ЖЭТФ, 2022, том 162, вып. 6 (12), стр. 892-898

МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК

h-GaTe/m-GaTe НА ПОДЛОЖКАХ GaAs (001): СТРУКТУРНЫЕ

И ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА

С.В. Сорокин^a*, И.В. Седова^a, П.С. Авдиенко^a, Д.Д. Фирсов^b, О.С. Комков^b,a,

А.И. Галимов^a, М.А. Яговкина^a, М.В. Рахлин^a

^a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук

194021, Санкт-Петербург, Россия

^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет ¾ЛЭТИ¿

197376, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию 1 сентября 2022 г.,

после переработки 1 сентября 2022 г.

Принята к публикации 1 октября 2022 г.

Тонкие пленки GaTe выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) на подложках GaAs

(001). Методом рентгеновской дифрактометрии подтверждено сосуществование фаз h- и m-GaTe во

всех выращенных слоях. Установлена количественная корреляция между условиями МПЭ и фазовым

составом формируемых пленок. Экспериментально определен верхний предел температуры МПЭ при

выращивании слоев GaTe/GaAs (001). Приведены новые данные, подтверждающие дефектную природу

широкой полосы излучения с максимумом E ∼ 1.45-1.46 эВ, доминирующей в спектрах низкотемпера-

турной фотолюминесценции слоев GaTe/GaAs (001).

DOI: 10.31857/S0044451022120094

химического осаждения из газовой фазы (CVD) [2].

EDN: LDEOTR

Тем не менее, существует целый ряд публикаций, в

которых слои соединений А^IIIВ^VI были выращены

методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ),

1. ВВЕДЕНИЕ

т. е. методом, потенциально позволяющим изготав-

ливать гетероструктуры на основе слоистых соеди-

Развитие методов выращивания слоистых полу-

нений в масштабе пластин большого диаметра [2-6].

проводников по-прежнему остается в фокусе вни-

мания научного сообщества в связи с их потенци-

Одним из перспективных материалов для созда-

алом для разработки и создания полупроводнико-

ния высокочувствительных фотоприемников, поле-

вых устройств нового поколения. Свойства слои-

вых транзисторов, солнечных элементов и термо-

стых полупроводников могут сильно видоизменять-

электрических устройств [7-9] является моноклин-

ся при уменьшении толщины слоя с возможностью

ный теллурид галлия (m-GaTe), который относит-

перестройки зонной структуры в монослойном пре-

ся к группе слоистых монохалькогенидов металлов

деле [1], что обеспечивает исследователям допол-

группы IIIA (соединений типа А^IIIВ^VI) и является

нительную степень свободы при разработке опто-

прямозонным полупроводником с шириной запре-

электронных приборов. На сегодняшний день боль-

щенной зоны, лежащей в красном диапазоне длин

шинство слоев соединений А^IIIВ^VI и гетероструктур

волн (E_g ≈ 1.7 эВ при T = 300 K). Как и другие

на их основе изготавливают либо методом механи-

слоистые полупроводники А^IIIВ^VI, GaTe состоит из

ческой эксфолиации (отслоения) от объемных кри-

вертикально упорядоченных тетраслоев (ТС) тол-

сталлов, либо выращивают методами химического

щиной ∼ 8Å, связанных друг с другом слабыми си-

(физического) газового транспорта (CVT, PVT) или

лами Ван-дер-Ваальса, при этом каждый ТС содер-

жит четыре ковалентно-связанных атомных плос-

^* E-mail: sorokin@beam.ioffe.ru

кости в последовательности Te-Ga-Ga-Te. Отличи-

892

ЖЭТФ, том 162, вып. 6 (12), 2022Молекулярно-пучковая эпитаксия тонких пленок h-GaTe/m-GaTe на подложках GaAs (001

тельной особенностью GaTe является возможность

2. ЭКСПЕРИМЕНТ

кристаллизоваться в двух фазах: термодинамиче-

ски устойчивой моноклинной структуре (m-GaTe)

