Микроэлектроника
Содержание
Том 49, Номер 3, 2020
ЛИТОГРАФИЯ
- Влияние температуры проявления на контраст электронного резиста HSQ
А. А. Татаринцев, А. В. Шишлянников, К. В. Руденко, А. Е. Рогожин, А. Е. Иешкин - 163-169
ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
- О влиянии вида фторуглеродного газа на выходные характеристики процесса реактивно-ионного травления
А. М. Ефремов, Д. Б. Мурин, K.-H. Kwon - 170-178
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ
- Роль реадсорбции в формировании вертикальных нанопроволок AIIIBV при самокаталитическом росте
А. Г. Настовьяк, А. Г. Усенкова, Н. Л. Шварц, И. Г. Неизвестный - 179-185
- Получение электропроводящих структур электрохимическим осаждением меди на подложках анодированного алюминия при использовании полифторхалконов в качестве фоторезистного слоя
С. В. Деревяшкин, Е. А. Соболева, В. В. Шелковников - 186-197
- Особенности применения реактивного ионного травления кварца при изготовлении маятниковых узлов Q-flex акселерометров
М. С. Харламов, О. С. Гусева, С. Ф. Коновалов - 198-209
ПРИБОРЫ
- Нелокальная динамика электронов в транзисторных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием
А. Б. Пашковский, А. С. Богданов, В. М. Лукашин, С. И. Новиков - 210-225
- Планарный триод для вакуумной микроэлектроники
С. Ш. Рехвиашвили, Д. С. Гаев - 226-229
МОДЕЛИРОВАНИЕ
- Моделирование воздействия одиночных ионизирующих частиц на логические элементы КМОП тройного мажоритарного элемента
Ю. В. Катунин, В. Я. Стенин - 230-240
Информация о выпуске
- Всего статей8
- Страницы163-240
Микроэлектроника