Химия высоких энергий, 2020, T. 54, № 6, стр. 462-468

Динамика релаксации возбужденных состояний в квантовых точках ZnCdS-ядро/ZnS-оболочка допированных ионами Mn2+ в пропиленкарбонате

А. Н. Костров a, Ф. Е. Гостев a, И. В. Шелаев a, А. В. Айбуш a, Ю. А. Кабачий b, С. Ю. Кочиев b, О. Ю. Антонова b, П. М. Валецкий b, В. А. Надточенко a*

a Федеральный исследовательский центр химической физики им. Н.Н. Семенова РАН
119991 Москва, ул. Косыгина, 4, Россия

b ФГБУН институт элементоорганических соединений им. А.Н. Несмеянова РАН
119334 Москва, ул. Вавилова, 28, Россия

* E-mail: nadtochenko@gmail.com

Поступила в редакцию 07.07.2020
После доработки 07.07.2020
Принята к публикации 08.07.2020

Полный текст (PDF)

Аннотация

Показано, что квантовых точках (КТ) Mn@Zn0.49Cd0.51S/ZnS в пропиленкарбонате люминесценция определяется одной полосой Mn2+(4T16A1) с квантовым выходом ~24%. Уровень Mn2+(4T1) возбуждается через поглощение света в экситонных полосах поглощения Zn0.49Cd0.51S/ZnS. Фемтосекундная динамика дифференциальных спектров КТ Mn@Zn0.49Cd0.51S/ZnS показала быструю релаксацию экситона в субпикосекундном-пикосекундном временном диапазоне. В дифференциальных спектрах поглощения на времени задержки субпикосекундного диапазона в области перехода Mn2+(4T16A1) обнаружена полоса стимулированной люминесценции. Предложен качественный гипотетический механизм безизлучательного переноса энергии с уровня экситона на Mn2+(4T1) с участием Оже перехода в состояниях ловушек. Это предположение решает вопрос об избытке энергии 0.98 эВ при переносе с экситона на 3d5 уровни марганца и вопрос о сохранении общего спина системы.

Ключевые слова: квантовые точки, фемтосекундная спектроскопия, перенос энергии

Полупроводниковые нанокристаллы, или квантовые точки (КТ), из халькогенидов Zn и Cd, легированные ионами переходных металлов, такими как Mn2+, привлекают значительное внимание для применений в области фотоники, оптоэлектроники, в качестве биомедицинских датчиков [13]. Сплавы КТ ZnxCd1 – xS являются перспективными материалами для применения в светоизлучающих устройствах и в качестве активной среды лазеров коротковолновой части спектра видимого диапазона [4, 5]. Как было показано ранее на примере КТ из халькогенидов Zn и Cd, Mn2+ встроенный в кристаллическую решетку КТ может тушить люминесценцию экситона и выступать основным излучающим состоянием в КТ [6]. КТ из сплава ZnxCd1 – xS более легко легируются ионами Mn2+ по сравнению с КТ из одного металла. Целью данной работы является исследование фотофизических свойств коллоида КТ Mn@ZnCdS/ZnS в апротонном полярном растворителе – пропиленкарбонате. В данной работе изучается динамика экситонны состояний в КТ Mn@ZnCdS/ZnS, определяется квантовый выход люминесценции, исследуется вопрос о возможных механизмах переноса энергии между электронными состояниями ядра и 3d5 уровнями Mn2+ в КТ Mn@ZnCdS/ZnS.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

Материалы. Использованы дигидрат ацетата цинка (Zn (OAc) 2 ⋅ 2H2O, 98%), циклогексан (99 +%, для спектроскопии), 1-октадецен (ODE, 90%, техн.), гидроксид тетраметиламмония (TMAH, 25 мас. % в метаноле)), хлорид марганца (II) (MnCl2, безводный, 99%), CdO (99.5%), олеиновая кислота (HОl, 90%, техн.), олеиламин (OlAm, содержание С18 80–90%) дигидрат ацетата кадмия (Cd (OAc) 2 ⋅ 2H2O, 98%), стеариновая кислота (HSt, 95%) компании Merck без дополнительной очистки. Сера (сорта реагента, 100 меш) и магниевые стружки (Mg, 99%) были приобретены у Sigma-Aldrich и использовались без дальнейшей очистки. Стеарат марганца (MnSt2) был синтезирован из MnCl2, TMAH и HSt в безводном MeOH.

