смещаются в высокочастотную область до 138 см–1 с увеличением концентрации сульфата кадмия в реакционной ванне, что указывает на замещение атомов свинца более легкими атомами кадмия и подтверждает образование твердых растворов замещения (Cd0.061Pb0.939S → Cd0.092Pb0.908S).

Спектры пленки, полученной при концентрации CdSO4 в реакторе 0.10 моль/л, содержат линии, характерные для пленки PbS (спектр 1). Они немного смещены, что соответствует образованию твердого раствора замещения Cd0.076Pb0.924S [33]. С другой стороны, в спектре 2 наблюдается небольшое увеличение интенсивности линий при 298 и 603 см–1. Это объясняется включениями фазы CdS, которая была установлена методом рентгеновской дифракции. Таким образом, эта пленка состоит из двух фаз: твердого раствора Cd0.076Pb0.924S и гексагонального сульфида кадмия CdyS со структурой В4 (пр. гр. P63mc).

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На кварцевых положках при варьировании концентрации от 0.02 до 0.10 моль/л сульфата кадмия в реакционной смеси синтезирован и исследован ряд тонкопленочных твердых растворов CdxPb1 –xS с кубической структурой B1 (пр. гр. $Fm\bar {3}m$) имеющих, по данным рентгеновской дифракции, максимальное содержание замещающего компонента (9.4 ат. %). Результаты комплексных исследований показали, что при достижении в реакционной ванне критической концентрации соли кадмия 0.10 моль/л помимо кубической фазы твердого раствора образуется самостоятельная фаза гексагонального CdyS со структурой В4 (пр. гр. P63mc), что приводит к формированию тонкопленочной композиционной структуры CdxPb1 –xS/CdyS. Можно предположить, что при задаваемых в настоящей работе условиях синтеза добавка 0.08 моль/л CdSO4 создает за счет изменения концентрационного соотношения в пользу кадмия предкритические условия для зарождения индивидуальной фазы CdS. Выявленные закономерности можно использовать в качестве основной стратегии одностадийного синтеза тонкопленочных гетероструктур, востребованных для создания преобразователей солнечного излучения и функциональных элементов микроэлектроники.

Список литературы

  1. Маскаева Л.Н., Марков В.Ф., Порхачев М.Ю. и др. // Пожаровзрывобезопасность. 2013. Т. 24. № 9. С. 67.

  2. Pentia E., Draghici V., Sarau G. et al. // J. Electrochem. Soc. 2004. V. 151. № 11. P. G729. https://doi.org/10.1149/1.1800673

  3. Thangavel S., Ganesan S., Saravanan K. // Thin Solid Films. 2012. V. 520. № 16. P. 5206. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2012.03.114

  4. Touati B., Gassoumi A., Guasch C. et al. // Mater. Sci. Semicond. Process. 2017. V. 67. P. 20. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2017.05.004

  5. Ounissi A., Ouddai N., Achour S. // EPJ. Appl. Phys. 2007. V. 37. № 3. P. 241. https://doi.org/10.1051/epjap:2007034

  6. Suryavanshi K.E., Dhake R.B., Patil A.M. et al. // Optik. 2020. P. 165008. https://doi.org/10.1016/j.ijleo.2020.165008

  7. Sharma S., Venkata D.R.A., Jayarambabu N. et al. // Mater. Today: Proceedings. 2019. V. 26. № 1. P. 162. https://doi.org/10.1016/j.matpr.2019.10.155

  8. Bezdetnova A.E., Markov V.F., Maskaeva L.N. et al. // J. Anal. Chem. 2019. V. 74. № 12. P. 1256. [Бездетнова А.Е., Марков В.Ф., Маскаева Л.Н. и др. // Журн. аналит. химии. 2019. Т. 74. № 12. С. 953.] https://doi.org/10.1134/S1061934819120025

  9. Maskaeva L.N., Pozdin A.V., Markov V.F. et al. // Semiconductors. 2020. V. 54. P. 1567. [Маскаева Л.Н., Поздин А.В., Марков В.Ф. и др. // Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. № 12. С. 1309.] https://doi.org/10.1134/S1063782620120209

  10. Kutyavina A.D., Maskaeva L.N., Voronin V.I. et al. // CTA. V. 8. № 2. P. 20218210. https://doi.org/10.15826/chimtech.2021.8.2.10

  11. Шелимова Л.Е. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении (системы на основе халькогенидов Si, Ge, Sn, Pb). М.: Наука, 1991. 256 с.