Слои GaTe были выращены на подготовленных

(точечная группа симметрии C2/m) и метастабиль-

для эпитаксии ("epi-ready") подложках GaAs (001)

ной гексагональной структуре (h-GaTe) (точечная

при температуре подложки (T_S) в диапазоне 450-

группа симметрии P63/mmc), которая обычно на-

550^◦C с использованием двухкамерной установки

блюдается в ультратонких слоях [10, 11]. Более то-

МПЭ (SemiTEq, Россия). В качестве источников

го, обе кристаллические структуры могут сосуще-

молекулярных пучков использовались стандартные

ствовать одновременно, а также и переходить од-

эффузионные ячейки Ga и Te. Интенсивности по-

на в другую [6, 10-12]. В h-GaTe ТС укладываются

токов определялись посредством измерения эквива-

вдоль направления оси c, как и в случае GaSe или

лентных давлений в пучках (BEPs beam equivalent

InSe [5]. Напротив, m-GaTe имеет деформированную

pressures) в положении подложки ионизационным

структуру ТС, в котором каждый слой имеет два

датчиком Байярда-Альперта. Все слои были вы-

варианта ориентации связи Ga-Ga: две трети из них

ращены в условиях слабого обогащения поверхно-

ориентированы перпендикулярно слою, а оставша-

сти роста Te: соотношение интенсивностей потоков

яся треть лежит почти в плоскости слоя [2, 10]. В

Te/Ga (BEP) изменялось от 10 до 18 при повыше-

результате m-GaTe является сильно анизотропным

нии T_S от 450 до 550^◦C, соответственно. Рост слоев

материалом с низкой пространственной симметри-

GaTe инициировался одновременным открытием за-

ей.

слонок Te и Ga на поверхности буферного слоя GaAs

В отличие от моноклинного m-GaTe, метаста-

толщиной ∼ 200 нм, выращенного в отдельной ро-

бильный h-GaTe является гораздо менее изучен-

стовой камере А^IIIВ^V, и переданного в камеру роста

ным материалом. В частности, до сих пор не суще-

соединений А^IIIВ^VI через высокий вакуум. Средняя

ствует единого мнения относительно значения ши-

скорость роста (R) всех выращенных слоев GaTe со-

рины запрещенной зоны (E_g) данного соединения.

ставила 1.5-1.8 нм/мин.

Так, теоретические расчеты из первых принципов,

проведенные в работе [12], предсказывают, что как

Для контроля in situ процесса МПЭ применял-

объемные кристаллы, так и пленки h-GaTe толщи-

ся метод дифракции быстрых электронов на отра-

ной вплоть до одного ТС должны иметь непрямую

жение (ДБЭО). Исследование структурных свойств

структуру зон [7]. Однако в ряде других работ от-

выращенных слоев GaTe/GaAs(001) проводилось

мечается, что структурные различия между объем-

методом порошковой рентгеновской дифрактомет-

ными фазами h- и m-GaTe незначительны; при этом

рии (РД) (дифрактометр D2 Phaser). Для измерения

на основании экспериментальных данных утвержда-

фотолюминесценции слоев GaTe/GaAs была задей-

ется, что гексагональный h-GaTe это прямозон-

ствована экспериментальная установка на базе ИК

ный полупроводник с E_g в диапазоне 1.6 - 1.8 эВ при

фурье-спектрометра Vertex 80, описанная в работе

T=300 К [13, 14]. С другой стороны, в относитель-

[15]. В качестве источника возбуждения использо-

но недавней работе [6] широкая линия излучения

вался фиолетовый диодный лазер SSP-DHS-405 с

с энергией ∼1.46 эВ, наблюдаемая в спектрах фо-

длиной волны 405 нм. При этом диаметр возбуж-

толюминесценции (ФЛ) тонких пленок GaTe, выра-

денной области на образцах достигал нескольких

щенных методом МПЭ, была интерпретирована, как

миллиметров, т. е. был значительно больше средне-

связанная с около-краевым излучением в h-GaTe.

го размера доменов в слоях GaTe. Спектр микро-

Настоящая работа посвящена исследованию

ФЛ был измерен в проточном гелиевом криостате

структурных и оптических свойств тонких пленок

ST-500-Attocube при T = 8 K при возбуждении ла-

GaTe, выращенных методом МПЭ на подложках

зерным излучением с длиной волны λ = 405 нм (ла-

GaAs (001). Подтверждено сосуществование обеих

зер CUBE, Coherent). Диаметр возбужденной обла-

фаз h- и m-GaTe во всех выращенных слоях и опре-

сти на образце и спектральное разрешение состави-

делена максимальная температура роста методом

ли ∼ 12 мкм и ∼ 80 мкэВ, соответственно. Так как

МПЭ в системе GaTe/GaAs (001). В работе также

при хранении теллурида галлия в условиях окру-

представлены новые данные, подтверждающие

жающей среды наблюдается постепенная деграда-

дефектную природу широкой линии излучения,

ция его оптических и структурных свойств за счет

доминирующей в низкотемпературных спектрах

окисления [16], в настоящей работе измерения РД

ФЛ выращенных слоев, с максимумом вблизи

и ФЛ проводились на только что выращенных или

∼1.45-1.46 эВ.

хранившихся в вакууме образцах.

893

С.В. Сорокин, И.В. Седова, П.С. Авдиенко и др.

ЖЭТФ, том 162, вып. 6 (12), 2022

Таблица . Параметры МПЭ и толщины слоев GaTe/GaAs (001)

Образец

T_S,^◦C

P_Te/P_Ga(BEP) P_Ga (BEP), Торр R, нм/мин d, нм

450

4 · 10^-8

∼ 1.5

∼ 270

S2^∗

520 (144 нм)

4.3 · 10^-8

∼ 1.8

∼ 250

545 (106 нм)

530

5 · 10^-8

∼ 1.8

∼ 200

550

4.5 · 10^-8

∼ 1.8

∼ 210

^∗2-stage growth mode.

3. РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ

представлен на зависимости рис. 1(b) температу-

рой начальной стадии эпитаксиального роста (пер-

вые 144 нм GaTe были выращены при T_S = 520^◦C),

Параметры МПЭ (температура роста T_S, интен-

так как именно продолжительная фаза низкотем-

сивность потока Ga (P_Ga), соотношение эквивалент-

пературного роста определяет высокое содержание

ных давлений в пучках P_Te/P_Ga), а также средние

фазы h-GaTe в этом слое. Это утверждение хоро-

значения скоростей роста (R) и толщин (d) выра-

шо согласуется с эволюцией картин ДБЭО образ-

щенных слоев GaTe/GaAs (001) представлены в Таб-

ца S2 в процессе МПЭ. Яркость картины ДБЭО

лице.

постепенно уменьшается по мере роста слоя, при

Как отмечалось ранее, слои GaTe могут кри-

этом полосчатые рефлексы утолщаются и становят-

сталлизоваться как в термодинамически стабиль-

ся более размытыми. После осаждения ∼ 144 нм

ной моноклинной фазе (m-GaTe), так и метаста-

GaTe температура роста в образце S2 была увели-

бильной гексагональной фазе (h-GaTe), которая мо-

чена до T_S = 545^◦C, при этом дифракционная кар-

жет переходить в m-GaTe при увеличении толщи-

тина практически не изменилась до самого конца

ны слоя и/или температуры [4, 10, 12]. Анализ

процесса МПЭ. В то же время при выращивании

кривых РД подтверждает сосуществование фаз h-

слоев GaTe при более высоких температурах МПЭ

и m-GaTe во всех выращенных слоях GaTe/GaAs

(образцы S3, S4) яркость картин ДБЭО сохранялась

(001) (рис. 1(a)). На рис. 1(а) кривые РД нормиро-

от начала и до конца процесса эпитаксиального ро-

ваны на интенсивность пика (-420) m-GaTe. Наи-

ста [8].

