Журнал неорганической химии, 2022, T. 67, № 4, стр. 523-530

Жидкофазное выращивание тонких пленок нанокристаллического ZnO и их газочувствительные свойства

И. А. Нагорнов a*, А. С. Мокрушин a, Е. П. Симоненко ab, Н. П. Симоненко a, В. Г. Севастьянов a, Н. Т. Кузнецов a

a Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН
119991 Москва, Ленинский пр-т, 31, Россия

b Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева
125047 Москва, Миусская пл., 9, Россия

* E-mail: il.nagornov.chem@gmail.com

Поступила в редакцию 18.11.2021
После доработки 29.11.2021
Принята к публикации 02.12.2021

Полный текст (PDF)

Аннотация

Получены in situ на специализированных подложках пленки нанокристаллического ZnO в результате термической обработки растворов гидрата ацетилацетоната цинка в 1-бутаноле и этиленгликоле. Установлено, что морфология и сплошность покрытий существенно зависят от растворителя сольвотермального синтеза. Так, в среде этиленгликоля формируется более сплошное покрытие с меньшим размером наночастиц ZnO. Пленка ZnO, полученная при деструкции [Zn(H2O)(O2C5H7)2] в этиленгликоле, демонстрирует в составе химического газового сенсора высокую селективность и чувствительность к NO2 во всем температурном интервале с максимумом хеморезистивного отклика при 250°С (отклик на 4–100 ppm NO2 находится в интервале 2.2–103). Показано, что при уменьшении температуры детектирования происходит изменение направления отклика в результате различных поверхностных процессов.

Ключевые слова: тонкие пленки, сольвотермальный синтез, оксид цинка, ацетилацетонат цинка, 1-бутанол, этиленгликоль, газовый сенсор, диоксид азота

ВВЕДЕНИЕ

Как известно, оксид цинка с кристаллической структурой вюрцита является полупроводником n-типа с широкой прямой запрещенной зоной (3.37 эВ) и большой энергией связи экситона (60 МэВ) [1]. Уникальный набор физико-химических свойств позволяет применять ZnO во многих областях науки и техники: в пьезоэлектрических устройствах [24], датчиках на поверхностных акустических волнах для телекоммуникационной отрасли [5, 6], в качестве пьезоэлектрических наногенераторов [79] и датчиков напряжения/давления [1012], в светодиодах [13], а также в качестве чувствительного слоя в хеморезистивных газовых сенсорах [1421].

Все большее загрязнение воздуха, вызванное в основном выбросами токсичных газов в результате эксплуатации промышленных объектов и автомобилей, работающих на двигателях внутреннего сгорания, представляет серьезную угрозу для всей природной экосистемы и организма человека в частности [22, 23]. Например, воздействие низких концентраций NOx или SOx повышает риск респираторных инфекций и разрушительно сказывается на легочных функциях [24]. Для контроля качества воздуха применяются различные типы анализаторов, из которых наиболее удобными в эксплуатации являются хеморезистивные газовые сенсоры на основе полупроводниковых оксидов металлов (SnO2 [2527], TiO2 [2830], WO3 [3133] и ZnO [1421]). Полупроводниковые рецепторные материалы позволяют регистрировать изменения электрического сопротивления в широком диапазоне температур при протекании на поверхности твердого тела окислительно-восстановительных реакций с участием детектируемых газов. Оксид цинка является одним из наиболее широко используемых рецепторных наноматериалов [34] благодаря сочетанию таких факторов, как простота получения и доступность необходимых прекурсоров, высокая химическая и термическая стабильность, отсутствие полиморфизма и хорошие газочувствительные свойства.

Высокий научный и практический интерес к созданию дешевых стабильных и селективных газовых сенсоров на основе оксида цинка мотивирует исследователей находить новые простые и энергоэффективные способы формирования чувствительных слоев. Ранее сообщалось о создании сенсоров на основе ZnO с высокими откликами к различным газам, определение которых имеет техническую и прикладную ценность: углеводороды [35], водород [36, 37], кислород [38, 39], пары воды [40], диоксид азота [41], монооксид углерода [42, 43], летучие органические соединения [44, 45] и многие другие.

