Журнал неорганической химии, 2021, T. 66, № 5, стр. 616-622

Возможности упрощенных схем изучения особенностей структурных фазовых переходов в Н-связанных сегнетоэлектриках c помощью квантово-химических расчетов

С. П. Долин a*, Т. Ю. Михайлова a, Н. Н. Бреславская a

a Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН
119991 Москва, Ленинский пр-т, 31, Россия

* E-mail: dolin@igic.ras.ru

Поступила в редакцию 10.12.2020
После доработки 16.12.2020
Принята к публикации 17.12.2020

Полный текст (PDF)

Аннотация

На примере сегнетоэлектриков K(Н/D)2РО4 предложен и обоснован упрощенный квантово-химический подход к описанию структурного фазового перехода при увеличении числа Н/D-связей в модельных кластерах. В этом случае упрощенное описание включает в себя использование в статистике фазового перехода только псевдоспиновых конфигураций, подчиняющихся правилу льда. Расчетами разных модельных систем проверена эффективность применения экономичного способа определения изинговских и слейтеровских констант. Основные результаты получены в рамках стандартного кластерного приближения Бете на тримерных кластерах двух типов (линейного и углового), симметрия которых существенно отличается от симметрии решетки при различном моделировании терминальных Н-связей. Проанализированы достоинства и недостатки предложенного подхода для описания термодинамики перехода и для возможности пробного моделирования структуры неоднородностей, связанных с доменными стенками и их границами.

Ключевые слова: Н-связанные сегнетоэлектрики, семейство KDP, структурный фазовый переход, квантово-химическое моделирование

ВВЕДЕНИЕ

Настоящая работа является продолжением исследований водородно-связанных сегнетоэлектрических (СЭ) материалов в рамках разрабатываемого нами теоретического подхода с применением различных квантово-химических (КХ) методов [17]. Здесь на примере СЭ-семейства КН2РО4 (KDP) [8] рассмотрены последствия усложнения структуры модельных кластеров (МК), поскольку их выбор является необходимой и во многом определяющей стадией предложенного алгоритма описания структурных фазовых переходов (СФП) с независимым КХ-определением всех параметров псевдоспинового гамильтониана (ПСГ). С учетом результатов работ в этом подходе по мономерным и димерным МК (модели Н4 и Н7) [47] были рассмотрены различные тримерные МК (Н10), а также ряд более сложных систем, включая пентамеры (Н16). Здесь и далее НN обозначает модельный кластер с N псевдоспинами, т.е. с N подвижными протонами на Н-связях. Последовательное рассмотрение расширяющихся кластеров помогает, в частности, при анализе изменений энергетических и статистических характеристик при учете второй координационной сферы. Получение конкретных численных результатов с помощью КХ-методов естественно продолжить следующими в ряду простыми МК типа Н10 в виде тримерных Н-связанных кластеров (ТНК).

Отметим, что количество информации, необходимой для реализации нашего подхода в рамках модели Изинга и статистического приближения кластеров Бете (ПКБ), растет, как известно, по закону N2, где N – число псевдоспинов. Поэтому крайне желательна разработка разумной упрощенной схемы анализа. Ее обоснование и анализ соответствующих последствий составили вторую задачу этой работы.

Проверке также подлежит полученный ранее с помощью расчетов разными КХ-методами для ряда димерных МК вывод о наличии существенных различий в спектре Н-связанной подсистемы в тех случаях, когда более сложные МК обладают пониженной симметрией по сравнению с симметрией параэлектрической фазы [46]. Это позволило продолжить поиск более реалистичных представлений о возможных молекулярных структурах доменных стенок и их границ с последующим анализом влияния этих и иных неоднородностей на наблюдаемые свойства рассматриваемых систем. Задача неэмпирического моделирования доменной структуры и ее динамики в сегнетоэлектриках типа порядок–беспорядок представляется особенно актуальной, так как (в отличие от сегнетоэлектриков типа смещения [914]) она пока мало исследована в литературе [1518] (см. также цитируемую в [18] литературу].

ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ

На рис. 1 и 2 показаны пространственные структуры указанных выше тримерных изолированных Н-связанных кластеров обоих типов (линейного и углового) состава (Х3РО…Н…ОРХ2О…Н…ОРХ3), где Х = ОН2 и Н (модели Н10 и Н10*, см. ниже). Причины использования искусственного моделирования с Х = Н будут подробно рассмотрены ниже. Анализ последствий расширения размеров указанных МК до ТНК, как и ранее, проводился в несколько стадий. На первой из них аналитически рассмотрена статистика структурного перехода порядок–беспорядок в рамках модели Изинга в варианте ПКБ. Вторая посвящена поиску упрощенного варианта КХ-анализа СФП и его обоснованию. Здесь с этой целью на примере KDP/DKDP проверен другой гораздо более экономичный по сравнению с применявшимся ранее [7] способ определения изинговских констант J и J [19–22].

Рис. 1.

Строение модельных кластеров на основе трех тетраэдров PO4. Линейный кластер.

Рис. 2.

Строение модельных кластеров на основе трех тетраэдров PO4. Угловой кластер.

На последнем этапе кратко затронут вопрос о возможности применения результатов, полученных для ТНК, для изучения влияния доменных неоднородностей на различные свойства рассматриваемых систем.

Конкретная методика численных КХ-расчетов, как и ранее, включала применение почти всех КХ-методов программного комплекса Gaussian-09 вплоть до МР4/sdtq преимущественно с базисным набором 6-311+G(d,p). Для всех МК проведены также расчеты методом DFT в варианте B3LYP c этим же базисным набором. Помимо указанных выше ТНК обоих типов с целью максимального упрощения методики расчетов энергетики водородной подсистемы в решетке была проверена возможность применения МК с моделированием в них только Н-связей с использованием для этой цели ионов типа ${{{\text{Х}}}_{{\text{3}}}}{\text{О}}_{2}^{ - },$ где Х = = Н, Li, Nа [7].

РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ

Изменения в статистике СФП

В табл. 1 представлен набор наиболее важных для анализа СФП слейтеровских псевдоспиновых конфигураций (ПСК) в ТНК и некоторых более сложных Н-связанных системах, определяющих наблюдаемые на опыте свойства указанных СЭ-материалов. Из сопоставления ПСК в модели Н10 с таковыми в Н4 и Н7 отметим основные свойства протонных спектров в указанных случаях. Прежде всего очевидно полное генетическое соответствие между ПСК, иллюстрирующее аддитивный характер модели Изинга, независимо от конкретной кластерной модели. Это позволяет в каждом случае применять простой способ нахождения основного уравнения для определения критической температуры перехода Тс (см. ниже). Последняя, как неоднократно отмечалось, является наиболее сложной для теоретического определения характеристикой СФП, поскольку именно в ней сильнее всего отражается конкурирующий характер влияния различных параметров ПСГ [19, 20]. Взаимодействия псевдоспинов в любых Н-связанных СЭ-системах ведут к стабилизации активной асимметричной фазы, тогда как эффекты туннелирования, а по нашим данным [7], и эффекты дальнодействия работают в обратном направлении.

Таблица 1.  

Генетическое соответствие между слейтеровскими (псевдоспиновыми) конфигурациями, подчиняющимися правилу льда, в модельных кластерах Н4–Н16 для KDP/ DKDP

p 1 2 3 4 5
h 4 (4) 7 (6) 10 (8) 13 (10) 16 (12)
СК 24 27 210 213 216
СКПЛ 2 × 31 2 × 32 2 × 33 2 × 34 2 × 35
р – число РО4-тетраэдров в МК, h – общее число Н-связей, включая терминальные (в скобках), СК – общее число слейтеровских конфигураций, СКПЛ – число конфигураций, подчиняющихся правилу льда.
Строение энергетического спектра слейтеровских конфигураций
Nen
2 3 4 5 6
        aaaaa [64 ] 516e1
      aaaa [32] 413e1 faaaa [160] 416e1
    aaa [16] 3 10e1 faaa [64 ] 313е1 ffaaa [160] 316e1
  aa [8] 2 7e1 faa [24] 2 10e1 ffaa [48 ] 213e1 fffaa [80] 2 16e1
a [4] 4e1 fa [8] 7e1 ffa [12] 10e1 fffa [16] 13e1 ffffa [20] 16e1
f [2] 0 ff [2] 0 fff [2] 0 ffff [2] 0 fffff [2] 0

Nen – число подуровней в спектре Н-подсистемы, типы подуровней (f отвечает ферроэлектрическому упорядочению в единичном тетраэдре, a – антисегнетоэлектрическому упорядочению), кратность и изинговские энергии подуровней.