Синтез. КТ Mn@ZnCdS/ZnS осуществляли в две стадии. Смесь предшественников Zn и Cd готовили по следующей типичной методике. Смесь Cd (OAc) 2 ⋅ 2H2O (102.9 мг, 0.358 ммоль), Zn (OAc) 2 ⋅ 2H2O (72.4 мг, 0.358 ммоль), 0.523 мл HO1 (455 мг, 1.65 ммоль) и 1 мл ODE в 25-мл пробирку Шленка перемешивали при 130°С в течение 30 мин в потоке аргона, вакуумировали в течение 20 мин, затем охлаждали и смешивали с 7.5 мл ODE. Затем синтезировали КТ ZnCdS допированные Mn2+ в атмосфере аргона в трехгорлой круглодонной колбе объемом 100 мл, снабженной магнитной мешалкой, обратным холодильником и резиновой пробкой с термопарой и нагревательной оболочкой, соединенной с термостатом. Затем вводили раствор серы и первый прекурсор ZnOl2, нагретый до 100°С. Реакционную смесь выдерживали при этой температуре в течение 10 мин и, наконец, охлаждали до температуры окружающей среды. Смесь разбавляли ацетоном в соотношении 1 : 2. Осадок отделяли, повторно диспергировали в гексане и осаждали, вводя ацетон в соотношении 1 : 3. Процедуру повторного диспергирования−осаждения−разделения повторяли три раза. Конечный осадок диспергировали в 10 мл циклогексана. Недиспергируемый остаток отделяли центрифугированием при 8000 об/мин (~20 000 г) в течение 5 мин. КТ Mn@ZnCdS/ZnS получали в виде дисперсии в циклогексане. Окончательно КТ Mn@ZnCdS/ZnS растворяли в пропиленкарбонате.

Спектры поглощения и люминесценции. Спектр поглощения КТ Mn@ZnCdS/ZnS был измерен на спектрометре “Shimadzu 3600”. Спектры люминесценции получены на флуориметре “Shimadzu RF-5301PC”.

Оценка квантового выхода КТ Mn@ZnCdS/ZnS. Квантовый выход определяли относительно люминесценции стандартных растворов кумарина 6, родамина 6Ж и карбостирила при возбуждении в одинаковых условиях с возбуждением КТ Mn@ZnCdS/ZnS.

Рентгеновская дифрактометрия. Рентгенограммы КТ Mn@ZnCdS/ZnS получены для порошков на дифрактометре D8 Advance Vario (Bruker AXS), оборудованном монохроматором Ge (111) и позиционно-чувствительным детектором LynxEye, в геометрии пропускания 0–2θ с использованием излучения Сu-Kα1 и углового диапазона. 10–90° с шагом 0.01°. Образцы были нанесены на пленку Kapton (DuPont). Дифракционные картины были обработаны с использованием пакета программ TOPAS 5. Размеры КТ Mn@ZnCdS/ZnS определялись по уширению лоренцевой компоненты пиков.

Просвечивающая электронная микроскопия. Изображения КТ Mn@ZnCdS/ZnS получены с использованием микроскопа LEO 912 AB OMEGA (Karl Zeiss) с ускоряющим напряжением 100 кВ. Для оценки размера частиц использована программа ImageJ. Размер определяли по выборке не менее 300 частиц.

Элементный анализ КТ Mn@ZnCdS/ZnS проведен на атомно-абсорбционный спектрометре с пламенным распылением КВАНТ-2АТ.

Фемтосекундная лазерная спектроскопия. Дифференциальные спектры КТ Mn@ZnCdS/ZnS на разных временах задержки измерены методом возбуждение-зондирование. Импульс накачки имел несущую длину волны 360 нм, длительность 25 фс, энергию 750 нДж. Диаметр перетяжки импульса накачки составлял 180 мкм. Пробным импульсом служил импульс белого суперконтинуума. Подробная схема установки и методика первичной обработки данных для коррекции чирпа белого суперконтинуума описаны нами ранее. Опыты выполнены в проточной кювете толщиной 500 мкм при температуре 20°С.

РЕЗУЛЬТАТЫ

Структурные характеристики и состав Mn@ZnCdS/ZnS. Результаты измерений методами элементного анализа, просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской порошковой дифрактометрии показали: 1) состав КТ Mn@ZnCdS/ZnS можно представить как Zn0.89Cd0.11, при этом мольное отношение Zn и Cd в ядре равно Zn0.49Cd0.51; 2) мольное отношение Mn/Cd равно 0.006; 3) диаметр ядра составляет 4.4 ± 1.2 нм и диаметр КТ ядро/оболочка 6.7 ± 1.2 нм; 3) среднее число атомов Mn в КТ Mn@ZnCdS/ZnS равно 10.7. Рентгенограммы КТ Mn@ZnCdS/ZnS содержат уширенные рефлексы в соответствии с наноразмерной природой исследуемых объектов. Основываясь на структурных характеристиках, выявленных с помощью рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии, толщина оболочки ZnS была оценена примерно как 2 монослоя для КТ Mn@ZnCdS/ZnS .