На данный момент в литературе представлено множество подходов к синтезу наноструктур ZnO, например, химическое осаждение из паровой фазы [16], безтемплатное горение ксерогеля [18], карботермическое восстановление с участием кислорода [46], сонохимический метод [19], гидротермальный синтез [21] и др. В работе [47] авторы синтезировали нанолисты ZnO методом электроосаждения и установили оптимальную рабочую температуру 180°С для высокой чувствительности при детектировании NO2 (отклик Rg/Ra = 3.6 для 10 ppm). Причину высокой чувствительности авторы объяснили большим количеством кислородных вакансий на открытых поверхностях (100), которые являются активными центрами адсорбции NO2. В работе [48] с помощью гидротермального метода синтезированы 3D‑наноструктуры ZnO и достигнута более высокая чувствительность к диоксиду азота (Rg/Ra = 75 для 10 ppm при рабочей температуре 200°С). Улучшенные газочувствительные свойства наноструктур ZnO авторы объяснили более высоким содержанием кислородных вакансий и сохранением морфологии после формирования покрытия, что обеспечило большую удельную площадь поверхности для адсорбции газа‑аналита. В работе [49] описано создание сенсора на основе наностержней ZnO, который демонстрирует более высокую чувствительность и низкую рабочую температуру детектирования NO2 по сравнению с датчиком на основе напыленной тонкой пленки ZnO без структуры наностержней. Отклик датчика линейно пропорционален концентрации NO2 в диапазоне 0.2–5.0 ppm, а чувствительность сенсора растет с увеличением длины наностержня ZnO. В работе [50] показано, что датчик на основе ZnO с морфологией нанопроволок чувствителен к различным газам-аналитам, и обнаружено, что чувствительность зависит от диаметра нанопроволоки, а в [51] авторы продемонстрировали повышенную чувствительность к NO2 более тонких наностержней ZnO с повышенным содержанием кислородных вакансий и большей эффективной площадью поверхности.

Таким образом, для повышения газочувствительных свойств оксида цинка необходимы наноструктурированные порошки или пленки с пористой структурой, небольшим размером кристаллов и большой площадью удельной поверхности. Несмотря на большой объем литературных данных о способах получения нанокристаллических порошков оксида цинка, разработка масштабируемого и технологически простого метода синтеза по-прежнему остается одной из главных задач, стоящих перед исследователями в данной области.

Целью настоящей работы является изучение возможностей жидкофазного метода получения тонких газочувствительных пленок нанокристаллического оксида цинка, синтезированного in situ непосредственно на поверхности специализированных сенсорных подложек в ходе сольвотермальной деструкции гидрата ацетилацетоната цинка в спиртовых средах (1-бутаноле и этиленгликоле).

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

Реагенты. Для получения тонких пленок нанокристаллического оксида цинка использовали гидрат ацетилацетоната цинка [Zn(H2O)(O2C5H7)2], синтез которого осуществляли по методикам, приведенным в наших предыдущих работах [37, 42, 52]. В качестве растворителя при синтезе пленок ZnO применяли н-бутанол и этиленгликоль (ЭКОС-1, ч. д. а.).

Рентгенограммы покрытий записывали на рентгеновском дифрактометре D8 Advance (Bruker) в диапазоне 2θ = 5°–80° с разрешением 0.02° при накоплении сигнала в точке в течение 0.3 с, а также в характеристичном диапазоне наиболее интенсивных рефлексов ZnO фазы вюрцита 2θ = 31.0°–37.5° с разрешением 0.02° при накоплении сигнала в точке в течение 2.0 с. Морфологию и микроструктуру изучали с помощью трехлучевой рабочей станции NVision 40 (Carl Zeiss).