Для ТНК и более сложных кластеров получены следующие уравнения, которые для наглядности сопоставлены ниже между собой:

(1) Н4: 1 = 24В1 + …,

(2) Н7: 1 = 1/3 [4 7В1 + 4 7В2 + 16 7В4 + 12 7В5 +…],

(3а) H10: 1 = 1/3 [2 10B1 + 4 10B2 + 8 10B3 + …] (линейный),

(3в) Н10*: 1 = 1/3 [1 10B1 + 8 10B2 + 4 10B3) +…] (угловой),

(4а) Н13: 1 = 1/5 [(32 13B3 + 16 13B4) + …] (линейный),

(4в) Н13*: = 1 + 1/5 [–4 13В1 + 14 13В2 + 24 13В3 + + 8 13В4) + …] (двухугловой),

(5а) Н16: 1 = 1/15 [–34 16В1 + 40 16 В2 + 112 16В3 + + 80 16В4 + 96 16В5].

Приведенные формулы, где через pBn = exp(–n × × pe1/kBT) обозначены больцмановские константы, были получены с использованием характеристик ПСК, приведенных в табл. 1. В этих статистических соотношениях параметры, описывающие эффекты туннелирования и дальнодействия, умышленно опущены (см. ниже). Кроме того, здесь также умышленно приведены только слагаемые, которые получены с ПСК, соответствующими правилу льда [2325], и полностью опущены слагаемые, отвечающие так называемым заряженным ПСК. Причины этого легко понять, поскольку во всех случаях справедливой оказывается слейтеровская формула Тс = ре1/ln 2. Хотя в случае Н4 и Н7 она и завышает Тс примерно вдвое, этот дефект, как было показано ранее, устраняется учетом и вкладов от однозарядных ПСК (но не двухзарядных, вклады от которых во всех случаях пренебрежимо малы) с последующим учетом эффектов туннелирования и дальнодействия [20]. Это позволяет предположить сохранение аналогичной ситуации в случае ТНК, а также в более сложных МК. Проведенный анализ влияния неучтенных однозарядных ПСК типа [К]НР${\text{O}}_{4}^{ - }$ и [К]Н3Р${\text{O}}_{4}^{ + }$ в указанных МК показал, что оно невелико (не более 13%), и с ростом числа Н-связей в МК их учет в рамках ПКБ приводит к довольно медленному уменьшению Тс [20]. Однако при изучении доменных неоднородностей их роль может оказаться более значительной [2629], что требует отдельного рассмотрения.

Расчеты изинговских констант J и J|| с ТНК

Отметим, что ТНК являются наиболее простыми подходящими объектами для определения изинговских параметров другим способом, отличным от применявшегося ранее, в том числе и с помощью КХ-расчетов [17]. Он применим для любых систем и был апробирован нами при изучении СФП в материалах со сложной структурой неводородного каркаса диэлектрика, в частности для хромистой кислоты (α-HCrO2), где выбор МК даже с простейшим представлением каркаса для КХ-расчетов необходимых параметров ПСГ, прежде всего констант взаимодействия, практически невозможен [7].

Этот метод определения изинговских констант подробно изложен в [20], поэтому здесь приведены только основные формулы для облегчения понимания его особенностей. В основе метода лежит предположение о возможности представления решеточных взаимодействий в любой фазе, прежде всего между протонами, в виде суммы парных взаимодействий.

Если обозначить через $R_{r}^{{0i}}$ = ri ± ${{b}_{i}}\sigma _{{ri}}^{z}$ два возможных равновесных положения протона, где ri – средняя координата иона в парафазе, а $\sigma _{{ri}}^{z}$ – оператор Паули с собственными значениями +1 и –1, то для конфигурации, определяемой совокупностью значений $\sigma _{{ri}}^{z},$ потенциальная часть гамильтониана сегнетоэлектрика имеет вид:

$V\left( {R_{r}^{{0i}}} \right) = {\text{\;}}\frac{1}{2}{\text{\;}}\mathop \sum \limits_{rr{\kern 1pt} 'ij} {{V}^{{ij}}}\left( {{{r}_{i}} - r_{j}^{'} + {{b}_{i}}{\text{\;}}\sigma _{{ri}}^{z}{\text{\;}} - {{b}_{j}}{\text{\;}}\sigma _{{r{\kern 1pt} 'j}}^{z}} \right).$

