Журнал неорганической химии, 2021, T. 66, № 5, стр. 616-622
Возможности упрощенных схем изучения особенностей структурных фазовых переходов в Н-связанных сегнетоэлектриках c помощью квантово-химических расчетов
С. П. Долин a, *, Т. Ю. Михайлова a, Н. Н. Бреславская a
a Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН
119991 Москва, Ленинский пр-т, 31, Россия
* E-mail: dolin@igic.ras.ru
Поступила в редакцию 10.12.2020
После доработки 16.12.2020
Принята к публикации 17.12.2020
Аннотация
На примере сегнетоэлектриков K(Н/D)2РО4 предложен и обоснован упрощенный квантово-химический подход к описанию структурного фазового перехода при увеличении числа Н/D-связей в модельных кластерах. В этом случае упрощенное описание включает в себя использование в статистике фазового перехода только псевдоспиновых конфигураций, подчиняющихся правилу льда. Расчетами разных модельных систем проверена эффективность применения экономичного способа определения изинговских и слейтеровских констант. Основные результаты получены в рамках стандартного кластерного приближения Бете на тримерных кластерах двух типов (линейного и углового), симметрия которых существенно отличается от симметрии решетки при различном моделировании терминальных Н-связей. Проанализированы достоинства и недостатки предложенного подхода для описания термодинамики перехода и для возможности пробного моделирования структуры неоднородностей, связанных с доменными стенками и их границами.
ВВЕДЕНИЕ
Настоящая работа является продолжением исследований водородно-связанных сегнетоэлектрических (СЭ) материалов в рамках разрабатываемого нами теоретического подхода с применением различных квантово-химических (КХ) методов [1–7]. Здесь на примере СЭ-семейства КН2РО4 (KDP) [8] рассмотрены последствия усложнения структуры модельных кластеров (МК), поскольку их выбор является необходимой и во многом определяющей стадией предложенного алгоритма описания структурных фазовых переходов (СФП) с независимым КХ-определением всех параметров псевдоспинового гамильтониана (ПСГ). С учетом результатов работ в этом подходе по мономерным и димерным МК (модели Н4 и Н7) [4–7] были рассмотрены различные тримерные МК (Н10), а также ряд более сложных систем, включая пентамеры (Н16). Здесь и далее НN обозначает модельный кластер с N псевдоспинами, т.е. с N подвижными протонами на Н-связях. Последовательное рассмотрение расширяющихся кластеров помогает, в частности, при анализе изменений энергетических и статистических характеристик при учете второй координационной сферы. Получение конкретных численных результатов с помощью КХ-методов естественно продолжить следующими в ряду простыми МК типа Н10 в виде тримерных Н-связанных кластеров (ТНК).
Отметим, что количество информации, необходимой для реализации нашего подхода в рамках модели Изинга и статистического приближения кластеров Бете (ПКБ), растет, как известно, по закону N2, где N – число псевдоспинов. Поэтому крайне желательна разработка разумной упрощенной схемы анализа. Ее обоснование и анализ соответствующих последствий составили вторую задачу этой работы.
Проверке также подлежит полученный ранее с помощью расчетов разными КХ-методами для ряда димерных МК вывод о наличии существенных различий в спектре Н-связанной подсистемы в тех случаях, когда более сложные МК обладают пониженной симметрией по сравнению с симметрией параэлектрической фазы [4–6]. Это позволило продолжить поиск более реалистичных представлений о возможных молекулярных структурах доменных стенок и их границ с последующим анализом влияния этих и иных неоднородностей на наблюдаемые свойства рассматриваемых систем. Задача неэмпирического моделирования доменной структуры и ее динамики в сегнетоэлектриках типа порядок–беспорядок представляется особенно актуальной, так как (в отличие от сегнетоэлектриков типа смещения [9–14]) она пока мало исследована в литературе [15–18] (см. также цитируемую в [18] литературу].
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ
На рис. 1 и 2 показаны пространственные структуры указанных выше тримерных изолированных Н-связанных кластеров обоих типов (линейного и углового) состава (Х3РО…Н…ОРХ2О…Н…ОРХ3), где Х = ОН2 и Н (модели Н10 и Н10*, см. ниже). Причины использования искусственного моделирования с Х = Н будут подробно рассмотрены ниже. Анализ последствий расширения размеров указанных МК до ТНК, как и ранее, проводился в несколько стадий. На первой из них аналитически рассмотрена статистика структурного перехода порядок–беспорядок в рамках модели Изинга в варианте ПКБ. Вторая посвящена поиску упрощенного варианта КХ-анализа СФП и его обоснованию. Здесь с этой целью на примере KDP/DKDP проверен другой гораздо более экономичный по сравнению с применявшимся ранее [7] способ определения изинговских констант J⊥ и J∣ [19–22].