Измерения газочувствительных свойств проводили на специализированной прецизионной установке [41, 5355]. Газовую среду в кварцевой ячейке создавали с помощью двух контроллеров расхода газа Bronkhorst с максимальной пропускной способностью 100 и 200 мл/мин. Температуру сенсорного элемента регулировали с помощью встроенного платинового микронагревателя, предварительно откалиброванного с применением тепловизора Testo 868. Полученную пленку изучали на чувствительность к следующим газам-аналитам: Н2, CO, NH3, NO2 и бензол (С6Н6). В качестве источника анализируемых газов-восстановителей использовали соответствующие поверочные газовые смеси в воздухе, для построения базовой линии – синтетический воздух.

Электрическое сопротивление оксидных пленок измеряли с помощью цифрового мультиметра Fluke 8846A (6.5 Digit Precision Multimeter) с верхним пределом 1 ГОм.

Отклик на Н2, CO, NH3 и бензол вычисляли по формуле:

(1)
$S = {{R}_{{{\text{Air}}}}}{\text{/}}R,$
где RAir – сопротивление оксидной пленки в среде синтетического воздуха; R – в среде с заданной концентрацией газа-аналита. Отклик на NO2 рассчитывали по уравнению, обратному соотношению (1).

РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ

Тонкие пленки нанокристаллического ZnO получали выращиванием in situ соответствующих наночастиц на поверхности специализированной подложки из оксида алюминия с платиновыми встречно-штыревыми электродами и микронагревателем на оборотной стороне [52, 55, 57] при термической обработке раствора гидрата ацетилацетоната цинка (0.2 М) в 1-бутаноле (образец 1) и этиленгликоле (образец 2) в круглодонной колбе с обратным холодильником при перемешивании на магнитной мешалке. Температуру 145 ± ± 5°С поддерживали с помощью глицериновой бани, время выдержки при нанесении каждого покрытия составляло 6 ч (рис. 1). В результате удалось сформировать покрытия из ZnO на датчиках непосредственно из раствора прекурсора.

Рис. 1.

Схема получения покрытия нанокристаллического ZnO на датчике из Al2O3/Pt.

Подложки с полученными покрытиями высушивали до постоянной массы при температуре 100°С и далее подвергали термообработке при 350°С в течение 2 ч для завершения процессов кристаллизации пленок и удаления органических фрагментов, оставшихся после синтеза.

Рентгенофазовый анализ полученных тонких пленок (рис. 2а) показал, что происходит формирование покрытий нанокристаллического оксида цинка. Как видно из рентгенограмм, помимо рефлексов, относящихся к материалам подложки (α-Al2O3 и Pt, PDF 00-005-0712 и 00-004-0802 соответственно), присутствует слабоинтенсивный набор рефлексов гексагональной фазы вюрцита (PDF 01-070-8070, гексагональная сингония, группа 6/mmm, пространственная группа P63mc). Слабая интенсивность обусловлена высокой дисперсностью и низкой толщиной образовавшихся покрытий ZnO на фоне поликристаллических зерен Al2O3 значительно большего размера. С целью усиления сигнала от пленки ZnO записаны дополнительные рентгенограммы с большим временем накопления сигнала в диапазоне углов 2θ = 31.0°–37.5°, для которого характерно наличие трех наиболее интенсивных рефлексов фазы вюрцита (рис. 2б): на представленной рентгенограмме хорошо видны свойственные оксиду цинка рефлексы при 2θ = 31.9°, 34.9° и 36.4°, соответствующие плоскостям (100), (002) и (101).

Рис. 2.

Рентгенограммы тонких пленок ZnO, полученных в результате деструкции [Zn(H2O)(O2C5H7)2] в растворителе 1-бутанол (BuOH) и этиленгликоль (Et(OH)2), в диапазоне углов 2θ = 10°–80° (а) и 31°–38° (б).