Далее вводятся проекционные операторы вида σ± = (1 ± σz)/2, каждый из которых равен 1 и отличен от нуля лишь для одного состояния – состояния с σz = +1 для σ+ и состояния с σz = –1 для σ. С использованием очевидного тождества для любой функции f от двух операторов $\sigma _{1}^{z}$ и $\sigma _{2}^{z}{\text{:}}$

$\begin{gathered} {\text{\;}}f\left( {x\sigma _{1}^{z} + y\sigma _{2}^{z}} \right) = \left( {\sigma _{1}^{ + } + \sigma _{1}^{ - }} \right)\left( {\sigma _{2}^{ + } + \sigma _{2}^{ - }} \right) \times \\ \times \,\,f\left( {x\sigma _{1}^{z} + y\sigma _{2}^{z}} \right) = \sigma _{1}^{ + }\sigma _{2}^{ + }f\left( {x + y} \right) + \\ + \,\,\sigma _{1}^{ + }\sigma _{2}^{ - }f\left( {x - y} \right) + \sigma _{1}^{ - }\sigma _{2}^{ + }f\left( { - x + y} \right) + \\ + \,\,\sigma _{1}^{ - }\sigma _{2}^{ - }f\left( { - x - y} \right) \\ \end{gathered} $
можно получить ожидаемое представление потенциала взаимодействия в виде:
$V\left( {R_{r}^{{0i}}} \right) = {\text{\;}}A + \mathop \sum \limits_{ri} \sigma _{{ri}}^{z}{{B}^{i}} - {\text{\;}}\frac{1}{2}{\text{\;}}\mathop \sum \limits_{rr{\text{'}}ij} {{J}^{{ij}}}\left( {r - r{\kern 1pt} '} \right){\text{\;}}\sigma _{{ri}}^{z}\sigma _{{r{\kern 1pt} {\text{'}}j}}^{z},$
где введенные константы А, В и J выражаются в данном случае через потенциальные члены $V_{{{{\alpha \alpha }}{\kern 1pt} '}}^{{ij}}$ = = Vij(riri' + αb + α'b') c α, α' = ±1 следующим образом:

$A = {\text{\;}}\frac{1}{2}{\text{\;}}\mathop \sum \limits_{rr{\kern 1pt} 'ij} {{A}^{{ij}}}\left( {r - r{\kern 1pt} '} \right),{\text{\;\;}}B = {\text{\;}}\mathop \sum \limits_{r{\text{'}}j} {{B}^{{ij}}}\left( {r - r{\kern 1pt} '} \right),{\text{\;}}$
${{A}^{{ij}}}\left( {r - r{\text{'}}} \right) = \frac{1}{4}\left( {V_{{ + + }}^{{ij}} + V_{{ + - }}^{{ij}} + V_{{ - + }}^{{ij}} + V_{{ - - }}^{{ij}}} \right),$
${{B}^{{ij}}}\left( {r - r{\text{'}}} \right) = \frac{1}{4}\left( {V_{{ + + }}^{{ij}} + V_{{ + {\text{\;}} - }}^{{ij}} - V_{{ - + }}^{{ij}} - V_{{ - - }}^{{ij}}} \right),$
${{J}^{{ij}}}\left( {r - r{\text{'}}} \right) = \frac{1}{4}\left( { - V_{{ + + }}^{{ij}} + V_{{ + - }}^{{ij}} + V_{{ - + }}^{{ij}} - V_{{ - - }}^{{ij}}} \right).$

При практическом использовании этих формул необходимо помнить, что зависящая от спиновых переменных вторая сумма в последней тройке уравнений с константами Bij, определяющая величину продольного электрического поля для любой фазы, должна быть тождественно равна нулю. Этот момент детально обсуждался в [20], где показано, что нарушение такого соотношения способствует появлению ошибок качественного характера, приводя к ненулевой поляризации при любых температурах, нарушая тем самым сам факт существования СФП. Эта особенность указанного способа представления потенциала была нами “устранена” простым путем с использованием усредненных величин ${{\left( {V_{{ + - }}^{{ij}} + V_{{ - + }}^{{ij}}} \right)} \mathord{\left/ {\vphantom {{\left( {V_{{ + - }}^{{ij}} + V_{{ - + }}^{{ij}}} \right)} 2}} \right. \kern-0em} 2}$ и ${{\left( {V_{{ + + }}^{{ij}} + V_{{ - - }}^{{ij}}} \right)} \mathord{\left/ {\vphantom {{\left( {V_{{ + + }}^{{ij}} + V_{{ - - }}^{{ij}}} \right)} 2}} \right. \kern-0em} 2}.$ По нашим оценкам, связанные с этим погрешности завышают величину параметра е1 не более чем на 20–30 K.

Таким образом, в методе проекционных операторов удается представить потенциал взаимодействия псевдоспинов в изинговской форме, пригодной для применения КХ-расчетов. Такие расчеты были выполнены для ряда ТНК и привели к обнадеживающим результатам, имея в виду дальнейшее увеличение размеров МК для изучения влияния доменов и их границ. Было показано, что если ТНК с Х = ОН2 в качестве терминальных Н-связей (рис. 1, 2) даже в точечном приближении (без оптимизации геометрии) требуют на расчет каждой ПСК (их число в разных ТНК равно 27 или 54) значительных временных затрат, то ТНК с Х = Н обладают несопоставимой экономичностью. В этом случае для определения каждой из двух изинговских констант нужны четыре точки, что позволяет использовать методы более высокого уровня, даже МР4/sdtq. При этом полученные оценки обеих слейтеровских констант е1 и е2 в случае Н10 (160–200 и 760–900 K соответственно) лежат в тех же пределах, что и полученные ранее в Н4 и Н7 (табл. 2) [5, 6]. Такое постоянство основных энергетических параметров взаимодействия позволяет использовать только параметр е1, а e2 считать поправкой, которую нетрудно оценить с учетом полученных ранее значений методом масштабных множителей, поскольку, согласно нашим расчетам, отношение е2/е1 = = 4.5–5.0. Это позволяет сохранить формулу Слейтера, но уже в виде Тс = ${{е_{{\text{1}}}^{*}} \mathord{\left/ {\vphantom {{е_{{\text{1}}}^{*}} {{\text{ln2}}}}} \right. \kern-0em} {{\text{ln2}}}}$ c последующим учетом таким же способом, как и ранее, эффектов туннелирования и дальнодействия. Отметим также справедливость полученного ранее в расчетах мономеров и димеров деления спектра Н-подсистемы на четыре группы, определяемые слейтеровскими параметрами е1, е2, е3, с удивительно точным и в этом случае выполнением соотношения 4е2 = 2е1 + е3 (табл. 2) [5, 6]. Вместе с тем необходимо подчеркнуть, что в случае ТНК (как и в димерах) основной недостаток подхода связан с сильным нарушением аддитивности в спектре ПСК, показанном в табл. 3. Тем не менее средние значения обоих параметров е1 и $е_{{\text{1}}}^{*}$ при этом сохраняют разумные значения.

Таблица 2.

Сопоставление результатов КХ-расчетов изинговских констант (J, –J) в К и отношения слейтеровских параметров (е1 и е2) для KDP/DKDP, полученных методом операторов проектирования (МОП) и стандартным методом

KDP
Параметр DFT RHF MP2 MP4 LI DFT RHF MP2 MP4 LI
МОП стандартный
J 395 430 440 443 418 313 369 356 362 335
J 352 382 386 394 369 274 331 312 319 293
10e1 171 193 215 195 193 157 152 175 174 166
10e2 876 956 988 984 930 706 815 798 810 752
10e3 3160 3435 3518 3548 3337 2515 2957 2844 2889 2680
e2/e1 5.1 5.0 4.6 5.0 4.8 4.5 5.4 4.6 4.7 4.5
DKDP
Параметр DFT RHF MP2 LI DFT RHF MP2 LI
МОП стандартный
J 569 612 631 599 446 524 504 475
J 507 545 554 530 397 474 444 421
10e1 248 269 307 277 198 201 239 218
10e2 1261 1357 1415 1337 991 1148 1127 1060
10e3 4544 4885 5042 4703 3926 4184 4035 3979
e2/e1 5.1 5.0 4.6 4.8 5.0 5.7 4.7 4.8

Приведены результаты, полученные в Л-базисе 6/311+(d,p), во всех расчетах использована опытная геометрия [10] при 293 K, LI = (DFT + МР2)/2, МР4 с усреднением по четырем вариантам, включая МР4/sdtq, стандартный вариант – с терминальными тетраэдрами вида РО4–4Н–4(ОРН3).

Таблица 3.  