На последнем этапе кратко затронут вопрос о возможности применения результатов, полученных для ТНК, для изучения влияния доменных неоднородностей на различные свойства рассматриваемых систем.
Конкретная методика численных КХ-расчетов, как и ранее, включала применение почти всех КХ-методов программного комплекса Gaussian-09 вплоть до МР4/sdtq преимущественно с базисным набором 6-311+G(d,p). Для всех МК проведены также расчеты методом DFT в варианте B3LYP c этим же базисным набором. Помимо указанных выше ТНК обоих типов с целью максимального упрощения методики расчетов энергетики водородной подсистемы в решетке была проверена возможность применения МК с моделированием в них только Н-связей с использованием для этой цели ионов типа ${{{\text{Х}}}_{{\text{3}}}}{\text{О}}_{2}^{ - },$ где Х = = Н, Li, Nа [7].
РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ
Изменения в статистике СФП
В табл. 1 представлен набор наиболее важных для анализа СФП слейтеровских псевдоспиновых конфигураций (ПСК) в ТНК и некоторых более сложных Н-связанных системах, определяющих наблюдаемые на опыте свойства указанных СЭ-материалов. Из сопоставления ПСК в модели Н10 с таковыми в Н4 и Н7 отметим основные свойства протонных спектров в указанных случаях. Прежде всего очевидно полное генетическое соответствие между ПСК, иллюстрирующее аддитивный характер модели Изинга, независимо от конкретной кластерной модели. Это позволяет в каждом случае применять простой способ нахождения основного уравнения для определения критической температуры перехода Тс (см. ниже). Последняя, как неоднократно отмечалось, является наиболее сложной для теоретического определения характеристикой СФП, поскольку именно в ней сильнее всего отражается конкурирующий характер влияния различных параметров ПСГ [19, 20]. Взаимодействия псевдоспинов в любых Н-связанных СЭ-системах ведут к стабилизации активной асимметричной фазы, тогда как эффекты туннелирования, а по нашим данным [7], и эффекты дальнодействия работают в обратном направлении.
Таблица 1.
p | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 |
---|---|---|---|---|---|
h | 4 (4) | 7 (6) | 10 (8) | 13 (10) | 16 (12) |
СК | 24 | 27 | 210 | 213 | 216 |
СКПЛ | 2 × 31 | 2 × 32 | 2 × 33 | 2 × 34 | 2 × 35 |
р – число РО4-тетраэдров в МК, h – общее число Н-связей, включая терминальные (в скобках), СК – общее число слейтеровских конфигураций, СКПЛ – число конфигураций, подчиняющихся правилу льда. |
Строение энергетического спектра слейтеровских конфигураций | ||||
---|---|---|---|---|
Nen | ||||
2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
aaaaa [64 ] 516e1 | ||||
aaaa [32] 413e1 | faaaa [160] 416e1 | |||
aaa [16] 3 10e1 | faaa [64 ] 313е1 | ffaaa [160] 316e1 | ||
aa [8] 2 7e1 | faa [24] 2 10e1 | ffaa [48 ] 213e1 | fffaa [80] 2 16e1 | |
a [4] 4e1 | fa [8] 7e1 | ffa [12] 10e1 | fffa [16] 13e1 | ffffa [20] 16e1 |
f [2] 0 | ff [2] 0 | fff [2] 0 | ffff [2] 0 | fffff [2] 0 |
Для ТНК и более сложных кластеров получены следующие уравнения, которые для наглядности сопоставлены ниже между собой:
(1) Н4: 1 = 24В1 + …,
(2) Н7: 1 = 1/3 [4 7В1 + 4 7В2 + 16 7В4 + 12 7В5 +…],
(3а) H10: 1 = 1/3 [2 10B1 + 4 10B2 + 8 10B3 + …] (линейный),
(3в) Н10*: 1 = 1/3 [1 10B1 + 8 10B2 + 4 10B3) +…] (угловой),
(4а) Н13: 1 = 1/5 [(32 13B3 + 16 13B4) + …] (линейный),
(4в) Н13*: = 1 + 1/5 [–4 13В1 + 14 13В2 + 24 13В3 + + 8 13В4) + …] (двухугловой),
(5а) Н16: 1 = 1/15 [–34 16В1 + 40 16 В2 + 112 16В3 + + 80 16В4 + 96 16В5].
