Микроэлектроника

Содержание

Том 49, Номер 3, 2020

 

ЛИТОГРАФИЯ
Влияние температуры проявления на контраст электронного резиста HSQ
А. А. Татаринцев, А. В. Шишлянников, К. В. Руденко, А. Е. Рогожин, А. Е. Иешкин
163-169
ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
О влиянии вида фторуглеродного газа на выходные характеристики процесса реактивно-ионного травления
А. М. Ефремов, Д. Б. Мурин, K.-H. Kwon
170-178
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ
Роль реадсорбции в формировании вертикальных нанопроволок AIIIBV при самокаталитическом росте
А. Г. Настовьяк, А. Г. Усенкова, Н. Л. Шварц, И. Г. Неизвестный
179-185
Получение электропроводящих структур электрохимическим осаждением меди на подложках анодированного алюминия при использовании полифторхалконов в качестве фоторезистного слоя
С. В. Деревяшкин, Е. А. Соболева, В. В. Шелковников
186-197
Особенности применения реактивного ионного травления кварца при изготовлении маятниковых узлов Q-flex акселерометров
М. С. Харламов, О. С. Гусева, С. Ф. Коновалов
198-209
ПРИБОРЫ
Нелокальная динамика электронов в транзисторных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием
А. Б. Пашковский, А. С. Богданов, В. М. Лукашин, С. И. Новиков
210-225
Планарный триод для вакуумной микроэлектроники
С. Ш. Рехвиашвили, Д. С. Гаев
226-229
МОДЕЛИРОВАНИЕ
Моделирование воздействия одиночных ионизирующих частиц на логические элементы КМОП тройного мажоритарного элемента
Ю. В. Катунин, В. Я. Стенин
230-240

Информация о выпуске

  • Всего статей
    8
  • Страницы
    163-240

Микроэлектроника