более интенсивный пик, связанный с гексагональ-

Из-за высокой скорости переиспарения GaTe

ной фазой h-GaTe (∼ 21.4^◦), наблюдается в образце

и, соответственно, проблем с нуклеацией GaTe

S1, выращенном при наиболее низкой T_S = 450^◦C.

на поверхности GaAs, нам не удалось вырастить

В то же время этот пик практически отсутствует

слои GaTe при еще более высоких температурах

в образце S4, выращенном при наиболее высокой

(T_S > 550^◦C) для выбранной интенсивности потока

T_S = 550^◦C. На рис. 1(b) представлена зависимость

Ga. Стоит подчеркнуть, что отсутствие зародыше-

отношения интенсивностей пиков РД (004) h-GaTe

образования при высоких температурах подложки

и (-420) m-GaTe от температуры осаждения слоев

весьма характерно для роста и других слоистых

GaTe/GaAs (001). Черная штриховая линия на рис.

материалов в режиме эпитаксии Ван-дер-Ваальса

1(b), аппроксимирующая эту зависимость, проведе-

[5, 17].

на для наглядности. Несмотря на некоторые разли-

чия в толщине слоев, зависимость носит ярко вы-

Низкотемпературные (T=11 К) спектры ФЛ сло-

раженный экспоненциальный характер. Из зависи-

ев GaTe/GaAs (001), выращенных при T_S > 520^◦C

мости следует, что в образце S4 содержание гексаго-

(образцы S2, S3 и S4), измеренные при плотности

нальной фазы более чем на два порядка по величине

мощности возбуждения ρ_exc = 0.5 Вт/см², представ-

меньше, чем в образце S1. Полученный результат

лены на рис. 2(а). В спектрах ФЛ наблюдаются че-

подтверждает ранее установленный факт, что имен-

тыре ярко выраженные полосы излучения, макси-

но температура роста является ключевым факто-

мумы которых соответствуют ∼ 1.72-1.77, 1.57, 1.45

ром для фазового контроля слоев GaTe [11, 12]. Чем

и 1.25 эВ. Широкая полоса излучения с Е > 1.7 эВ,

выше температура осаждения слоя, тем меньше со-

расположенная вблизи края фундаментального по-

держание в нем гексагональной фазы h-GaTe. Обра-

глощения m-GaTe, связана как с рекомбинацией сво-

зец S2, выращенный в двухстадийном режиме МПЭ,

бодных и локализованных на примесях экситонов в

894

С.В. Сорокин, И.В. Седова, П.С. Авдиенко и др.

ЖЭТФ, том 162, вып. 6 (12), 2022

Рис. 3. (a) Спектры ФЛ при различных плотностях мощности возбуждения для образца S2. (b) Зависимость интеграль-

ной интенсивности двух полос ФЛ (∼ 1.76 эВ и ∼ 1.45 эВ) от плотности мощности возбуждения для образца S2

m-GaTe, так и с переходами из свободного состоя-

ния в связанное (free-to-bound

FB) [18]. В этом

случае заметный коротковолновый сдвиг максиму-

ма ФЛ, а также увеличение интегральной интенсив-

ности этой полосы ФЛ при увеличении температуры

эпитаксиального роста вызваны возрастанием вкла-

да рекомбинации свободных и связанных на доно-

рах экситонов в ФЛ за счет уменьшения плотности

структурных дефектов в слоях GaTe. При этом важ-

но подчеркнуть, что в спектрах ФЛ (рис. 2(a)) мы

наблюдаем широкую полосу излучения вместо на-

бора отдельных линий в связи с большой площадью

области возбуждения на образце (несколько квад-

ратных миллиметров).