Приведенные формулы, где через pBn = exp(–n × × pe1/kBT) обозначены больцмановские константы, были получены с использованием характеристик ПСК, приведенных в табл. 1. В этих статистических соотношениях параметры, описывающие эффекты туннелирования и дальнодействия, умышленно опущены (см. ниже). Кроме того, здесь также умышленно приведены только слагаемые, которые получены с ПСК, соответствующими правилу льда [23–25], и полностью опущены слагаемые, отвечающие так называемым заряженным ПСК. Причины этого легко понять, поскольку во всех случаях справедливой оказывается слейтеровская формула Тс = ре1/ln 2. Хотя в случае Н4 и Н7 она и завышает Тс примерно вдвое, этот дефект, как было показано ранее, устраняется учетом и вкладов от однозарядных ПСК (но не двухзарядных, вклады от которых во всех случаях пренебрежимо малы) с последующим учетом эффектов туннелирования и дальнодействия [20]. Это позволяет предположить сохранение аналогичной ситуации в случае ТНК, а также в более сложных МК. Проведенный анализ влияния неучтенных однозарядных ПСК типа [К]НР${\text{O}}_{4}^{ - }$ и [К]Н3Р${\text{O}}_{4}^{ + }$ в указанных МК показал, что оно невелико (не более 13%), и с ростом числа Н-связей в МК их учет в рамках ПКБ приводит к довольно медленному уменьшению Тс [20]. Однако при изучении доменных неоднородностей их роль может оказаться более значительной [26–29], что требует отдельного рассмотрения.
Расчеты изинговских констант J⊥ и J|| с ТНК
Отметим, что ТНК являются наиболее простыми подходящими объектами для определения изинговских параметров другим способом, отличным от применявшегося ранее, в том числе и с помощью КХ-расчетов [1–7]. Он применим для любых систем и был апробирован нами при изучении СФП в материалах со сложной структурой неводородного каркаса диэлектрика, в частности для хромистой кислоты (α-HCrO2), где выбор МК даже с простейшим представлением каркаса для КХ-расчетов необходимых параметров ПСГ, прежде всего констант взаимодействия, практически невозможен [7].
Этот метод определения изинговских констант подробно изложен в [20], поэтому здесь приведены только основные формулы для облегчения понимания его особенностей. В основе метода лежит предположение о возможности представления решеточных взаимодействий в любой фазе, прежде всего между протонами, в виде суммы парных взаимодействий.
Если обозначить через $R_{r}^{{0i}}$ = ri ± ${{b}_{i}}\sigma _{{ri}}^{z}$ два возможных равновесных положения протона, где ri – средняя координата иона в парафазе, а $\sigma _{{ri}}^{z}$ – оператор Паули с собственными значениями +1 и –1, то для конфигурации, определяемой совокупностью значений $\sigma _{{ri}}^{z},$ потенциальная часть гамильтониана сегнетоэлектрика имеет вид:
Далее вводятся проекционные операторы вида σ± = (1 ± σz)/2, каждый из которых равен 1 и отличен от нуля лишь для одного состояния – состояния с σz = +1 для σ+ и состояния с σz = –1 для σ–. С использованием очевидного тождества для любой функции f от двух операторов $\sigma _{1}^{z}$ и $\sigma _{2}^{z}{\text{:}}$
При практическом использовании этих формул необходимо помнить, что зависящая от спиновых переменных вторая сумма в последней тройке уравнений с константами Bij, определяющая величину продольного электрического поля для любой фазы, должна быть тождественно равна нулю. Этот момент детально обсуждался в [20], где показано, что нарушение такого соотношения способствует появлению ошибок качественного характера, приводя к ненулевой поляризации при любых температурах, нарушая тем самым сам факт существования СФП. Эта особенность указанного способа представления потенциала была нами “устранена” простым путем с использованием усредненных величин ${{\left( {V_{{ + - }}^{{ij}} + V_{{ - + }}^{{ij}}} \right)} \mathord{\left/ {\vphantom {{\left( {V_{{ + - }}^{{ij}} + V_{{ - + }}^{{ij}}} \right)} 2}} \right. \kern-0em} 2}$ и ${{\left( {V_{{ + + }}^{{ij}} + V_{{ - - }}^{{ij}}} \right)} \mathord{\left/ {\vphantom {{\left( {V_{{ + + }}^{{ij}} + V_{{ - - }}^{{ij}}} \right)} 2}} \right. \kern-0em} 2}.$ По нашим оценкам, связанные с этим погрешности завышают величину параметра е1 не более чем на 20–30 K.
