Микроэлектроника

Содержание

Том 48, Номер 4, 2019

МАТЕРИАЛЫ

Влияние состава на диэлектрические свойства и перенос заряда в 2D мaтериалах GaS_{1 – х}Se_х
С. М. Асадов, С. Н. Мустафаева, В. Ф. Лукичев, Д. Т. Гусейнов

Информация о статьеПолный текст (PDF)

243-248

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ

Оценка взаимосвязи скорости атомно-слоевого осаждения тонких пленок металлов платиновой группы и молекулярной массы реагентов-предшественников
В. Ю. Васильев

Информация о статьеПолный текст (PDF)

249-262

Возможности управления концентрацией примесей в приповерхностных слоях пленок, выращенных методом ALD
А. В. Фадеев, К. В. Руденко

Информация о статьеПолный текст (PDF)

263-271

Атомно-слоевое осаждение пленок нитрида кремния на арсениде галлия с применением тлеющего разряда
Ю. К. Ежовский, С. В. Михайловский

Информация о статьеПолный текст (PDF)

272-278

Влияние добавки N₂ на скорость травления GaAs в плазме CF₂Cl₂
С. А. Пивоваренок

Информация о статьеПолный текст (PDF)

279-283

ИЗБРАННЫЕ МАТЕРИАЛЫ КОНФЕРЕНЦИИ “ПРОБЛЕМЫ РАЗРАБОТКИ ПЕРСПЕКТИВНЫХ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ” ПРОЕКТИРОВАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

Синтез схемы функционального контроля на основе спектрального R-кода с разбиением выходов на группы
А. Л. Стемпковский, Д. В. Тельпухов, Т. Д. Жукова, А. И. Деменева, В. В. Надоленко, С. И. Гуров

Информация о статьеПолный текст (PDF)

284-294

Механизмы возникновения нестабильных тиристорных эффектов в КМОП ИС
А. И. Чумаков, Д. В. Бобровский, А. А. Печенкин, Д. В. Савченков, Г. С. Сорокоумов, И. И. Швецов-Шиловский

Информация о статьеПолный текст (PDF)

295-299

Мемристорный генератор последовательности импульсов
В. В. Ракитин, С. Г. Русаков

Информация о статьеПолный текст (PDF)

300-307

ПРИБОРЫ

Микропотребляющие усилители мощности на нитриде галлия для диапазона частот 8–12 ГГц
С. А. Гамкрелидзе, Д. Л. Гнатюк, А. В. Зуев, М. В. Майтама, П. П. Мальцев, А. О. Михалев, Ю. В. Федоров

Информация о статьеПолный текст (PDF)

308-314

Межприборные радиационно-индуцированные утечки в объемной КМОП технологии 180 нм
А. Б. Боруздина, Ю. М. Герасимов, Н. Г. Григорьев, А. В. Кобыляцкий, А. В. Уланова, И. И. Швецов-Шиловский

Информация о статьеПолный текст (PDF)

315-320

Информация о выпуске

Микроэлектроника