1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
  4. № 9, 2023

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2023, № 9, стр. 103-109

Влияние нейтронного облучения на спектральные характеристики InxGa1–xN-светодиодов

О. В. Ткачев a, С. М. Дубровских a, *, К. Д. Кокшарова a, А. В. Федорец a

a Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академика Е.И. Забабахина
456770 Снежинск, Челябинская область, Россия

* E-mail: dep5@vniitf.ru

Поступила в редакцию 17.06.2022
После доработки 09.09.2022
Принята к публикации 09.09.2022

Аннотация

Представлены результаты исследования влияния нейтронного излучения на спектральные характеристики светодиодов InxGa1 –xN. Определен механизм, ответственный за изменение спектра излучения светодиодов при воздействии нейтронов. Показана связь между радиационной чувствительностью спектральных характеристик активных областей образцов и составом твердого раствора InxGa1 –xN. Проведен аналитический расчет для оценки возможного максимального смещения спектра свечения светодиодов InxGa1 –xN после нейтронного воздействия.

Ключевые слова: светодиод InxGa1 –xN, спектр свечения, пиковая длина волны, квантовая яма, флуктуация индия, ширина запрещенной зоны, флуенс нейтронов.

Список литературы

  1. Compton D.M.J., Cesena R.A. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1967. V. 14. № 6. P. 55. https://doi.org/10.1109/TNS.1967.4324775

  2. Polimadei R.A., Share S., Epstein A.S., Lynch R.J., Sullivan D. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1974. V. 21. P. 96. https://doi.org/10.1109/TNS.1974.6498911

  3. Hava S., Lam R. // J. Appl. Phys. 1986. V. 59. № 6. P. 2229. https://doi.org/10.1063/1.336364

  4. Comparo J.C., Delcamp S.B., Frueholz R.P. // J. Appl. Phys. 1992. V. 71. № 11. P. 5323. https://doi.org/10.1063/1.350548

  5. Hava. S. // J. Appl. Phys. 2002. V. 91. № 1. P. 8. https://doi.org/10.1063/1.1419266

  6. Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Малышева Е.И., Труфанов А.Н. // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. Вып. 3. С. 370.

  7. Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Парафин А.Е., Хомицкий Д.В., Антонов И.Н. // Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. Вып. 12. С. 1336. https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50234.9484

  8. Шукайло В.П., Ткачев О.В., Дубровских С.М., Басаргина Н.В., Ворожцова И.В. // ВАНТ. Сер. Физика радиационного воздействия на РЭА. 2012. Вып. 4. С. 41.

  9. Оболенский С.В., Шукайло В.П., Ткачев О.В., Дубровских С.М., Басаргина Н.В., Ворожцова И.В. // Вестн. ННГУ. 2012. № 6(1). С. 51.

  10. Шуберт Ф. Светодиоды / Ред. Юнович А.Э. М.: Физматлит, 2008. 495 с.

  11. Brudnyi V.N., Boiko V.M., Kolin N.G., Kosobutsky A.V., Korulin A.V., Brudnyi P.A., Ermakov V.S. // Semiconductor Sci. Technol. 2018. V. 33. № 9. P. 095011. https://doi.org/10.1088/1361-6641/aad53b

  12. Johnston A.N. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2003. V. 50. № 3. P. 689. https://doi.org/10.1109/TNS.2003.812926

  13. Рыжиков В.И. Контроль радиационной стойкости мощных светодиодов на основе широкозонных полупроводников: Дис. … канд. тех. наук: 05.11.13. М.: МИРЭА, 2004. 100 с.

  14. Сошников И.П., Лундин В.В., Усиков А.С., Калмыкова И.П., Леденцов Н.Н., Rosenauer A., Neubauer B., Gerthsen D. // Физика и техника полупроводников. 2000. Т. 34. Вып. 6. С. 647.

  15. Gerthsen D., Hahn E., Neubauer B., Potin V., Rosenauer A., Schowalter M. // Phys. Stat. Sol. C. 2003. V. 0. № 6. P. 1668. https://doi.org/10.1002/pssc.200303129

  16. Кудряшов В.Е., Мамакин С.С., Туркин А.Н., Юнович А.Э., Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И. // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35. Вып. 7. С. 861.

  17. Ершов Е.В., Иванов А.Ф., Найдин А.А., Рогачков О.А., Пермяков В.О., Фомина Е.В. // Ядерная физика и инжиниринг. 2013. Т. 4. № 1. Р. 17. https://doi.org/10.1134/S207956291301003X

  18. Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Усов С.О., Николаев А.Е., Синицын М.А., Черкашин Н.А., Карпов С.Ю. // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. Вып. 11. С. 1563. https://doi.org/10.1134/S1063782615110238

  19. Бочкарева Н.И., Шретер Ю.Г. // Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. Вып. 7. С. 796. https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46055.8790

  20. Зиновьев Р.А. Исследование дефектов в GaN светодиодах: Дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.10. М.: МИСиС, 2020. 147 с.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал