Химия высоких энергий, 2019, T. 53, № 2, стр. 155-160

Создание кремниевых наноструктур в электродуговом разряде

Б. А. Тимеркаев a*, Б. Р. Шакиров a, Д. Б. Тимеркаева a

a Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева – КАИ
420111 Казань, ул. Карла Маркса, 10, кафедра общей физики, Россия

* E-mail: btimerkaev@gmail.com

Поступила в редакцию 03.09.2018
После доработки 26.10.2018
Принята к публикации 24.10.2018

Полный текст (PDF)

Аннотация

В работе представлены способы выращивания кремниевых нанотрубок с помощью электрического разряда с разными значениями напряженности электрического поля в межэлектродном промежутке. Показано, что на формы выращенных наноматериалов оказывает существенное влияние как окружающая газовая среда, так и значение напряженности электрического поля в межэлектродном промежутке. Получены кремниевые наноструктуры довольно сложной, в то же время определенно закономерной, конфигурации, которые смогут найти в дальнейшем широкое применение в электронике, фотовольтаике, в батареях и даже как конструкционный элемент в композиционных материалах.

Ключевые слова: нанотрубки, электрический разряд, плазмохимия, кремниевые наноструктуры, кремниевые нанотрубки

Кремниевые наноматериалы, такие как наночастицы, нанопроволоки, нанотрубки, из-за широких возможностей их применения в электронике, фотовольтаике, в батареях, привлекают не меньше внимания, чем углеродные наноматериалы [19]. Поэтому очень важно создать надежные условия их выращивания, причем разных форм, и достичь понимания поведения отдельных атомов кремния в процессе выращивания наноматериалов, зависимости свойств таких материалов от их размеров.

Существует множество способов создания кремниевых наноструктур. Наиболее распространенными из них являются химическое газофазное осаждение [1], жидкофазная эпитаксия, золь-гель метод, метод магнетронного распыления [2, 3], вакуумное дуговое осаждение [4], импульсное лазерное осаждение, молекулярно-лучевая эпитаксия [5], ионно-пучковое осаждение. В работе [6] сообщается о способе выращивания кремниевых нанотрубок в реакторе с использованием электрической дуги без использования какого-либо катализатора. Для обеспечения чистоты, реактор вакуумируется и заполняется аргоном. Фактическое образование нанотрубок зависит от процесса осаждения химических паров. Каждый из этих методов имеет свои преимущества и недостатки, которые в определенной степени отражены в монографии [7]. В работе [8] приведено описание основных методов синтеза, а так же методы моделирования атомной структуры кремниевых и германиевых нанотрубок.

В данной работе предлагается метод создания кремниевых наноструктур в электродуговой плазме. Здесь речь идет не о вакуумно-дуговом способе нанесения покрытий, при котором происходит испарение материала катода и его конденсация на подложке, а о классическом способе испарения материала анода и его сборке на катоде.

Несмотря на достигнутые в последние годы успехи в создании кремниевых нанотрубок, нанонитей и нанопокрытий, до сих пор в литературе отсутствуют достоверные сведения о выращивании кремниевых наноструктур за счет электродугового испарения кремния. Исследования в этом направлении наталкиваются на принципиальные трудности, связанные с особенностями кристаллического кремния. Например, организация дугового разряда на поликристаллическом кремнии из-за большой концентрации мощности на катоде приводит к растрескиванию и разрушению кремниевого катода [9]. Как следует из результатов этой работы, поликристаллический катод просуществовал не более 30 с. А это как раз то время, которое необходимо для прогрева катода. В работе [4] после работы более 2 мин наблюдалось оплавление рабочей поверхности и разрушение части катода. Проблему оплавления удалось решить путем организации вращения катодного пятна по поверхности катода с применением арочного магнитного поля переменной конфигурации. В то же время дуговое испарение кремния считается одним из наиболее перспективных методов создания концентрированных потоков атомов. Так же определенные перспективы имеет дуговое осаждение кремниевых покрытий, так как энергоемкость процессов при этом не превышает 50 эВ/атом. Тем более дуговое осаждение позволяет обеспечить высокие характеристики покрытия и гибко манипулировать параметрами покрытия.