Слабая широкая полоса излучения с E = 1.57 эВ

вызвана рекомбинацией донорно-акцепторных пар в

GaTe (DAP) [18, 19], в то время как полоса с энер-

гией E = 1.25 эВ ранее была атрибутирована на-

ми, как связанная с излучением вакансионных Ga

комплексов в GaAs, поскольку она наблюдалась и в

Рис. 4. Спектр микро-ФЛ слоя m-GaTe/GaAs (001) (об-

спектре ФЛ "чистой" подложки GaAs без осажден-

разец S2) измеренный при ρexc ≈ 8.8 Вт/см2 (T = 8

K). Диаметр возбужденной области на образце составлял

ного на ней слоя GaTe [5]. Тем не менее, весьма веро-

∼ 12 мкm, а спектральное разрешение ∼ 80 мкэВ

ятно, что эта полоса ФЛ может быть связана с излу-

чением еще не определенных дефектных комплексов

в слоях GaTe. Широкая полоса излучения с макси-

выращенных образцов (рис. 2(a)). Эта полоса излу-

мумом E ∼ 1.45 эВ доминирует в спектрах ФЛ всех

чения не связана с излучением из подложки GaAs,

896

ЖЭТФ, том 162, вып. 6 (12), 2022Молекулярно-пучковая эпитаксия тонких пленок h-GaTe/m-GaTe на подложках GaAs (001

так как узкий пик ФЛ от подложки отчетливо на-

степени k = 0.87 оказывается больше, чем для поло-

блюдается на коротковолновой стороне этой поло-

сы, связанной с экситонными переходами (k = 0.8).

сы излучения при большей плотности возбуждения

Полученные данные хорошо согласуются с работой

ρ_exc = 2.5 Вт/см² (T = 11 К, образец S2) (см. рис.

[23], в которой было экспериментально показано, что

2(b)). Из сопоставления данных РД и измеренных

степенные коэффициенты для переходов FB из сво-

спектров ФЛ следует, что при уменьшении содер-

бодного состояния в связанное и переходов DAP мо-

жания фазы h-GaTe в исследуемых образцах (S2,

гут быть близки к степенным коэффициентам для

S3 и S4) интенсивность ФЛ (I_PL) полосы 1.45 эВ

экситонной рекомбинации.

При уменьшении области возбуждения и уве-

изменяется незначительно. Это служит указанием

личении спектрального разрешения (применение

того, что эта полоса излучения не связана с около-

метода микро-ФЛ) полоса излучения с энергией

краевым излучением в h-GaTe. Более того, спектры

E = 1.45 эВ разбивается на набор узких линий, что

ФЛ образца S2, измеренные в диапазоне T = 11-

140 K (рис. 2(b)), показывают, что интенсивность

хорошо коррелирует с атрибуцией этой полосы ФЛ,

как связанной с рекомбинацией на структурных де-

экситонной ФЛ в m-GaTe быстро спадает с увели-

чением температуры и полностью исчезает уже при

фектах в GaTe (зона DEF на рис. 4). Также стоит

отметить, что пик ФЛ с близкой энергией (∼ 1.47 эВ

T ∼ 60 K, в то время как полоса излучения с энерги-

при T = 4 K) наблюдали ранее в спектрах ФЛ флей-

ей ∼ 1.45 эВ продолжает доминировать в спектрах

ков GaTe, синтезированных методом PVT на под-

ФЛ вплоть до T = 140 K. При этом температур-

ложках сапфира [24]. При этом было установлено,

ная зависимость энергетического положения макси-

что этот пик ФЛ не связан с межзонными перехода-

мума этой полосы носит немонотонный S-образный

ми второй фазы, а наблюдается только на краях до-

характер, что характерно для локализованных или

связанных с дефектами состояний.