По данным растровой электронной микроскопии (рис. 3), структура пленок сильно зависит от растворителя сольвотермального синтеза. Так, покрытие ZnO, полученное при деструкции гидрата ацетилацетоната цинка в 1-бутаноле (рис. 3а), является недостаточно сплошным: наблюдаются участки, в которых агломераты ZnO объединяются в нити длиной до 115 мкм. При этом на значительных областях зерен оксида алюминия покрытие оксида цинка отсутствует. Данный метод получения рецепторных слоев приводит к тому, что частицы ZnO являются сильно агрегированными (врезка на рис. 3а), они формируют агломераты размером 276 ± 38 нм.

Рис. 3.

Микрофотографии РЭМ покрытий ZnO, полученных в результате деструкции [Zn(H2O)(O2C5H7)2] в растворителе 1-бутанол (а) и этиленгликоль (б), на врезках дано большее увеличение.

Сплошность покрытия ZnO, полученного в среде этиленгликоля, намного выше, чем в среде 1-бутанола (рис. 3б), отдельных областей без наночастиц ZnO значительно меньше. Следует отметить, что слой оксида цинка в данном случае формируется в основном во впадинах между зернами Al2O3, образующих подложку. При этом, несмотря на явно больший размер агрегатов (393 ± ± 59 нм, врезка на рис. 3б), они являются существенно менее плотными и представляют собой сферические образования, состоящие из более мелких сфер размером 34 ± 7 нм.

Газочувствительные свойства сформировавшихся в результате жидкофазного нанесения покрытий ZnO удалось изучить только для образца, полученного в среде этиленгликоля. Пленка оксида цинка, полученная путем in situ нанесения при деструкции прекурсора в бутанольном растворе, продемонстрировала высокое значение электрического сопротивления (>1 ГОм) в диапазоне температур 25–300°С. Это может быть связано с недостаточной сплошностью слоя ZnO (для образца 1), для которого свойственно большое количество разрывов, что затрудняет протекание электрического заряда. Ниже более подробно представлены данные по изучению газочувствительных свойств пленки ZnO, полученной в результате термообработки раствора прекурсора в этиленгликоле.

Так, на рис. 4а представлена диаграмма селективности, включающая отклики на 100 ppm CO, NH3, NO2, С6Н6 и 1000 ppm H2 при рабочих температурах 150–300°С. Видно, что наибольшие селективность и чувствительность наблюдаются к NO2 при повышенной рабочей температуре 250°С. Отклики на Н2, NH3 и С6Н6 не превышают 4.1 во всем температурном интервале. Для СО наблюдается чуть больший отклик (S = 1.2–6.7 в зависимости от температуры) с максимумом при 300°С.

Рис. 4.

Газочувствительные свойства пленки ZnO, синтезированной в среде этиленгликоля: диаграмма селективности (а), воспроизводимость сигнала при детектировании 50 ppm NO2 (б), отклики на 4–100 ppm NO2 с врезкой на малые (4–20 ppm) концентрации (в) и зависимость отклика от концентрации NO2 (г) при рабочей температуре 250°С.

Необходимо констатировать, что несмотря на значимые отклики на монооксид углерода чувствительность к NO2 значительно выше и составляет S = 2.2–103 при различных температурах. При уменьшении рабочей температуры от 300 до 150°С наблюдается два экстремума величины отклика на NO2: сначала отклик увеличивается от 10 до 103 (с максимумом при 250°С), далее уменьшается до 2.2 (при 175°С) и снова растет до 12 (при 150°С). Таким образом, для дальнейшего изучения газочувствительных свойств к NO2 выбрана рабочая температура 250°С, для которой характерно максимальное значение отклика.

На рис. 4в приведены отклики на различные концентрации NO2 в интервале 4–100 ppm при рабочей температуре 250°С, для которых наблюдается систематическое увеличение от 1.3 до 103. Отклик 50–100 ppm составляет S = 41–103 и является достаточно высоким, значительно выше, чем большинство представленных в литературе аналогов. На рис. 4г показана зависимость величины отклика от концентрации NO2, которая хорошо описывается уравнением изотермы Фрейндлиха: y = 0.129x1.452 (R2 = 99.6%). Данная зависимость является типичной для хеморезистивных газовых сенсоров и хорошо соотносится с имеющимися литературными данными [58, 59]. На рис. 4б представлена воспроизводимость сигнала при детектировании 50 ppm NO2. Установлено, что сигнал хорошо воспроизводится, дрейф базовой линии отсутствует. После пяти циклов пуска–напуска газа электрическое сопротивление возвращается к исходным значениям.