Спектры поглощения и люминесценции. Рисунок 1а показывает спектр поглощения КТ Mn@ZnCdS/ZnS в пропиленкарбонате. Представление спектра поглощения в форме второй производной позволяет определить положение экситонных переходов: 1Se−1S3/2 (403 нм), 1Se−2S3/2 (384 нм), 1Pe−1P3/2 (362 нм). Рисунок 1б демонстрирует спектр люминесценции КТ Mn@ZnCdS/ZnS. В спектре люминесценции наблюдается интенсивная полоса около 590 нм связанная с переходом Mn2+(4T16A1). Спектр в форме второй производной позволяет выявить несколько пиков в полосе Mn2+(4T16A1), что, по-видимому, связано с локализацией Mn в аксиальных, гексагональных и кубических сайтах нарушения кристаллической решетки КТ. Также наблюдается слабая широкая полоса в районе 440–500 нм, которая, по-видимому, относится к люминесценции ловушек. Отметим, что ожидаемая полоса люминесценции экситонного перехода, характерная для недопированных КТ ZnCdS/ZnS вблизи 410 нм, в КТ Mn@ZnCdS/ZnS не регистрируется в силу крайне низкой интенсивности. Квантовый выход Mn2+(4T16A1) в КТ Mn@ZnCdS/ZnS в пропиленкарбонате близок к 24%. Рисунок 1а показывает спектр возбуждения полосы Mn2+(4T16A1). Край этого спектра практически совпадает с полосой собственного поглощения КТ Mn@ZnCdS/ZnS. Этот факт означает, что возбуждение Mn2+(4T1 → → 6A1) происходит благодаря экситонному поглощению в КТ Mn@ZnCdS/ZnS с последующим безызлучательным переносом энергии возбуждения на уровень Mn2+(4T1).

Рис. 1.

(а) Спектр поглощения (1, левая у-ось), спектр возбуждения люминесценции полосы 600 нм (2, левая у-ось), спектр поглощения в представлении второй производной (3, правая у-ось). (б) Спектр люминесценции Mn@ZnCdS/ZnS при возбуждении 360 нм (1, левая у-ось), спектр люминесценции в представлении второй производной (2, правая у-ось).

Дифференциальные спектры. Отнесение полос в дифференциальных спектрах. Длина волны импульса возбуждения 360 нм соответствует переходу 1Pe−1P3/2 (362 нм). Рисунок 2а показывает спектры на коротких временах задержки в диапазоне от ~100 фс до 1.5 пс. Рисунок 2б демонстрирует спектры на больших временах задержки до 450 пс. Дифференциальные спектры включают три основные компоненты. 1) Полоса выцветания BL (bleaching), имеющая отрицательный знак в дифференциальном спектре ΔA < 0, обусловлена обеднением заселенности основного состояния экситона. В случае КТ, полосу BL вблизи края собственного поглощения связывают с заселенностью 1Se электронного уровня и обеднением заселенности состояния дырок 1S3/2. Также полоса BL в дифференциальном спектре может быть обусловлена штарковским сдвигом характерным для экситон-экситонного взаимодействия либо для сдвига индуцированного зарядом в КТ. В спектрах на рис. 2 полоса BL обозначена B1. Полоса B1 на длине волны 401 нм практически совпала с положением экситонного перехода 1Se−1S3/2 (403 нм). 2) Полосы с положительным знаком ΔA > 0 в дифференциальных спектрах обусловлены переходами из возбужденного состояния в более высоколежащие состояния ESA (excited state absorption). В КТ могут возникать и полосы ΔA > 0 связанные с штарковским сдвигом характерным либо для экситон-экситонного взаимодействия либо для сдвига индуцированного зарядом в КТ. Такая полоса обозначена как А1. 3) Электронно-возбужденные состояния могут проявляться в дифференциальных спектрах как полосы с отрицательным знаком в дифференциальных спектрах ΔA < 0 в силу переходов вынужденного излучения SE (stimulated emission). На рис. 2а отмечена область ROI 1 (region of interest), с красного края перехода 1Se-1S3/2 (403 нм), но вне собственного поглощения КТ с характерным знаком сигнала ΔA < 0. Эту короткоживущую полосу, по-видимому, можно отнести к SE стимулированному излучению нижнего экситона в КТ. Короткое время жизни этого состояния (порядка пары сотен фемтосекунд) является причиной низкого квантового выхода люминесценции нижнего экситона. В диапазоне приблизительно 450–700 нм наблюдается широкая полоса поглощения, которую можно связать с ESA поглощением ловушечных состояний. На рис. 2 отмечена область спектра ROI 2, в которую попадает полоса Mn2+(4T16A1). Особенности этой части спектра будут обсуждаться ниже.

