Микроэлектроника

Содержание

Том 51, Номер 3, 2022

 

ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Зависимость рентгеночувствительности монокристаллов AgGaS2 по граням (001) и (100) от дозы и жесткости излучения
С. М. Асадов, С. Н. Мустафаева, Д. Т. Гусейнов, К. И. Келбалиев, В. Ф. Лукичев
163-171
Наноразмерная модификация поверхности кремния методом фокусированных ионных пучков
И. Н. Коц, В. В. Полякова, Ю. В. Морозова, А. С. Коломийцев, В. С. Климин, О. А. Агеев
172-179
Технология получения контактов Шоттки на основе композита IRSI–SI
Х. С. Алиев, Э. А. Керимов
180-184
Структурирование кремния в высокочастотном разряде фреона R-23
А. В. Дунаев, Д. Б. Мурин
185-189
Влияние мощности разряда в плазме при реактивно-ионном травлении массивных подложек на согласование нижнего электрода с высокочастотным генератором смещения
С. Д. Полетаев
190-194
ПРИБОРЫ
Монолитные интегральные схемы на основе нитрида галлия для радиолокации ближнего действия и средств связи в диапазоне частот 22–25 ГГц
О. С. Матвеенко, Д. Л. Гнатюк, А. С. Бугаев, А. Ю. Павлов, С. А. Гамкрелидзе, Р. Р. Галиев, А. В. Зуев, Ю. В. Федоров, Д. В. Лаврухин, А. О. Михалев, Н. К. Зенченко
195-201
Высоковольтный КМОП преобразователь уровня напряжения для низковольтового технологического процесса
В. В. Шубин
202-211
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ
Электрофизические параметры и спектры излучения тлеющего разряда постоянного тока в среде фреона R-23
Д. Б. Мурин, С. А. Пивоваренок, А. А. Малюгин, А. В. Бобылев
212-217
МОДЕЛИРОВАНИЕ
Влияние анизотропии изоэнергетической поверхности на электропроводность и постоянную Холла для тонкой полупроводниковой пленки
П. А. Кузнецов, С. Б. Московский, Д. Н. Романов
218-229
МЕТРОЛОГИЯ
Сбор заряда КМОП транзисторами с треков одиночных частиц, проходящих через слой мелкой траншейной изоляции
В. Я. Стенин, Ю. В. Катунин
230-240

Информация о выпуске

  • Всего статей
    10
  • Страницы
    163-240

Микроэлектроника