менов. Соответственно, было высказано предполо-

жение, что пик ФЛ с E ∼ 1.47 эВ связан с излучени-

Важно отметить, что в спектре ФЛ образца S1,

ем эмиссионных центров, локализованных на краях

выращенного при наиболее низкой T_S = 450^◦C, на-

отдельных доменов. Эта интерпретация хорошо со-

блюдаются только две очень слабые по интенсивно-

ответствует и нашим экспериментальным данным.

сти полосы ФЛ с максимумами ∼ 1.45 и 1.25 эВ,

Высокая плотность структурных дефектов в рас-

причем в спектре ФЛ доминирует именно полоса с

тущей пленке, возможность образования латераль-

E = 1.25 эВ, несмотря на значительное содержа-

ных гетерофазных h/m гомопереходов и, соответ-

ние фазы h-GaTe в данном образце. При этом от-

ственно, образования доменных границ из-за нали-

сутствие полосы излучения с E > 1.7 эВ в образ-

чия во всех выращенных слоях GaTe включений фа-

це S1, по всей видимости, связано с низкой темпе-

зы h-GaTe, а также большая площадь области воз-

ратурой эпитаксиального роста, и, соответственно,

буждения на образце хорошо согласуется с тем, что

высокой плотностью структурных дефектов в слое

интенсивность полосы ФЛ с E ∼ 1.45 эВ достаточно

GaTe. Эти наблюдения также дают дополнительные

слабо изменяется от образца к образцу, и эта полоса

аргументы в пользу того, что полоса ФЛ с энергией

доминирует в спектрах ФЛ. Также важно отметить,

∼ 1.45 эВ определяется излучением центров, связан-

что пики с энергией в этом диапазоне не наблюда-

ных с дефектами.

ются в спектрах ФЛ слоев GaTe, синтезированных

Спектры ФЛ для образца S2, измеренные при

методом Бриджмена (см., например, [18]), так как

различной плотности мощности возбуждения, а так-

температура роста в этом случае и, соответственно,

же зависимости интенсивности интегральной ФЛ

структурное совершенство слоев GaTe значительно

для двух полос излучения с энергией E ∼ 1.76 эВ

выше.

и E ∼ 1.45 эВ от плотности мощности возбуждения

Из рис. 4 также следует, что при уменьшении

приведены на рис. 3(a) и рис. 3(b), соответственно.

области возбуждения и увеличении спектрально-

Интенсивность I_PL обеих полос демонстрирует суб-

го разрешения широкая полоса ФЛ с максимумом

линейную зависимость от плотности мощности воз-

∼ 1.76 эВ также расщепляется на набор узких ли-

буждения с показателем степени k < 1, что ука-

ний, связанных с излучением свободных (FX) и свя-

зывает на канал рекомбинации с участием дефек-

занных экситонов (BX). При этом можно разрешить

тов/примесей [20]. Однако в случае слоистых мате-

линии экситонов, связанных как на донорах (DX),

риалов сублинейная степенная зависимость со зна-

так и на акцепторах (AX). Энергетическое положе-

чениями k < 1 наблюдалась ранее также и для экси-

ние этих линий ФЛ хорошо согласуется с имеющи-

тонных состояний [21, 22]. Из рис. 3(b) следует, что

мися литературными данными [18, 22]. Кроме того,

для полосы ФЛ с E = 1.45 эВ значение показателя

897

С.В. Сорокин, И.В. Седова, П.С. Авдиенко и др.

ЖЭТФ, том 162, вып. 6 (12), 2022

стоит отметить, что в спектре микро-ФЛ отсут-

X. Yuan, L. Tang, P. Wang et al., Nano Res. 8, 3332

ствуют какие-либо линии в диапазоне энергий

(2015).

1.2 - 1.3 эВ, в отличие от спектров ФЛ, представлен-

C. J. Bae, J. McMahon, H. Detz et al., AIP Advances

ных на рис. 2.

7, 035113 (2017).

S.V. Sorokin, P. S. Avdienko, I.V. Sedova et al.,

4. ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Materials 13, 3447 (2020).