Экспериментальная установка по созданию кремниевых наночастиц в дуговом разряде состояла из вакуумной камеры, системы газоснабжения, источников электрического питания, водоснабжения, а так же измерительных приборов.

Водоохлаждаемая вакуумная камера имела цилиндрическую форму диаметром 400 мм с круглыми двухслойными дверьми. С верхней и нижней стороны камеры имеются резьбовые регуляторы межэлектродного расстояния, которые могут перемещать или нижний, или верхний электрод.

На стенках вакуумной камеры так же имеются токовводы, которые изготовлены из материала, имеющего малый коэффициент термического расширения. Токовводы обеспечивают подачу в камеру высокого напряжения. Для визуального контроля, дверцы камеры снабжены смотровыми окошками. На боковых стенках камеры размещены патрубки для напуска и откачки газов.

ПОЛУЧЕНИЕ КРЕМНИЕВЫХ НАНОСТРУКТУР С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОДУГОВОГО ИСТОЧНИКА ПОСТОЯННОГО ТОКА

Перед экспериментом вакуумная камера откачивалась вакуумным насосом и заполнялась инертным газом до давления 500 Тор. В качестве катода служил вольфрамовый стержень с диаметром 12 мм, в качестве анода – кремний. Эксперимент проводился в два этапа. На первом этапе с помощью дополнительного источника с напряжением 80 В и током 1 А, подключенного с целью ограничения тока через балластное сопротивление, разогревали кремний в течение ~5 мин (без этой процедуры высокое электросопротивление кремния не позволяет пропускать через себя дуговой ток даже при обеспечении прямого контакта между катодом и анодом). После этого электроды быстро переключали на дуговой источник тока и с помощью регуляторов межэлектродного расстояния разрывали контакт до образования устойчивого дугового разряда. Для обеспечения возможности длительной работы и предотвращения капельной формы переноса кремния на поверхность вольфрама электродуговой источник питания тоже подключали через балластное сопротивление, которое ограничивал ток. Балластное сопротивление позволяло регулировать ток с шагом в 5 А. Во время экспериментов ток дуги поддерживался в пределах 15–25 А.

ПОЛУЧЕНИЕ КРЕМНИЕВЫХ НАНОСТРУКТУР С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОДУГОВОГО ГЕНЕРАТОРА ПЕРЕМЕННОГО ТОКА

Генератор рассчитан на работу при давлении не менее 400 Тор и имеет две цепи: цепь питания дуги переменным током низкого напряжения (220 В) и цепь поджига дуги высокочастотным искровым разрядом высокого напряжения малой мощности (цепь активизатора). В дуговом режиме начало процесса горения дуги и последующее его поддержание в каждом полупериоде питающего напряжения обеспечивается высоким напряжением (40 кВ) повышенной частоты, подводимым от активизатора (искрового генератора малой мощности). Активизированная высокочастотным током дуга поддерживается достаточно устойчиво. В ходе эксперимента ток разряда поддерживали в пределах 2.5–3 А.

Для повышения температуры электродов, перед подключением электродугового генератора переменного тока мы заменили источник питания на высоковольтный слаботочный и поддерживали тлеющий разряд напряжением 400 В и силой тока 0.05 А в течение 2 мин. Затем быстро переключали источник питания на электродуговой генератор переменного тока с силой тока ~3 А и напряжением порядка 220 В. В таком варианте дуговой разряд зажегся и началось напыление кремния на вольфрамовую подложку.

Наросты на поверхности катода в дальнейшем были тщательно изучены на сканирующем электронном микроскопе.

ПОЛУЧЕНИЕ КРЕМНИЕВЫХ НАНОСТРУКТУР С ПРИМЕНЕНИЕМ ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ С БАЛЛАСТНЫМ РЕОСТАТОМ

Образование кремниевых наноструктур существенно зависит от способа организации электрического разряда. Главная проблема при проведении экспериментов заключается в создании оптимальных условий для роста тех или иных наноструктур. В данном случае мы использовали вакуумную установку, которую применяли в первом опыте, но с другим источником питания. Вакуумная установка, так же как и в первом случае, была заполнена аргоном до давления 500 Торр. На электроды подавали напряжение порядка 80 В. При этом в цепь разряда подключили балластное сопротивление, для обеспечения устойчивости разряда. После этого на короткое время замкнули контакты и разомкнули. При этом разряд горел с током порядка 8 А и происходил рост отложений на катоде. Эти отложения были тщательно изучены на сканирующем электронном микроскопе.