Ранее в наших работах достаточно подробно описаны механизмы детектирования оксидом цинка различных газов-аналитов, в том числе и NO2 [4143, 60]. Изменение электрического сопротивления можно описать, используя общепринятую модель о том, что при напуске NO2 происходит реакция между газом и ион-сорбированным кислородом на поверхности полупроводника n-типа, каковым является ZnO [41]:

(2)
${\text{N}}{{{\text{O}}}_{2}} + 2{{{\text{e}}}^{--}} \leftrightarrow {\text{NO}} + 2{{{\text{O}}}^{--}},$
в результате чего наблюдается увеличение сопротивления вследствие расходования электронов для восстановления NO2 из зоны проводимости ZnO. В нашем случае при напуске NO2 при различных рабочих температурах наблюдалось как уменьшение, так и увеличение сопротивления (рис. 4б и 5), что не согласуется с общепринятой моделью детектирования.

В работе [61] выполнено большое исследование, в котором c помощью целого ряда методов физико-химического анализа in situ был изучен процесс взаимодействия NO2 с оксидом цинка. Авторам удалось показать, что при напуске NO2 в первые минуты происходит образование сначала нитритов $\left( {{\text{NO}}_{2}^{ - }} \right),$ а потом и нитратов $\left( {{\text{NO}}_{3}^{ - }} \right)$ с участием различных дефектов в кристаллической решетке ZnO. При повышенных температурах интенсивность адсорбции NO2 уменьшается (максимум наблюдается в районе 125–150°С), но увеличивается подвижность электронов в дефектах, что способствует более интенсивному образованию нитрит- и нитрат-ионов. С другой стороны, при температурах 200–300°С увеличивается процесс разложения нитратов до NO2 и NO. Для описания этого процесса авторы приводят квазихимические уравнения, в которых используют положительно и отрицательно заряженные дефекты. Однако для описания подобных процессов можно использовать не точечные дефекты, а электроны ZnO:

(3)
$2{\text{NO}}_{3}^{ - } \leftrightarrow 2{\text{N}}{{{\text{O}}}_{2}} + {{{\text{O}}}_{2}} + 2{{{\text{e}}}^{--}},$
(4)
${\text{NO}}_{3}^{ - } \leftrightarrow {\text{NO}} + {{{\text{O}}}_{2}} + {{{\text{e}}}^{--}}.$

Выделяющиеся в результате реакций (3) и (4) электроны могут поступать в зону проводимости ZnO, что приведет к уменьшению электрического сопротивления. Из рис. 5 ясно, что при повышенных температурах детектирования (200–300°С) при напуске NO2 сопротивление уменьшается, а при пониженных температурах (150–175°С), напротив, увеличивается. Максимальный отклик (сопровождаемый уменьшением сопротивления) на NO2 наблюдается при 250°С, что хорошо согласуется с предлагаемым механизмом детектирования. Следует отметить, что при температуре 150°С, при которой также наблюдался экстремум отклика с достаточно высоким значением (S = = 12), электрическое сопротивление увеличивалось, что также хорошо согласуется с представленными в [61] данными.

Рис. 5.

Изменение электрического сопротивления при напуске 100 ppm NO2 при различных рабочих температурах.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В ходе сольвотермальной деструкции прекурсора – гидрата ацетилацетоната цинка – в среде 1-бутанола и этиленгликоля in situ получены тонкие пленки ZnO на подложках из Al2O3. РФА показал, что формируемые покрытия оксида цинка имеют кристаллическую структуру фазы вюрцита. Данные РЭМ позволяют сделать вывод о том, что в случае использования раствора прекурсора в этиленгликоле формируется более сплошное покрытие, состоящее из более мелких частиц (34 ± 7 нм) по сравнению с пленкой, полученной в среде 1-бутанола (109 ± 25 нм). Для образца, сформированного в результате термической обработки раствора гидрата ацетилацетоната цинка в этиленгликоле, изучены газочувствительные свойства при детектировании различных газов (CO, NH3, NO2, С6Н6 и H2). Показано, что наибольшие чувствительность и селективность наблюдаются по отношению к NO2. При различных рабочих температурах при напуске NO2 проявляется различный механизм детектирования. Максимальный величина воспроизводимого отклика (S = 2.2–103 на 4–100 ppm NO2) наблюдается при температуре 250°С.

