Микроэлектроника
Содержание
Том 49, Номер 4, 2020
КВАНТОВЫЕ КОМПЬЮТЕРЫ
- Однофотонный отклик и спектроскопия микродиска в алмазной подложке
М. С. Рогачёв, И. Ю. Катеев, А. В. Цуканов - 243-250
ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
- Параметры плазмы и кинетика активных частиц в смеси CHF3 + O2 + Ar
А. М. Ефремов, Д. Б. Мурин, K.-H. Kwon - 251-261
МОДЕЛИРОВАНИЕ
- Расчет электропроводности тонкой цилиндрической проводящей трубки с учетом анизотропии изоэнергетической поверхности
И. А. Кузнецова, Д. Н. Романов - 262-270
- Расчет рабочих характеристик МЭМС-переключателя с увеличенным отношением емкостей
И. В. Уваров, Н. В. Марухин, П. С. Шлепаков, В. Ф. Лукичев - 271-280
МАТЕРИАЛЫ
- Модифицирование диэлектрических свойств монокристалла TlGaS2 под воздействием электронного облучения
С. М. Асадов, С. Н. Мустафаева, В. Ф. Лукичев - 281-286
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ
- Влияние давления кислорода на переключения в мемристорах на основе электроформованных открытых “сэндвич”-структур
В. М. Мордвинцев, Е. С. Горлачев, С. Е. Кудрявцев, В. Л. Левин - 287-296
ПРИБОРЫ
- Определение режимов термоэлектрического охлаждения теплонагруженных элементов электроники
Е. Н. Васильев - 297-303
- Высоковольтные LDMOS транзисторы на КНИ структуре для экстремальной электроники
С. И. Бабкин, С. И. Волков, А. А. Глушко, С. А. Морозов, А. С. Новоселов, А. А. Столяров - 304-313
- Электрофизические параметры диодов генераторов широкополосного шума
В. В. Буслюк, В. Б. Оджаев, А. К. Панфиленко, А. Н. Петлицкий, В. С. Просолович, В. А. Филипеня, Ю. Н. Янковский - 314-320
Информация о выпуске
- Всего статей9
- Страницы243-320
Микроэлектроника