Таким образом, в методе проекционных операторов удается представить потенциал взаимодействия псевдоспинов в изинговской форме, пригодной для применения КХ-расчетов. Такие расчеты были выполнены для ряда ТНК и привели к обнадеживающим результатам, имея в виду дальнейшее увеличение размеров МК для изучения влияния доменов и их границ. Было показано, что если ТНК с Х = ОН2 в качестве терминальных Н-связей (рис. 1, 2) даже в точечном приближении (без оптимизации геометрии) требуют на расчет каждой ПСК (их число в разных ТНК равно 27 или 54) значительных временных затрат, то ТНК с Х = Н обладают несопоставимой экономичностью. В этом случае для определения каждой из двух изинговских констант нужны четыре точки, что позволяет использовать методы более высокого уровня, даже МР4/sdtq. При этом полученные оценки обеих слейтеровских констант е1 и е2 в случае Н10 (160–200 и 760–900 K соответственно) лежат в тех же пределах, что и полученные ранее в Н4 и Н7 (табл. 2) [5, 6]. Такое постоянство основных энергетических параметров взаимодействия позволяет использовать только параметр е1, а e2 считать поправкой, которую нетрудно оценить с учетом полученных ранее значений методом масштабных множителей, поскольку, согласно нашим расчетам, отношение е2/е1 = = 4.5–5.0. Это позволяет сохранить формулу Слейтера, но уже в виде Тс = ${{е_{{\text{1}}}^{*}} \mathord{\left/ {\vphantom {{е_{{\text{1}}}^{*}} {{\text{ln2}}}}} \right. \kern-0em} {{\text{ln2}}}}$ c последующим учетом таким же способом, как и ранее, эффектов туннелирования и дальнодействия. Отметим также справедливость полученного ранее в расчетах мономеров и димеров деления спектра Н-подсистемы на четыре группы, определяемые слейтеровскими параметрами е1, е2, е3, с удивительно точным и в этом случае выполнением соотношения 4е2 = 2е1 + е3 (табл. 2) [5, 6]. Вместе с тем необходимо подчеркнуть, что в случае ТНК (как и в димерах) основной недостаток подхода связан с сильным нарушением аддитивности в спектре ПСК, показанном в табл. 3. Тем не менее средние значения обоих параметров е1 и $е_{{\text{1}}}^{*}$ при этом сохраняют разумные значения.
Таблица 2.
KDP | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Параметр | DFT | RHF | MP2 | MP4 | LI | DFT | RHF | MP2 | MP4 | LI |
МОП | стандартный | |||||||||
J⊥ | 395 | 430 | 440 | 443 | 418 | 313 | 369 | 356 | 362 | 335 |
–J‖ | 352 | 382 | 386 | 394 | 369 | 274 | 331 | 312 | 319 | 293 |
10e1 | 171 | 193 | 215 | 195 | 193 | 157 | 152 | 175 | 174 | 166 |
10e2 | 876 | 956 | 988 | 984 | 930 | 706 | 815 | 798 | 810 | 752 |
10e3 | 3160 | 3435 | 3518 | 3548 | 3337 | 2515 | 2957 | 2844 | 2889 | 2680 |
e2/e1 | 5.1 | 5.0 | 4.6 | 5.0 | 4.8 | 4.5 | 5.4 | 4.6 | 4.7 | 4.5 |
DKDP |
Параметр | DFT | RHF | MP2 | LI | DFT | RHF | MP2 | LI |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
МОП | стандартный | |||||||
J⊥ | 569 | 612 | 631 | 599 | 446 | 524 | 504 | 475 |
–J‖ | 507 | 545 | 554 | 530 | 397 | 474 | 444 | 421 |
10e1 | 248 | 269 | 307 | 277 | 198 | 201 | 239 | 218 |
10e2 | 1261 | 1357 | 1415 | 1337 | 991 | 1148 | 1127 | 1060 |
10e3 | 4544 | 4885 | 5042 | 4703 | 3926 | 4184 | 4035 | 3979 |
e2/e1 | 5.1 | 5.0 | 4.6 | 4.8 | 5.0 | 5.7 | 4.7 | 4.8 |
Приведены результаты, полученные в Л-базисе 6/311+(d,p), во всех расчетах использована опытная геометрия [10] при 293 K, LI = (DFT + МР2)/2, МР4 с усреднением по четырем вариантам, включая МР4/sdtq, стандартный вариант – с терминальными тетраэдрами вида РО4–4Н–4(ОРН3).