Список литературы

  1. Özgür Ü., Alivov Y.I., Liu C. et al. // J. Appl. Phys. 2005. V. 98. № 4. P. 041301. https://doi.org/10.1063/1.1992666

  2. Yang Y., Kim K. // Sci. Rep. 2021. V. 11. № 1. P. 2904. https://doi.org/10.1038/s41598-021-82506-8

  3. Wang R., Liu S., Liu C.R. et al. // Nano Energy. 2021. V. 83. P. 105820. https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2021.105820

  4. Consonni V., Lord A.M. // Nano Energy. 2021. V. 83. P. 105789. https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2021.105789

  5. Shen J., Fu S., Su R. et al. // Electronics. 2020. V. 10. № 1. P. 23. https://doi.org/10.3390/electronics10010023

  6. Yin C., Wu J., Zhou J. // Sens. Actuators, A: Phys. 2021. V. 321. P. 112590. https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.112590

  7. Wang Z.L. // Science. 2006. V. 312. № 5771. P. 242. https://doi.org/10.1126/science.1124005

  8. Wang X., Song J., Liu J. et al. // Science. 2007. V. 316. № 5821. P. 102. https://doi.org/10.1126/science.1139366

  9. Xu S., Qin Y., Xu C. et al. // Nat. Nanotechnol. 2010. V. 5. № 5. P. 366. https://doi.org/10.1038/nnano.2010.46

  10. Zhang R., Lin L., Jing Q. et al. // Energy Environ. Sci. 2012. V. 5. № 9. P. 8528. https://doi.org/10.1039/c2ee22354f

  11. Lee S., Bae S.-H., Lin L. et al. // Adv. Funct. Mater. 2013. V. 23. № 19. P. 2445. https://doi.org/10.1002/adfm.201202867

  12. Lin L., Jing Q., Zhang Y. et al. // Energy Environ. Sci. 2013. V. 6. № 4. P. 1164. https://doi.org/10.1039/c3ee00107e

  13. Ye Z.Z., Lu J.G., Zhang Y.Z. et al. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. № 11. P. 113503. https://doi.org/10.1063/1.2783262

  14. Liu X., Cheng S., Liu H. et al. // Sensors. 2012. V. 12. № 7. P. 9635. https://doi.org/10.3390/s120709635

  15. Dey A. // Mater. Sci. Eng., B. 2018. V. 229. P. 206. https://doi.org/10.1016/j.mseb.2017.12.036

  16. Liu Y., Dong J., Hesketh P.J. et al. // J. Mater. Chem. 2005. V. 15. № 23. P. 2316. https://doi.org/10.1039/b502974k

  17. Fan H., Jia X. // Solid State Ionics. 2011. V. 192. № 1. P. 688. https://doi.org/10.1016/j.ssi.2010.05.058

  18. Wen W., Wu J.-M., Wang Y.-D. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. № 26. P. 262111. https://doi.org/10.1063/1.4731876

  19. Zhang S.-L., Lim J.-O., Huh J.-S. et al. // Curr. Appl. Phys. 2013. V. 13. P. S156. https://doi.org/10.1016/j.cap.2012.12.021

  20. Kaneti Y.V., Yue J., Jiang X. et al. // J. Phys. Chem. C. 2013. V. 117. № 25. P. 13153. https://doi.org/10.1021/jp404329q