  12. Maskaeva L.N., Kutyavina A.D., Markov V.F. et al. // Russ. J. Gen. Chem. Т. 88. № 2. P. 295. [Маскаева Л.Н., Кутявина А.Д., Марков В.Ф. и др. // Журн. общ. химии. 2018. Т. 88. № 2. С. 319.] https://doi.org/10.1134/S1070363218020172

  13. Марков В.Ф., Маскаева Л.Н., Иванов П.Н. Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов металлов: моделирование и эксперимент. Екатеринбург: УрО РАН, 2006. 218 с.

  14. Маскаева Л.Н., Марков В.Ф., Ваганова И.В. и др. // Бутлеровские сообщения. 2017. Т. 49. № 3. С. 50.

  15. Rabinovich E., Wachtel E., Hodes G. // Thin Solid Films. 2008. V. 517. № 2. P. 737. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2008.08.162

  16. Rietveld H.M. // J. Appl. Crystallogr. 1969. V. 2. № 2. P. 65. https://doi.org/10.1107/S0021889869006558

  17. Bush D.L., Post J.E. // Rev. Miner. 1990. V. 20. P. 369. https://doi.org/10.1180/claymin.1990.025.4.12

  18. Rodrigues–Carvajal J. // Physica B. 1993. V. 192. P. 55. https://doi.org/doi:10.1016/0921-4526(93)90108-I

  19. Williamson G.K., Hall W.H. // Acta Metallurgica. 1953. V. 1. № 1. P. 22. https://doi.org/10.1016/0001-6160(53)90006-6

  20. Corll J.A. // J. Appl. Phys. 1964. V. 35. P. 3032. https://doi.org/10.1063/1.1713151

  21. Kobayashi T., Susa K., Taniguchi S. // J. Phys. Chem. Solids. 1979. V. 40. P. 781. https://doi.org/10.1016/0022-3697(79)90160-4

  22. Susa K., Kobayashi T., Taniguchi S. // J. Solid State Chem. 1980. V. 33. № 2. P. 197. https://doi.org/10.1016/0022-4596(80)90120-6

  23. Guglielmi M., Martucci A., Fick J. et al. // J. Sol-Gel Sci. Technol. 1998. V. 11. № 3. P. 229. https://doi.org/10.1023/A:1008650027769

  24. Forostyanaya N.A., Maskaeva L.N., Markov V.F. // Russ. J. Gen. Chem. 2015. V. 85. № 11. P. 2513. [Форостяная Н.А., Маскаева Л.Н., Марков В.Ф. // Журн. общ. химии. 2015. Т. 85. № 11. С. 1769.] https://doi.org/10.1134/S1070363215110031

  25. Kul M. // Anadolu Univ. J. Sci. Technol. 2019. V. 7. P. 46. https://doi.org/10.20290/aubtdb.465445

  26. Abu-Hariri A., Budniak A.K., Horani F. et al. // RSC Advances. 2021. V. 11. P. 30560. https://doi.org/10.1039/D1RA04402H

  27. Ovsyannikov S.V., Shchennikov V.V., Cantarero A. et al. // Mater. Sci. Eng. A. 2007. V. 462. № 1–2. P. 422. https://doi.org/10.1016/j.msea.2006.05.175

  28. Perez R.G., Tellez G.H., Rosas U.P. et al. // JMSE-A. 2013. № 1. P. 1. https://doi.org/10.17265/2161-6213/2013.01.001

  29. Batonneau Y., Bremard C., Laureyns J. et al. // J. Raman Spectrosc. 2000. V. 31. № 12. P. 1113. https://doi.org/10.1002/1097-4555(200012)31:12<1113:: AID-JRS653>3.0.CO;2-E

  30. Abdi A., Titova L.V., Smith L.M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. P. 043118. https://doi.org/10.1063/1.2168507

  31. Oladeji I.O., Chow L., Liu J.R. et al. // Thin Solid Films. 2000. V. 359. № 2. P. 154. https://doi.org/10.1016/S0040-6090(99)00747-6

  32. Milekhina A.G., Sveshnikova L.L., Repinsky S.M. et al. // Thin Solid Films. 2002. V. 422. № 1–2. P. 200. https://doi.org/10.1016/S0040-6090(02)00991-4

  33. Maskaeva L.N., Markov V.F., Voronin V.I. et al. // Thin Solid Films. 2004. V. 461. № 2. P. 325. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.02.035

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Журнал неорганической химии

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал