Микроэлектроника

Содержание

Том 48, Номер 1, 2019

 

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ
Атомно-слоевoе осаждение Y2O3 с использованием трис(бутилциклопентадиенил)иттрия и воды
А. И. Абдулагатов, Р. Р. Амашаев, Кр. Н. Ашурбекова, Ш. М. Рамазанов, Д. К. Палчаев, А. М. Максумова, М. Х. Рабаданов, И. М. Абдулагатов
3-15
Маскирующие свойства структур на основе триакриламидного производного полифторхалкона при жидкостном и реактивном ионном травлении
С. В. Деревяшкин, Е. А. Соболева, В. В. Шелковников, А. И. Малышев, В. П. Корольков
16-30
Травление карбида кремния в индуктивно-связанной плазме при малой мощности
А. А. Осипов, С. Е. Александров, Ю. В. Соловьев, А. А. Уваров, А. А. Осипов
31-37
Травление GaAs в плазме смеси фреона R-12 с аргоном (CCl2F2/Ar)
Д. Б. Мурин, А. В. Дунаев
38-46
ПРИБОРЫ
Влияние дефектов с глубокими уровнями на С-V-характеристики мощных AlGaN/GaN/SiC НЕМТ
К. Л. Енишерлова, Ю. В. Колковский, Е. А. Боброва, Э. М. Темпер, С. А. Капилин
47-55
ДИАГНОСТИКА
Идентификация и механизмы возбуждения линий и полос борсодержащих компонент в оптическом эмиссионном спектре низкотемпературной BF3/Ar-плазмы
В. П. Кудря
56-62
МАТЕРИАЛЫ
Магнитооптический отклик массивов металлизированных наноструктур со сложным рельефом на поверхности кремниевых пластин
В. А. Папорков, А. В. Проказников
63-79

Информация о выпуске

  • Всего статей
    7
  • Страницы
    3-79

Микроэлектроника