АНАЛИЗ ПОЛУЧЕННЫХ РЕЗУЛЬТАТОВ

На рис. 1–3 приведены электронно-микроскопические снимки кремниевых наноструктур, образованных на вольфрамовом катоде в ходе экспериментов с помощью электродугового генератора. Из рисунков видно, что в отложениях содержится большое количество кремниевых наноструктур различной длины и структуры. Кремниевые нанотрубки имеют вид конуса с закрытым торцом. Рост же нанотрубок начинается с другой материнской конической поверхности большего диаметра. Диаметры нанотрубок колеблются в пределах 20–50 нм и по этому параметру они очень похожи на углеродные нанотрубки. Представленные картинки не позволяют однозначно говорить о толщине стенок кремниевых нанотрубок. Тем не менее, по их круглому поперечному сечению можно предположить, что они внутри полые, возможно, многослойные. Характер расположения нанотрубок на материнском теле имеет определенные закономерности. Они похожи на сосновый ствол с сучками. При этом эти “сучки” строго вертикальны к “стволу” и расположены так же строго линейно вдоль линии “ствола”. Количество направлений роста нанотрубок от ствола равняется шести и, скорее всего, оно связано c гексагональной симметрией в наноструктурах элементов четвертой группы таблицы Менделеева. Длины же нанотрубок колеблются в пределах 0.5–0.7 мкм. Ценность полученных результатов заключается в том, что кремниевые нанотрубки представляют собой некоторый ансамбль (совокупность) соединенных друг с другом нанообъектов. Поэтому такие структуры непосредственно можно использовать в качестве анодов литий-ионных элементов, так как площадь поверхности анода из подобных нанокремниевых материалов возрастает на порядки. В то же время прочность этих нанотрубок не вызывает сомнений. Это подтверждается приведенными снимками. Несмотря на то, что перед проведением электронно-микроскопических исследований они были подвержены механическим воздействиям, в них не обнаружено ни одной сломанной нанотрубки.

Рис. 1.

Электронно-микроскопический снимок кремниевых нанообъектов в увеличении 3000×. (Электродуговой источник постоянного тока. Напряжение разряда 20–25 В, ток дуги 15–25 А, инертный газ аргон при давлении 500 Тор. Дополнительный источник для подогрева кремния обеспечивало напряжение 80 В и ток 1 А в течение 5 мин перед экспериментом.)

Рис. 2.

Электронно-микроскопический снимок кремниевых нанообъектов в увеличении 80000×. (Электродуговой источник постоянного тока. Напряжение разряда 20–25 В, ток дуги 15–25 А, инертный газ аргон при давлении 500 Тор. Дополнительный источник для подогрева кремния обеспечивало напряжение 80 В и ток 1 А в течение 5 мин перед экспериментом.)

Рис. 3.

Электронно-микроскопический снимок кремниевых нанообъектов в увеличении 25 000×. (Электродуговой источник постоянного тока. Напряжение разряда 20–25 В, ток дуги 15–25 А, инертный газ аргон при давлении 500 Тор. Дополнительный источник для подогрева кремния обеспечивало напряжение 80 В и ток 1 А в течение 5 мин перед экспериментом.)

На рис. 4 представлен образец, полученный с применением высоковольтного источника питания с балластным реостатом. Кремниевые наноструктуры в данном случае имеют совершенно другой вид. Как видно из рис. 4, большое количество образований в виде вьющихся цилиндров диаметрами от 30 до 40 нм тесно переплетаются между собой. Обращает на себя внимание то факт, что в поле зрения попали кремниевые наноструктуры только одного вида – вида изогнутых цилиндров.

Рис. 4.