Спектры типа СКПЛ для ТНК (К)

Энергия DFT RHF MP2 LI DFT RHF MP2 LI
угловой кластер линейный кластер
1 494 677 756 625 500 489 591 546
1 401 405 460 431 104 42 159 132
Є1 219 233 247 233 270 292 320 295
❬Є1 195 221 243 219 163 159 199 181

Приведены результаты, полученные в базисе 6/311+(d,p), во всех расчетах использована опытная геометрия [10] при 293 K, LI = (DFT + МР2)/2.

В итоге все это приводит к возможности применения подхода правила льда (ППЛ) для более сложных кластерных систем как к самостоятельному способу описания многих СЭ-материалов, включая и семейство KDP [24].

Как и в случае димеров [5, 6], была предпринята попытка еще в большей степени упростить наш подход и рассматривать только энергетику Н-подсистемы. Для этого (кроме иона $\left( {{{{\text{H}}}_{{\text{3}}}}{\text{O}}_{2}^{ - }} \right)$) при моделировании Н-связей несегнетоэлектрические атомы Н в модельном кластере заменяли на Li и Nа. К сожалению, полученные оценки обеих изинговских и слейтеровских констант во многих случаях выходят за рамки приведенных выше значений этих параметров. Причина этого связана с тем, что “лишние” связи О–Н и О–Li (Nа) оказывают довольно сильное влияние на энергетику Н-подсистемы, поскольку их вклады в разные ПСК не аддитивны. Это еще раз подтвердило возможность подобного упрощения лишь при изучении низкоразмерных систем Н-связанных (квази)нульмерных и (квази)одномерных [3032], но не трехмерных. Поэтому результаты полученных таким образом оценок параметров взаимодействия для описания чисто трехмерных KDP/DKDP в дальнейшем не использовались, хотя на качественном уровне они остаются разумными.

Расчеты с Х = ОН2

Проверка возможностей упрощенного ППЛ для обеих форм ТНК с Х = ОН2 проведена в основном тремя разными методами (МР2, RHF, DFT) и фактически привела к тем же выводам, что и расчеты димеров. Наиболее важным является вывод о возможности, как и в случае димеров, описания термодинамики СФП в рамках применяемого ПКБ, но при строго обязательном усреднении энергий СПК в каждой подгруппе спектра Н-подсистемы. При этом сохраняется не только основное СЭ-состояние, но и полученные из расчетов численные оценки наблюдаемых свойств, прежде всего критической температуры Тс. Отказ от указанного усреднения еще в большей степени, чем в димерах, и по уже отмечавшейся причине понижения симметрии с потерей эквивалентности псевдоспинов приводит к существенным изменениям в описании СФП вплоть до потери основного СЭ-состояния МК в структурах KDP и DKDP.

В этом случае основным состоянием (наши обозначения, рис. 3, 4 и табл. 1) становится полярная ПСК вида [YYY]. Она сохраняется в обеих формах ТНК, и ее относительная стабильность по сравнению с другими ПСК вида [ааа] (прежде всего упорядоченной, но неполярной – ХХХ) велика в обоих случаях. При этом, по данным всех указанных методов расчета, в линейном МК она составляет ~1000 K и оказывается втрое больше по сравнению с угловым. Отметим, что приведенные оценки хотя и были получены при двух разных способах моделирования терминальных Н-связей, но в них не было учтено влияние катионов, поэтому они не могут считаться окончательными.

Рис. 3.

Схема строения СКПЛ основного состояния и состояния с другим типом упорядочения в ТНК. Линейный кластер.

Рис. 4.

Схема строения СКПЛ основного состояния и состояния с другим типом упорядочения в ТНК. Угловой кластер.

Поскольку интерес к низкосимметричным расширенным МК связан с возможностью моделирования молекулярного строения доменных стенок и их границ, проведенный анализ, на наш взгляд, позволяет перейти к этой задаче. Эти и смежные вопросы будут обсуждены в следующей публикации.

Список литературы

  1. Levin A.A., Dolin S.P. // J. Mol. Struct. 2000. V. 552. P. 39. https://doi.org/10.1016/S0022-2860(00)00457-9

  2. Dolin S.P., Mikhailova T.Yu., Breslavskaya N.N. et al. // Int. J. Quant. Chem. 2016. V. 116. № 3. P. 202. https://doi.org/10.1002/qua.25037

  3. Долин С.П., Михайлова Т.Ю., Бреславская Н.Н. // Журн. физ. химии. 2014. Т. 88. С. 1686. https://doi.org/10.7868/80044453714110065

  4. Левин A.A., Долин С.П., Михайлова Т.Ю. // Журн. Рос. хим. об-ва. 2007. Т. 51. С. 139.