Таблица 3.
Энергия | DFT | RHF | MP2 | LI | DFT | RHF | MP2 | LI |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
угловой кластер | линейный кластер | |||||||
3Є1 | 494 | 677 | 756 | 625 | 500 | 489 | 591 | 546 |
2Є1 | 401 | 405 | 460 | 431 | 104 | 42 | 159 | 132 |
Є1 | 219 | 233 | 247 | 233 | 270 | 292 | 320 | 295 |
❬Є1❭ | 195 | 221 | 243 | 219 | 163 | 159 | 199 | 181 |
Приведены результаты, полученные в базисе 6/311+(d,p), во всех расчетах использована опытная геометрия [10] при 293 K, LI = (DFT + МР2)/2.
В итоге все это приводит к возможности применения подхода правила льда (ППЛ) для более сложных кластерных систем как к самостоятельному способу описания многих СЭ-материалов, включая и семейство KDP [24].
Как и в случае димеров [5, 6], была предпринята попытка еще в большей степени упростить наш подход и рассматривать только энергетику Н-подсистемы. Для этого (кроме иона $\left( {{{{\text{H}}}_{{\text{3}}}}{\text{O}}_{2}^{ - }} \right)$) при моделировании Н-связей несегнетоэлектрические атомы Н в модельном кластере заменяли на Li и Nа. К сожалению, полученные оценки обеих изинговских и слейтеровских констант во многих случаях выходят за рамки приведенных выше значений этих параметров. Причина этого связана с тем, что “лишние” связи О–Н и О–Li (Nа) оказывают довольно сильное влияние на энергетику Н-подсистемы, поскольку их вклады в разные ПСК не аддитивны. Это еще раз подтвердило возможность подобного упрощения лишь при изучении низкоразмерных систем Н-связанных (квази)нульмерных и (квази)одномерных [30–32], но не трехмерных. Поэтому результаты полученных таким образом оценок параметров взаимодействия для описания чисто трехмерных KDP/DKDP в дальнейшем не использовались, хотя на качественном уровне они остаются разумными.
Расчеты с Х = ОН2
Проверка возможностей упрощенного ППЛ для обеих форм ТНК с Х = ОН2 проведена в основном тремя разными методами (МР2, RHF, DFT) и фактически привела к тем же выводам, что и расчеты димеров. Наиболее важным является вывод о возможности, как и в случае димеров, описания термодинамики СФП в рамках применяемого ПКБ, но при строго обязательном усреднении энергий СПК в каждой подгруппе спектра Н-подсистемы. При этом сохраняется не только основное СЭ-состояние, но и полученные из расчетов численные оценки наблюдаемых свойств, прежде всего критической температуры Тс. Отказ от указанного усреднения еще в большей степени, чем в димерах, и по уже отмечавшейся причине понижения симметрии с потерей эквивалентности псевдоспинов приводит к существенным изменениям в описании СФП вплоть до потери основного СЭ-состояния МК в структурах KDP и DKDP.
В этом случае основным состоянием (наши обозначения, рис. 3, 4 и табл. 1) становится полярная ПСК вида [YYY]. Она сохраняется в обеих формах ТНК, и ее относительная стабильность по сравнению с другими ПСК вида [ааа] (прежде всего упорядоченной, но неполярной – ХХХ) велика в обоих случаях. При этом, по данным всех указанных методов расчета, в линейном МК она составляет ~1000 K и оказывается втрое больше по сравнению с угловым. Отметим, что приведенные оценки хотя и были получены при двух разных способах моделирования терминальных Н-связей, но в них не было учтено влияние катионов, поэтому они не могут считаться окончательными.
Поскольку интерес к низкосимметричным расширенным МК связан с возможностью моделирования молекулярного строения доменных стенок и их границ, проведенный анализ, на наш взгляд, позволяет перейти к этой задаче. Эти и смежные вопросы будут обсуждены в следующей публикации.
Список литературы
Levin A.A., Dolin S.P. // J. Mol. Struct. 2000. V. 552. P. 39. https://doi.org/10.1016/S0022-2860(00)00457-9
Dolin S.P., Mikhailova T.Yu., Breslavskaya N.N. et al. // Int. J. Quant. Chem. 2016. V. 116. № 3. P. 202. https://doi.org/10.1002/qua.25037
Долин С.П., Михайлова Т.Ю., Бреславская Н.Н. // Журн. физ. химии. 2014. Т. 88. С. 1686. https://doi.org/10.7868/80044453714110065
Левин A.A., Долин С.П., Михайлова Т.Ю. // Журн. Рос. хим. об-ва. 2007. Т. 51. С. 139.
