Микроэлектроника

Содержание

Том 49, Номер 5, 2020

 

МОДЕЛИРОВАНИЕ
Моделирование резистивного переключения в мемристорных структурах на основе оксидов переходных металлов
О. О. Пермякова, А. Е. Рогожин
323-333
Ab initio моделирование электронной и энергетической структуры, а также открытие ширины запрещенной зоны легированного 4p-элементами монослоя графена
М. М. Асадов, С. С. Гусейнова, В. Ф. Лукичев
334-343
Моделирование характеристик КНИ КМОП нанотранзисторов с ассиметричным полностью охватывающим затвором
Н. В. Масальский
344-352
Моделирование переходных процессов в мажоритарном элементе при переключении и сборе заряда с трека одиночной частицы
В. Я. Стенин, Ю. В. Катунин
353-365
МАТЕРИАЛЫ
Исследование динамики релаксационной поляризации твердого электролита LiPON
А. С. Рудый, М. Е. Лебедев, А. А. Мироненко, Л. А. Мазалецкий, В. В. Наумов, А. В. Новожилова, И. С. Федоров, А. Б. Чурилов
366-379
Исследование магнитооптических свойств структур на искривленных поверхностях для разработки элементов памяти на магнитных вихрях
А. В. Проказников, В. А. Папорков
380-394
ПРИБОРЫ
Механизм транспорта заряда в бесформовочном мемристоре на основе нитрида кремния
О. М. Орлов, А. А. Гисматулин, В. А. Гриценко, Д. С. Мизгинов
395-400

Информация о выпуске

  • Всего статей
    7
  • Страницы
    323-400

Микроэлектроника