  5. Долин С.П., Михайлова Т.Ю., Бреславская Н.Н. // Журн. неорган. химии. 2020. Т. 65. № 4. С. 522.

  6. Долин С.П., Михайлова Т.Ю., Бреславская Н.Н. // Журн. неорган. химии. 2020. Т. 65. № 7. С. 931. https://doi.org/10.31857/S0044457X20070053

  7. Dolin S.P., Flyagina I.S. et al. // Int. J. Quant. Chem. 2007. V. 107. P. 2409. https://doi.org/10.1002/qua.21406

  8. Nelmes R.J., Tun Z., Kuhs W.F. // Ferroelectrics. 1987. V. 71. P. 125. https://doi.org/10.1080/00150198708224833

  9. Shur V.Ya., Akhmatkhanov A.R., Lobov A.I., Turygin A.P. // J. Adv. Dielectr. 2015. V. 5. P. 1550015. https://doi.org/10.1142/S2010135X15500150

  10. Ishibashi Y. // Ferroelectrics. 1989. V. 98. P. 193.

  11. Bullbich A.A., Gufan Yu.M. // Ferroelectrics. 1989. V. 98. P. 277.

  12. Pertsev N.A., Arlt G. // Ferroelectrics. 1992. V. 132. № 1. P. 27.

  13. Shur V.Ya. // J. Mater. Sci. 2006. V. 41. P. 199. https://doi.org/10.1007/s10853-005-6065-7

  14. Shur V.Ya. // Handbook of advanced dielectric, piezoelectric and ferroelectric materials, chapter. 2008. P. 622. https://doi.org/10.1533/9781845694005.5.622

  15. Moore M.A., Willians H.C.W.L. // J. Phys. C. 1972. V. 5. P. 3168.

  16. Tentrup T., Weyrich K.H., Siems R. // Jpn. J. Appl. Phys. 1985. V. 24. P. 571.

  17. Kamysheva L.N., Fedosov V.N., Sidorkin A.S. // Ferroelectrics. 1976. V. 13. P. 463.

  18. Стефанович Л.И., Мазур О.Ю. Формирование доменных структур в сегнетоэлектриках в сильнонеравновесных условиях под влиянием внешних воздействий. Дніпро: Середняк Т.К., 2019. 100 с.

  19. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981.

  20. Вакс В.Г. Введение в микроскопическую теорию сегнетоэлектриков. М.: Физматлит, 1973. 328 с.

  21. Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. М.: Наука, 1983. 241 с.

  22. Блинц Р. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Динамика решетки. М.: Мир, 1975. 398 с.

  23. Маттис Д. Теория магнетизма. М.: Мир, 1967. 406 с.

  24. Займан Дж. Модели беспорядка. М.: Мир, 1982. 592 с.

  25. Pauling L. The nature of the chemical bond. N.Y.: Cornell Universty Press, 1960. 645 p.

  26. Сидоркин А.С. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах. М.: Физматлит, 2000. 240 с.

  27. Сидоркин А.С. // Физика твердого тела. 1989. Т. 31. № 9. С. 293.

  28. Bornarel J. // Ferroelectrics. 1987. V. 71. P. 255.

  29. Meilikhov E.Z., Farzetdinova R.M. // Phys. Rew. E. 2005. V. 71. P. 046111. https://doi.org/10.1103/PhysRevE.71.046111

  30. Mikhaylova T.Yu., Breslavskaya N.N., Dolin S.P. // Russ. J. Inorg. Chem. 2017. V. 62. P. 935. [Михайлова Т. Ю., Бреславская Н.Н., Долин С.П. // Журн. неорган. химии. 2017. Т. 62. С. 934.] https://doi.org/10.1134/S003602361707004X

  31. Mikhaylova T.Yu., Breslavskaya N.N., Dolin S.P. // Russ. J. Inorg. Chem. 2018. V. 63. P. 61. [Михайлова Т.Ю., Бреславская Н.Н., Долин С.П. // Журн. неорган. химии. 2018. Т. 63. С. 66.] https://doi.org/10.1134/S0036023618010060

  32. Михайлова Т.Ю., Бреславская Н.Н., Долин С.П. // Журн. неорган. химии. 2017. Т. 62. С. 1593. https://doi.org/10.7868/S0044457X17120066

Дополнительные материалы отсутствуют.