Электронно-микроскопический снимок в увеличении 65000×. (Источник тока – электродуговой генератор переменного тока. Предварительный подогрев электродов производился с помощью тлеющего разряда напряжением 400 В и силой тока 0.05 А в течение 2 мин.)

Наросты, образованные на поверхности вольфрамового катода, в дальнейшем были тщательно изучены на сканирующем электронном микроскопе.

При давлениях порядка 600 Тор образовываются структуры, имеющие вид цилиндров, диаметры которых лежат в пределах от 15 до 20 нм. Эти нанотрубки так же переплетаются между собой и вьются по всей длине. Длины таких нанотрубок достигают до 1 мкм.

В высоковольтном электродуговом разряде удалось вырастить кремниевые наноструктуры нецилиндрическим поперечным сечением (рис. 5), которые сильно отличаются от всех предыдущих форм кремниевых наноматериалов.

Рис. 5.

Электронно-микроскопический снимок в увеличении 13 000×. Высоковольтная электрическая дуга. Напряжение 80 В, ток 8 А, давление аргона 500 Тор.

В экспериментах в воздухе на поверхности вольфрамового электрода появляются сферические образования, представляющие собой кварцевые шарики диаметрами 60–80 нм, выращенных в разряде в атмосферном воздухе.

Область применения кремниевых нанотрубок и нанонитей может быть распространена на литий-ионные батареи, где графитовый анод успешно может быть заменен на материал из кремниевых нанотрубок, светоизлучение [10], а так же нанотранзиcторы и нанодиоды. Основные свойства и области применения нанотубулярных форм кремния и германия так же рассмотрены в [8].

Таким образом, в работе представлены способы выращивания кремниевых нанотрубок с помощью электрического разряда с разными значениями напряженности электрического поля в межэлектродном промежутке. Показано, что на формы выращенных наноматериалов оказывает существенное влияние как окружающая газовая среда, так и значение напряженности электрического поля в межэлектродном промежутке. Получены кремниевые наноструктуры довольно сложной, в то же время определенно закономерной конфигурации, которые смогут найти в дальнейшем широкое применение в электронике, фотовольтаике, в батареях и даже как конструкционный элемент в композиционных материалах.

Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ и РТ в рамках научного проекта № 18-43-160005 р_а и проекта 3.6564.2017/БЧ.

Список литературы

  1. De Crescenzi M., Castrucci P., Scarselli M., Diociaiuti M., Chaudhari P.S., Balasubramanian C., Bhave T.M., Bhoraskar S.V. // Applied Physics Letters. 2005. V. 86 (23). 231901.

  2. Kima J.H., Chung K.W. // J. Appl. Phys. 1998. № 11. P. 137–140.

  3. Surmeneva M.A., Surmenev R.A., Pichugin V.F., Ko-val N.N., Teresov A.D., Ivanova A.A., Grubova YuI., Ignatov V.P., Primak O., Epple M. // 2013. V. 7. № 5. P. 944–951.

  4. Духопельников Д.В., Жуков А.В., Костин А.А., Юрченко А.А. // Упрочняющие технологии и покрытия. 2005. № 11. С. 45–49.

  5. Кузнецов В.П., Рубцова Р.А. // Физика и техника полупроводников. 2000. № 5. С. 519–525.

  6. De Crescenzi M., Castrucci P., Scarselli M., Diociaiuti M., Chaudhari P.S., Balasubramanian C., Bhave T.M., Bhoraskar S.V. // Applied Physics Letters. (2005). 86 (23): 231901

  7. Ищенко А.А., Фетисов Г.В., Асланов Л.А. // Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля. 2-е изд., испр. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2012. 648 с.

  8. Мазуренко Е.A., Дорошенко М.Н., Герасимчук А.И. // Укр. хим. журн. 2008. Т. 74. № 11. С. 3–15.

  9. Кесаев И.Г., Пашкова В.В. // Журн. технической физики. 1959. Т. 29. № 3. С. 287–298.

  10. Taghinejad M., Taghinejad H., Abdolahad M., Mohajerzadeh S. // Nano Letters. 2013. 13 (3): 889–897.

Дополнительные материалы отсутствуют.