Письма в ЖЭТФ, том 116, вып. 9, с. 608 - 613

Cинтез эпитаксиальных структур, содержащих двумерные слои Si,

встроенные в диэлектрическую матрицу CaF₂₁₎

В.А.Зиновьев⁺²⁾, А.Ф.Зиновьева^+∗, В.А.Володин^+∗, А.К.Гутаковский⁺, А.С.Дерябин⁺, А.Ю.Крупин^×,

Л.В. Кулик^◦, В.Д.Живулько^∇, А.В.Мудрый^∇, А.В.Двуреченский^+∗

⁺Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия

^∗Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

^×Новосибирский технический государственный университет, 630073 Новосибирск, Россия

^◦Институт химической кинетики и горения Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия

^∇ ГО “НПЦ НАН Беларуси по материаловедению”, 220072 Минск, Республика Беларусь

Поступила в редакцию 8 августа 2022 г.

После переработки 22 сентября 2022 г.

Принята к публикации 22 сентября 2022 г.

Проведено исследование возможности создания двумерных слоев Si на поверхности пленки

CaF2/Si(111) методом молекулярной лучевой эпитаксии. Найдены ростовые условия, при которых про-

исходит формирование участков двумерных слоев Si. Исследования методами спектроскопии комбина-

ционного рассеяния света (КРС), просвечивающей электронной микроскопии, фотолюминесценции и

электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) продемонстрировали, что для эпитаксиальных струк-

тур, полученных осаждением от одного до трех биатомных слоев Si на поверхность пленки CaF2/Si(111)

при температуре 550^◦С, имеет место формирование участков двумерных слоев Si. В спектрах КРС от

указанных структур обнаружен узкий пик при 418 см^-1, который обусловлен рассеянием света на ко-

лебаниях Si атомов в плоскости двумерного слоя Si, интеркалированного кальцием. В ЭПР-спектрах

многослойных структур с участками двумерных слоев Si, встроенных в CaF2, при подсветке наблю-

дался изотропный сигнал с асимметричной дайсоновской формой, с g = 1.9992, что позволяет отнести

этот сигнал к фотоиндуцированным электронам проводимости в протяженных двумерных островках

Si. Полученные результаты могут быть полезны для понимания механизмов формирования двумерных

материалов на подложках CaF2/Si(111).

DOI: 10.31857/S1234567822210078, EDN: lheawe

В настоящее время во всем мире наблюдается

является отсутствие запрещенной зоны. В настоя-

повышенный интерес к двумерным материалам, об-

щее время является актуальным поиск нового, гра-

ладающими уникальными электронными и струк-

феноподобного двумерного материала с наличием за-

турными свойствами, принципиально отличными от

прещенной зоны и возможностью получения его в

свойств объемных материалов, из которых они со-

промышленных масштабах. В качестве наиболее пер-

здаются [1, 2]. Наличие этих свойств открывает но-

спективных рассматриваются двумерные графенопо-

вые возможности для создания приборных струк-

добные материалы IV группы на основе кремния (си-

тур, работающих на новых физических принципах,

лицен) и германия (германен), и их твердых рас-

что позволит существенно расширить возможности

творов [2, 3]. Имеющиеся в настоящее время дан-

современной микро- и наноэлектроники. Двумерные

ные свидетельствуют о том, что силицен и герма-

материалы - это структуры толщиной от одного до

нен имеют ширину запрещенной зоны, близкую к

нескольких атомных слоев. Основным представите-

нулю [4]. Однако в ряде работ [5, 6] было показа-

лем таких материалов является графен. Однако, су-

но, что переход от монослойного силицена к двуслой-

ществует ряд ограничений, препятствующих внедре-

ному (би-силицену) должен приводить к появлению

нию графена в наноэлектронику. Ключевым из них

запрещенной зоны ∼1 эВ, что делает этот матери-

ал перспективным для различных оптических при-

¹⁾См. дополнительный материал к данной статье на сайте

ложений. В настоящее время наиболее удачные по-

нашего журнала www.jetpletters.ac.ru.

пытки синтеза двумерных материалов на основе Si,

²⁾e-mail: zinoviev@isp.nsc.ru

608

Письма в ЖЭТФ том 116 вып. 9 - 10

2022

Cинтез эпитаксиальных структур, содержащих двумерные слои Si. . .

609

Ge были реализованы на атомарно-чистых подлож-

работы [15], где был найден диапазон температур,

ках из благородных металлов. В случае силицена

оптимальных для получения планарной поверхно-

обычно используют подложки серебра (Ag(111)) [7],

сти пленок CaF₂/Si(111), имеющих толщину поряд-

а в случае германена подложки золота или платины

ка 10 нм. Для меньших толщин пленок CaF₂/Si(111)