  21. Huang J., Wu Y., Gu C. et al. // Sens. Actuators, B: Chem. 2010. V. 146. № 1. P. 206. https://doi.org/10.1016/j.snb.2010.02.052

  22. Kuranchie F.A., Angnunavuri P.N., Attiogbe F. et al. // Cogent Environ. Sci. 2019. V. 5. № 1. P. 1603418. https://doi.org/10.1080/23311843.2019.1603418

  23. Paul Choudhury S., Feng Z., Gao C. et al. // J. Alloys Compd. 2020. V. 815. P. 152376. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.152376

  24. Das S., Chakraborty S., Parkash O. et al. // Talanta. 2008. V. 75. № 2. P. 385. https://doi.org/10.1016/j.talanta.2007.11.010

  25. Alhadi A., Ma S., Yang T. et al. // Adv. Nanoparticles. 2021. V. 10. № 2. P. 66. https://doi.org/10.4236/anp.2021.102005

  26. Meng F., Ji H., Yuan Z. et al. // IEEE Sens. J. 2021. V. 21. № 9. P. 10915. https://doi.org/10.1109/JSEN.2021.3060401

  27. Zhao W.-J., Ding K.-L., Chen Y.-S. et al. // IEEE Sens. J. 2020. V. 20. № 18. P. 10433. https://doi.org/10.1109/JSEN.2020.2993055

  28. Gaidan I., Asbia S., Brabazon D. et al. // AIP Conference Proceedings. 2017. V. 1896. № 1. https://doi.org/10.1063/1.5008246

  29. Zhang M., Xue T., Xu S. et al. // Ceram. Int. 2017. V. 43. № 7. P. 5842. https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2017.01.130

  30. Ruiz A.M., Sakai G., Cornet A. et al. // Sens. Actuators, B: Chem. 2003. V. 93. № 1–3. P. 509. https://doi.org/10.1016/S0925-4005(03)00183-7

  31. Pi M., Zheng L., Luo H. et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2021. V. 54. № 15. P. 155107. https://doi.org/10.1088/1361-6463/abd8f0

  32. Beknalkar S.A., Patil V.L., Harale N.S. et al. // Sens. Actuators, A: Phys. 2020. V. 304. P. 111882. https://doi.org/10.1016/j.sna.2020.111882

  33. Zeng J., Hu M., Wang W. et al. // Sens. Actuators, B: Chem. 2012. V. 161. № 1. P. 447. https://doi.org/10.1016/j.snb.2011.10.059

  34. Ahmad R., Majhi S.M., Zhang X. et al. // Adv. Colloid Interface Sci. 2019. V. 270. P. 1. https://doi.org/10.1016/j.cis.2019.05.006

  35. Jones A., Jones T.A., Mann B. et al. // Sens. Actuators. 1984. V. 5. № 1. P. 75. https://doi.org/10.1016/0250-6874(84)87008-0

  36. Basu S., Dutta A. // Sens. Actuators, B: Chem. 1994. V. 22. № 2. P. 83. https://doi.org/10.1016/0925-4005(94)87004-7

  37. Simonenko E.P., Simonenko N.P., Nagornov I.A. et al. // Russ. J. Inorg. Chem. 2017. V. 62. № 11. P. 1415. https://doi.org/10.1134/S0036023617110195

  38. Sberveglieri G., Nelli P., Groppelli S. et al. // Mater. Sci. Eng., B. 1990. V. 7. № 1–2. P. 63. https://doi.org/10.1016/0921-5107(90)90010-9

  39. Lampe U., Müller J. // Sens. Actuators. 1989. V. 18. № 3–4. P. 269. https://doi.org/10.1016/0250-6874(89)87034-9

  40. Traversa E., Bearzotti A. // Sens. Actuators, B: Chem. 1995. V. 23. № 2–3. P. 181. https://doi.org/10.1016/0925-4005(94)01271-I

  41. Nagornov I.A., Mokrushin A.S., Simonenko E.P. et al. // Ceram. Int. 2020. V. 46. № 6. P. 7756. https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2019.11.279