Таким образом, в данной работе методами оп-

S. H. Huynh, N.Q. Diep, T. V. Le et al., ACS Appl.

тической и структурной характеризации были ис-

Nano Mater. 4, 8913 (2021).

следованы тонкие пленки GaTe, выращенные мето-

10.

Q. Zhao, T. Wang, Y. Miao et al., Phys. Chem. Chem.

дом МПЭ на подложках GaAs (001). Данные, полу-

Phys. 18, 18719 (2016).

ченные из анализа кривых РД выращенных слоев,

подтверждают сосуществование фаз h- и m-GaTe во

11.

Y. Yu, M. Ran, S. Zhou et al., Adv. Funct. Mater.

всех выращенных слоях. Установлена количествен-

29, 1901012 (2019).

ная взаимосвязь между условиями МПЭ и фазовым

12.

M. Liu, S. Yang, M. Han et al., Small 17, 2007909

составом выращиваемых слоев GaTe/GaAs (001).

(2021).

Подтверждено, что именно температура роста явля-

ется ключевым фактором фазового контроля слоев

13.

E. G. Gillan and A. R. Barron, Chem. Mater. 9, 3037

(1997).

GaTe. Приведены данные, позволяющие заключить,

что полоса излучения с энергией E ∼ 1.45 эВ, доми-

14.

L. C. Muhimmah and C.-H. Ho, Appl. Surf. Science

нирующая в спектрах низкотемпературной ФЛ сло-

542, 148593 (2021).

ев GaTe/GaAs (001), выращенных методом МПЭ,

связана с излучением эмиссионных центров, лока-

15.

D. D. Firsov, O. S. Komkov, V. A. Solov’ev et al., J.

Phys. D: Appl. Phys. 49, 285108 (2016).

лизованных на границах отдельных доменов.

16.

J. J. Fonseca, S. Tongay, M. Topsakal et al., Adv.

Финансирование. Работа А.И. Г. и М.В.

Mater. 28, 6465 (2016).

Р. выполнена при финансовой поддержке Рос-

сийского научного фонда (грант

№22-22-20049,

17.

C. H. Lee, S. Krishnamoorthy, D. J. O’Hara et al., J.

https://rscf.ru/project/22-22-20049/)

и Санкт-

Appl. Phys. 121, 094302 (2017).

Петербургского Научного фонда (грант в соответ-

18.

A. Zubiaga, J. A. Garc´ia, F. Plazaola et al., J. Appl.

ствии с соглашением №21/2022 от 14 апреля 2022 г.).

Phys. 92, 7330 (2002).

19.

H. S. Güder, B. Abay, H. Efeoglu et al., J. Lumin.

ЛИТЕРАТУРА

93, 243 (2001).

Z. Yang and J. Hao, Adv. Mater. Technol. 4, 1900108

20.

T. Schmidt, K. Lischka, and W. Zulehner, Phys. Rev.

(2019).

B 45, 8989-8994 (1992).

F. Liu, H. Shimotani, H. Shang et al., ACS Nano, 8,

21.

S. Tongay, J. Suh, C. Ataca et al., Sci. Rep. 3, 2657

752 (2014).

(2013).

B. Marfoua and J. Hong, Nanotechnology 32, 115702

22.

P. S. Avdienko, I. V. Sedova, D. D. Firsov et al., J.

(2021).

Opt. Soc. Am. B 38, 2579-2586 (2021).

Y. Liu, X. Wu, W. Guo et al., Nanotechnology 32,

23.

A. Zubiaga, J. A. Garc´ia, F. Plazaola et al., Phys.

225204 (2021).

Rev. B 68, 245202 (2003).

H. Cai, Y. Gu, Y.-C. Lin et al., Appl. Phys. Rev. 6,

24.

H. Cai, B. Chen, G. Wang et al., Adv. Mater. 29,

041312 (2019).

1605551 (2017).

898