Микроэлектроника

Содержание

Том 51, Номер 4, 2022

ДИАГНОСТИКА

Применение метода регуляризации Тихонова в задачах эллипсометической порометрии low-k диэлектриков
Р. А. Гайдукасов, А. В. Мяконьких, К. В. Руденко

Информация о статьеПолный текст (PDF)

243-254

Применение методов, используемых при интерпретации спектров электронной спектроскопии, к расшифровке сигналов ионной спектроскопии
В. П. Афанасьев, Л. Г. Лобанова

Информация о статьеПолный текст (PDF)

255-264

МОДЕЛИРОВАНИЕ

Моделирование кремниевых цилиндрических с полностью охватывающим затвором КМОП нанотранзисторов с переменным радиусом рабочей области
Н. В. Масальский

Информация о статьеПолный текст (PDF)

265-271

Моделирование методом конечных элементов устройств на поверхностных акустических волнах с использованием пакета COMSOL
А. С. Койгеров, А. В. Корляков

Информация о статьеПолный текст (PDF)

272-282

ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

Формирования наноразмерных структур на поверхности кремния комбинацией методов фокусированных ионных пучков и плазмохимического травления
В. С. Климин, Ю. В. Морозова, И. Н. Коц, З. Е. Вакулов, О. А. Агеев

Информация о статьеПолный текст (PDF)

283-290

Плазмохимическое и реактивно-ионное травление кремния в среде тетрафторметана с аргоном
Д. Б. Мурин, С. А. Пивоваренок, А. С. Козин

Информация о статьеПолный текст (PDF)

291-295

Параметры плазмы и кинетика реактивно-ионного травления кремния в смеси C₆F₁₂O + Ar
А. М. Ефремов, В. Б. Бетелин, K.-H. Kwon

Информация о статьеПолный текст (PDF)

296-303

ПРИБОРЫ

О механизме образования проводящей среды в мемристорах на основе электроформованных открытых “сэндвич”-МДМ-структур
В. М. Мордвинцев, Е. С. Горлачев, С. Е. Кудрявцев

Информация о статьеПолный текст (PDF)

304-312

Эффективность методов повышения сбое- и отказоустойчивости блоков статической оперативной памяти
Л. А. Щигорев

Информация о статьеПолный текст (PDF)

313-320

Информация о выпуске

Микроэлектроника