Микроэлектроника
Содержание
Том 49, Номер 6, 2020
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
- Кинетика и механизмы реактивно-ионного травления Si и SiO2 в плазме смеси HBr + O2
А. М. Ефремов, В. Б. Бетелин, K.-H. Kwon - 403-408
- Технология наноразмерных слоев металлов для формирования надежного контакта к стоковой области кремниевых транзисторов
Т. А. Исмаилов, А. Р. Шахмаева, Б. А. Шангереева - 409-412
- Термическое атомно-слоевoе осаждение TiNx с использованием TiCl4 и N2H4
А. И. Абдулагатов, М. Х. Рабаданов, И. М. Абдулагатов - 413-428
ПРИБОРЫ
- СВЧ характеристики усилителей на наногетероструктурах нитрида галлия в диапазоне частот 80–100 ГГц
Д. Л. Гнатюк, Р. Р. Галиев, А. В. Зуев, С. Л. Крапухина, М. В. Майтама, П. П. Мальцев, О. С. Матвеенко, Ю. В. Федоров - 429-435
- Инжекционный диффузионно-дрейфовый формирователь импульсов
Д. С. Гаев, С. Ш. Рехвиашвили - 436-441
МАТЕРИАЛЫ
- Аморфизация оксидов ванадия при обратимом внедрении лития
А. М. Скундин, А. А. Мироненко, А. С. Рудый, И. С. Федоров, С. В. Васильев, Л. А. Мазалецкий, Ю. С. Торцева, О. Е. Кузнецов - 442-449
- Влияние точечных дефектов на скорость электромиграции по границе соединенных материалов
Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев - 450-458
МОДЕЛИРОВАНИЕ
- Концепция пятен для задач искусственного интеллекта и алгоритмов нейроморфных систем
Н. А. Симонов - 459-473
- Моделирование нормально закрытого HEMT транзистора на оcнове GaN/AlGaN с p-затвором
В. И. Егоркин, В. Е. Земляков, В. В. Капаев, О. Б. Кухтяева - 474-480
Информация о выпуске
- Всего статей9
- Страницы403-480
Микроэлектроника