Рис. 2.

Дифференциальные спектры поглощения Mn@ZnCdS/ZnS при возбуждении фс импульсом 360 нм. Спектры для времени задержки: (а) 1, 120 фс; 2, 130 фс; 3, 140 фс; 4, 200 фс; 5, 250 фс; 6, 400 фс; 7, 500 фс; 8, 750 фс; 9, 900 фс; 10, 1, 1.2 пс; 11, 1.5 пс. (б) 1, 120 фс; 2, 3 пс; 3, 30 пс; 4, 450 пс.

Кинетические кривые дифференциального поглощения ΔA(λ,t). Кинетические кривые дифференциального поглощения на длине волны полосы BL и полосы ESA показывают (рис. 3), что на субпикосекундной-пикосекундной шкале времени полоса B1 затухает приблизительно на 75%, что свидетельствует о быстрой релаксации фундаментального экситонна в КТ Mn@ZnCdS/ZnS. Этот же рисунок показывает, что в этой же временной шкале происходит рост ESA поглощения относящегося к поглощению ловушечных состояний. Анализ кинетических кривых полученных с использованием SVD разложения позволил выявить характерные временные константы в кинетических кривых релаксации дифференциальных спектров: 1) ~50 фс время роста интенсивности B1 полосы из-за релаксации 1Pe-1P3/2 экситона в нижнее состояние 1Se-1S3/2; 2) релаксация дифференциальных спектров с временными константами 3.9 ± 0.3 пс–1 (38%), 1.03 ± 0.04 пс–1 (37%), 0.086 ± ± 0.06 пс–1 (14%). Динамика мультиэкспоненциальной релаксации может быть обусловлена неоднородностью КТ по размерам, форме, структуре и морфологией поверхности. Также динамика мультиэкспоненциальной релаксации может быть обусловлена заселением разных возбужденных состояний, которые различаются по скорости излучательных и безызлучательных переходов. Мультиэкспоненциальная релаксации возбужденных состояний в квантовых точках типична для различных КТ, в том числе и для Mn@ZnCdS/ZnS [2].

Рис. 3.

Кинетические кривые дифференциального поглощения на длине волны: 1 – 405, 2 – 450 нм.

Возбуждение Mn2+(4T1). Характерной особенностью КТ Mn@ZnCdS/ZnS является высокая скорость релаксационных процессов. Во-первых, релаксация 1Pe−1P3/2 экситона в нижнее экситонное состояние 1Se−1S3/2 происходит с характерным временем ~50 фс, что существенно быстрее чем происходит аналогичный переход в КТ CdSe, где характерное время перехода составляет ~250 фс [7, 8]. Во-вторых, происходит быстрая релаксация полосы выцветания B1. Высокая скорость релаксации этой полосы выцветания свидетельствувет о высокой скорости релаксации экситона в субпикосекундной-пикосекундной шкале времени. Как отмечено выше, из спектров возбуждения люминсценции Mn2+(4T16A1) (рис. 1а) следует, что процесс возбуждения марганца происходит через безызлучательный перенос энергии от экситона на 4T1 уровень марганца. Из анализа спектров стационарной люминесценции возможно предположить, что либо перенос энергии от экситона на Mn2+ происходит в субпикосекундной-пикосекундной шкале времени, либо возбуждение 4T1 уровня марганца происходит через промежуточные возбуждения электронных состояний ловушек. При этом следует принять во внимание, что квантовый выход люминесценции Mn2+(4T16A1) является высоким 24%, а время жизни экситона низкое. Чтобы дать ответ на вопрос о динамике переноса энергии на 4T1 уровень марганца были проанализированы дифференциальные спектры области ROI 2 (рис. 2). На рис. 4 эти спектры для нескольких временных задержек показаны в растянутом масштабе. На фоне положительного сигнала ESA ΔA > 0 наблюдается полоса с отрицательным знаком ΔA < 0, которая по положению и ширине соответствует полосе люминесценции Mn2+(4T16A1). Это наблюдение позволяет предположить, что в дифференциальных спектрах проявляется SE переход возбужденного марганца и он наблюдается в субпикосекундной временной шкале времени. Быстрый безызлучательный перенос энергии от экситона ZnCdS/ZnS на марганец является нетривиальным эффектом, так как перенос энергии предполагает переворот спина при возбуждении Mn2+(4T16A1) и при этом избыток энергии при переносе равен 0.98 эВ, так как энергия экситона составляет 3.08 эВ (403 нм) тогда как энергия перехода в марганце 2.10 эВ (590 нм). Энергия продольного оптического фонона существенно ниже этого избытка, например, $\hbar $ωLO = 350 см–1 (43.4 мэВ) для сплава Mn Zn. Сверхбыстрое возбуждение Mn2+ (3d5) с компенсацией избытка энергии за счет излучения каскада однофононных переходов или осуществление многофононного перехода представляется маловероятным. Быстрое возбуждение ионов Mn2+ подразумевает не только сохранение энергии, но и соблюдение вигнеровского правила сохранения спина при переносе энергии. Если предположить, что быстрое возбуждение Mn2+ сопровождается дополнительным электронным Оже переходом или переходами, то в этом случае возможно сохранение спина в системе и компенсируется избыток энергии 0.98 эВ. Таким дополнительным электронным переходом мог бы быть переход с участием состояний ловушек. Существенные обменные взаимодействие, как было показано теоретически [9], между экситонными состояниями и локализованными состояниями ловушек может быть благоприятным фактором способствующим Оже переходам в КТ с участием переходов в ловушках.