  42. Simonenko E.P., Simonenko N.P., Nagornov I.A. et al. // Russ. J. Inorg. Chem. 2018. V. 63. № 11. P. 1519. https://doi.org/10.1134/S0036023618110189

  43. Mokrushin A.S., Gorban’ Y.M., Simonenko N.P. et al. // Russ. J. Inorg. Chem. 2021. V. 66. № 9. P. 1447. https://doi.org/10.1134/S0036023621090072

  44. Kaushik V.K., Mukherjee C., Sen P.K. // J. Mater. Sci. - Mater. Electron. 2018. V. 29. № 17. P. 15156. https://doi.org/10.1007/s10854-018-9657-0

  45. Alias A., Hazawa K., Kawashima N. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2011. V. 50. P. 01BG05. https://doi.org/10.1143/JJAP.50.01BG05

  46. Park J.-H., Choi Y.-J., Park J.-G. // J. Cryst. Growth. 2005. V. 280. № 1–2. P. 161. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.03.047

  47. Xiao C., Yang T., Chuai M. et al. // Phys. Chem. Chem. Phys. 2016. V. 18. № 1. P. 325. https://doi.org/10.1039/C5CP04183J

  48. Chang J., Ahmad M., Wlodarski W. et al. // Sensors. 2013. V. 13. № 7. P. 8445. https://doi.org/10.3390/s130708445

  49. Liu F.-T., Gao S.-F., Pei S.-K. et al. // J. Taiwan Inst. Chem. Eng. 2009. V. 40. № 5. P. 528. https://doi.org/10.1016/j.jtice.2009.03.008

  50. Zhiyong Fan, Lu J.G. // IEEE Trans. Nanotechnol. 2006. V. 5. № 4. P. 393. https://doi.org/10.1109/TNANO.2006.877428

  51. Liao L., Lu H.B., Li J.C. et al. // J. Phys. Chem. C. 2007. V. 111. № 5. P. 1900. https://doi.org/10.1021/jp065963k

  52. Mokrushin A.S., Nagornov I.A., Averin A.A. et al. // Russ. J. Inorg. Chem. 2021. V. 66. № 5. P. 638. https://doi.org/10.1134/S0036023621050119

  53. Mokrushin A.S., Simonenko T.L., Simonenko N.P. et al. // J. Alloys Compd. 2021. V. 868. P. 159090. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2021.159090

  54. Mokrushin A.S., Fisenko N.A., Gorobtsov P.Y. et al. // Talanta. 2021. V. 221. № July 2020. P. 121455. https://doi.org/10.1016/j.talanta.2020.121455

  55. Simonenko T.L., Simonenko N.P., Gorobtsov P.Y. et al. // J. Alloys Compd. 2020. V. 832. P. 154957. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.154957

  56. Mokrushin A.S., Simonenko E.P., Simonenko N.P. et al. // J. Alloys Compd. 2019. V. 773. P. 1023. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2018.09.274

  57. Mokrushin A.S., Gorban Y.M., Simonenko N.P. et al. // Russ. J. Inorg. Chem. 2021. V. 66. № 4. P. 594. https://doi.org/10.1134/S0036023621040173

  58. Ambardekar V., Bandyopadhyay P.P., Majumder S.B. // Sens. Actuators, B: Chem. 2019. V. 290. № September 2018. P. 414. https://doi.org/10.1016/j.snb.2019.04.003

  59. McConnell C., Kanakaraj S.N., Dugre J. et al. // ACS Omega. 2020. V. 5. № 1. P. 487. https://doi.org/10.1021/acsomega.9b03023

  60. Mokrushin A.S., Nagornov I.A., Simonenko T.L. et al. // Mater. Sci. Eng., B. 2021. V. 271. P. 115233. https://doi.org/10.1016/j.mseb.2021.115233

  61. Chen M., Wang Z., Han D. et al. // J. Phys. Chem. C. 2011. V. 115. № 26. P. 12763. https://doi.org/10.1021/jp201816d

Дополнительные материалы отсутствуют.