Микроэлектроника
Содержание
Том 49, Номер 5, 2020
МОДЕЛИРОВАНИЕ
- Моделирование резистивного переключения в мемристорных структурах на основе оксидов переходных металлов
О. О. Пермякова, А. Е. Рогожин - 323-333
- Ab initio моделирование электронной и энергетической структуры, а также открытие ширины запрещенной зоны легированного 4p-элементами монослоя графена
М. М. Асадов, С. С. Гусейнова, В. Ф. Лукичев - 334-343
- Моделирование характеристик КНИ КМОП нанотранзисторов с ассиметричным полностью охватывающим затвором
Н. В. Масальский - 344-352
- Моделирование переходных процессов в мажоритарном элементе при переключении и сборе заряда с трека одиночной частицы
В. Я. Стенин, Ю. В. Катунин - 353-365
МАТЕРИАЛЫ
- Исследование динамики релаксационной поляризации твердого электролита LiPON
А. С. Рудый, М. Е. Лебедев, А. А. Мироненко, Л. А. Мазалецкий, В. В. Наумов, А. В. Новожилова, И. С. Федоров, А. Б. Чурилов - 366-379
- Исследование магнитооптических свойств структур на искривленных поверхностях для разработки элементов памяти на магнитных вихрях
А. В. Проказников, В. А. Папорков - 380-394
ПРИБОРЫ
- Механизм транспорта заряда в бесформовочном мемристоре на основе нитрида кремния
О. М. Орлов, А. А. Гисматулин, В. А. Гриценко, Д. С. Мизгинов - 395-400
Информация о выпуске
- Всего статей7
- Страницы323-400
Микроэлектроника