Рис. 4.

Спектр люминесценции Mn@ZnCdS/ZnS (1) и фрагменты дифференциального спектра в области ROI 2 на времени задержки 500 фс (2), 80 пс (3) и 450 пс (4).

ВЫВОДЫ

Край полосы экситонного поглощения синтезированных КТ Mn@ZnCdS/ZnS в пропиленкарбонате находится на длине волны 403 нм. В спектре люминесценции наблюдается полоса Mn2+(4T1 → → 6A1) с длиной волны около 590 нм. Показано, что люминесценция Mn2+(4T16A1) возбуждается через поглощение света в экситонных полосах поглощения ZnCdS/ZnS. Квантовый выход люминесценции Mn2+(4T16A1) близок к 24%. Экситонный пик люминесценции отсутствует. Фемтосекундная динамика дифференциальных спектров КТ Mn@ZnCdS/ZnS показала быструю релаксацию экситона в субпикосекундном-пикосекундном временном диапазоне. В дифференциальных спектрах поглощения на времени задержки субпикосекундного диапазона в области перехода Mn2+(4T16A1) обнаружена полоса стимулированной люминесценции.

Предложен качественный гипотетический механизм безизлучательного переноса энергии с уровня экситона на Mn2+(4T1) с участием Оже перехода в состояниях ловушек. Это предположение решает вопрос об избытке энергии 0.98 эВ при переносе с экситона на 3d5 уровни марганца и вопрос о сохранении общего спина системы.

Список литературы

  1. Chen H.Y., Chen T.Y., Son D.H. // J. Phys. Chem. C. 2010. V. 114. P. 4418.

  2. Nadtochenko V., Kostrov A., Titov A., Aybush A., Gostev F., Shelaev I., Shepel D., Antonova O., Kochev S., Kabachii Y. // Chemical Physics Letters. 2020. V. 743. P. 137160.

  3. Brichkin S.B., Razumov V.F. // Russian Chemical Reviews. 2016. V. 85. P. 1297.

  4. Nadtochenko V., Kostrov A., Titov A., Aybush A., Gostev F., Shelaev I., Shepel D., Antonova O., Kochev S., Kabachii Y., Valetsky P. // Applied Physics A. 2020. V. 126. P. 1.

  5. Zhong X., Feng Y., Knoll W., Han M. // J. Am. Chem. Soc. 2003. V. 125. P. 13559.

  6. Bhargava R.N., Gallagher D., Hong X., Nurmikko A. // Phys. Rev. Lett. 1994. V. 72. P. 416.

  7. Nadtochenko V., Denisov N., Aybush A., Gostev F., Shelaev I., Titov A., Umanskiy S., Cherepanov D. // Nanomaterials. 2017. V. 7. P. 371.

  8. Cherepanov D.A., Gostev F.E., Shelaev I.V., Denisov N.N., Nadtochenko V.A. // Nanoscale. 2018. V. 10. P. 22409.

  9. Peng B., Liang W., White M.A., Gamelin D.R, Li X. // J. Phys. Chem. C. 2012. V. 116. P. 11223.

Дополнительные материалы отсутствуют.