Долин С.П., Михайлова Т.Ю., Бреславская Н.Н. // Журн. неорган. химии. 2020. Т. 65. № 4. С. 522.
Долин С.П., Михайлова Т.Ю., Бреславская Н.Н. // Журн. неорган. химии. 2020. Т. 65. № 7. С. 931. https://doi.org/10.31857/S0044457X20070053
Dolin S.P., Flyagina I.S. et al. // Int. J. Quant. Chem. 2007. V. 107. P. 2409. https://doi.org/10.1002/qua.21406
Nelmes R.J., Tun Z., Kuhs W.F. // Ferroelectrics. 1987. V. 71. P. 125. https://doi.org/10.1080/00150198708224833
Shur V.Ya., Akhmatkhanov A.R., Lobov A.I., Turygin A.P. // J. Adv. Dielectr. 2015. V. 5. P. 1550015. https://doi.org/10.1142/S2010135X15500150
Ishibashi Y. // Ferroelectrics. 1989. V. 98. P. 193.
Bullbich A.A., Gufan Yu.M. // Ferroelectrics. 1989. V. 98. P. 277.
Pertsev N.A., Arlt G. // Ferroelectrics. 1992. V. 132. № 1. P. 27.
Shur V.Ya. // J. Mater. Sci. 2006. V. 41. P. 199. https://doi.org/10.1007/s10853-005-6065-7
Shur V.Ya. // Handbook of advanced dielectric, piezoelectric and ferroelectric materials, chapter. 2008. P. 622. https://doi.org/10.1533/9781845694005.5.622
Moore M.A., Willians H.C.W.L. // J. Phys. C. 1972. V. 5. P. 3168.
Tentrup T., Weyrich K.H., Siems R. // Jpn. J. Appl. Phys. 1985. V. 24. P. 571.
Kamysheva L.N., Fedosov V.N., Sidorkin A.S. // Ferroelectrics. 1976. V. 13. P. 463.
Стефанович Л.И., Мазур О.Ю. Формирование доменных структур в сегнетоэлектриках в сильнонеравновесных условиях под влиянием внешних воздействий. Дніпро: Середняк Т.К., 2019. 100 с.
Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981.
Вакс В.Г. Введение в микроскопическую теорию сегнетоэлектриков. М.: Физматлит, 1973. 328 с.
Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. М.: Наука, 1983. 241 с.
Блинц Р. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Динамика решетки. М.: Мир, 1975. 398 с.
Маттис Д. Теория магнетизма. М.: Мир, 1967. 406 с.
Займан Дж. Модели беспорядка. М.: Мир, 1982. 592 с.
Pauling L. The nature of the chemical bond. N.Y.: Cornell Universty Press, 1960. 645 p.
Сидоркин А.С. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах. М.: Физматлит, 2000. 240 с.
Сидоркин А.С. // Физика твердого тела. 1989. Т. 31. № 9. С. 293.
Bornarel J. // Ferroelectrics. 1987. V. 71. P. 255.
Meilikhov E.Z., Farzetdinova R.M. // Phys. Rew. E. 2005. V. 71. P. 046111. https://doi.org/10.1103/PhysRevE.71.046111
Mikhaylova T.Yu., Breslavskaya N.N., Dolin S.P. // Russ. J. Inorg. Chem. 2017. V. 62. P. 935. [Михайлова Т. Ю., Бреславская Н.Н., Долин С.П. // Журн. неорган. химии. 2017. Т. 62. С. 934.] https://doi.org/10.1134/S003602361707004X
Mikhaylova T.Yu., Breslavskaya N.N., Dolin S.P. // Russ. J. Inorg. Chem. 2018. V. 63. P. 61. [Михайлова Т.Ю., Бреславская Н.Н., Долин С.П. // Журн. неорган. химии. 2018. Т. 63. С. 66.] https://doi.org/10.1134/S0036023618010060
Михайлова Т.Ю., Бреславская Н.Н., Долин С.П. // Журн. неорган. химии. 2017. Т. 62. С. 1593. https://doi.org/10.7868/S0044457X17120066
Дополнительные материалы отсутствуют.
Инструменты
Журнал неорганической химии