(Au(111) [8], Pt(111) [9]). С точки зрения дальнейше-

условия получения планарных пленок могут быть

го практического использования двумерных матери-

другими (см. работу [16]). На первом этапе проводил-

алов в качестве активных составляющих приборов

ся эпитаксиальный рост пленки CaF₂, толщина плен-

желательно получать эти материалы на диэлектри-

ки варьировалась от 10 до 120 нм для разных струк-

ческих подложках [2, 10]. Недавно в теоретической

тур. На втором этапе на поверхность пленки CaF₂

работе [11] было показано, что силицен должен быть

последовательно осаждались тонкие слои Si. Количе-

стабилен на диэлектрическом слое СаF₂(111). Посто-

ство кремния, осаждаемого при формировании дву-

янные решетки указанных материалов практически

мерных слоев, варьировалось от 1 атомного бислоя

совпадают (различие составляет всего 0.5 %), и сили-

(БС, d ≈ 0.3 нм) до 3 БС для разных структур. При

цен на СаF₂(111) сохраняет дираковский конус в за-

выбранной температуре подложки десорбцией Si с

коне дисперсии электронов с появлением небольшой

поверхности CaF₂ нельзя пренебречь [13, 17], поэто-

запрещенной зоны около 50 мэВ. Такие предпосыл-

му точное значение толщины Si слоя могло отличать-

ки делают актуальным поиск способов получения си-

ся от планируемой. Было выращено два типа струк-

лицена на подложках СаF₂(111). Одним из перспек-

тур: c девятью слоями Si и c одним слоем Si. Слои Si

тивных методов создания двумерных структур явля-

разделялись прослойками СаF₂ толщиной либо 6 нм,

ется молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ). Суще-

либо 2 нм в зависимости от номера структуры (см.

ствует ряд работ по росту кремния методом МЛЭ на

табл. 1). На третьем этапе созданные структуры за-

поверхности CaF₂(111) [12-14]. Основной проблемой

крывались защитным слоем СаF₂ толщиной 3 нм.

этого направления является неудачное соотношение

поверхностных энергий кремния и фторида кальция.

Таблица 1. Параметры экспериментальных структур

Первая примерно в три раза больше, чем вторая

# Толщина

Толщина

Количество Толщина

[13]. Это приводит к тому, что осаждаемый кремний

буфера осажденного

Si слоев

прослоек

собирается в трехмерные островки на поверхности

CaF₂

CaF₂(111). Для решения этой проблемы было пред-

70 нм

3 БС

6 нм

ложено несколько подходов. Один из них состоит в

70 нм

2 БС

6 нм

использовании электронного облучения [12] для пе-

20 нм

1 БС

6 нм

ревода поверхности CaF₂ в Ca-обогащенное состоя-

10 нм

1 БС

2 нм

ние, имеющее более высокое значение поверхностной

120 нм

1 БС

энергии. Второй подход заключается в применении

40 нм

сурфактантов для понижения поверхностной энер-

гии кремния [13]. Третий подход состоит в исполь-

зовании высоких температур, что также приводит

Созданные структуры были исследованы метода-

к переходу поверхности в Ca-обогащенное состояние

ми спектроскопии комбинационного рассеяния света

[14]. Однако, в данных работах не уделялось долж-

(КРС), просвечивающей электронной микроскопии

ного внимания начальной стадии роста кремния на

(ПЭМ), фотолюминесценции (ФЛ) и электронного

CaF₂(111), исследование которой может дать клю-

парамагнитного резонанса (ЭПР). Описание экспе-

чевую информацию для разработки подхода к полу-

риментальных методик дано в дополнительном ма-

чению силицена (или би-силицена) на поверхности

териале к статье.

CaF₂(111).

На рисунке 1a,b показано ПЭМ изображения бо-

В данной работе были проведены исследования

кового сечения многослойной структуры 3 (описание

возможности формирования двумерных слоев Si,

в табл. 1). Хорошо видны плоскости нарушения эпи-

встроенных в диэлектрическую матрицу CaF₂ мето-

таксиального роста слоев CaF₂, период расположе-

дом МЛЭ. На основе анализа полученных в работе

ния которых совпадает с периодом осаждения слоев

данных подтверждено формирование участков дву-

кремния (рис. 1b). В определенных местах наблюда-

мерных слоев Si.

ются “переходы” с одного плоского участка на дру-

Синтез структур проводился методом МЛЭ на

гой, что, видимо, связано с образованием ступеней

подложках Si(111) при температуре 550^◦С. Выбор

на поверхности растущей пленки CaF₂. Эти ступени

температуры синтеза основывался на результатах

могут быть обусловлены введением дислокаций, ко-

Письма в ЖЭТФ том 116 вып. 9 - 10

2022

3^∗

610

В.А.Зиновьев, А.Ф.Зиновьева, В.А.Володин и др.

ростовые ступени (рис. 2a), разделенные достаточно

широкими планарными террасами со среднеквадра-

тичной шероховатостью, не превышающей 0.4 нм.

Спектроскопия КРС использовалась как один из

основных методов для определения присутствия в

образцах двумерных слоев кремния. Результаты ис-

следований методом КРС продемонстрировали, что

в выбранных условиях синтеза структур происхо-

дит формирование двумерных слоев кремния (или

Рис. 1. (a) - ПЭМ - изображения бокового сечения

их участков), встроенных в диэлектрическую матри-

многослойной структуры, представляющей собой слой

цу CaF₂. В спектрах КРС от структур с Si слоями

CaF2 толщиной 20 нм на Si(111) подложке, на который

обнаружен узкий пик при 418 см^-1 (рис.3, кривые

последовательно осаждалось 9 слоев Si толщиной 1 БС,

1, 2, 3, 5). Положение этого пика совпадает с поло-

разделенных прослойками CaF2 толщиной 6 нм. (b) -

ПЭМ - изображения той же структуры, но в увеличен-

ном масштабе. Температура формирования структуры

составляла 550^◦С

торые образуются при росте CaF₂ в процессе пласти-

ческой релаксации деформаций из-за несоответствия

между решетками CaF₂ и Si (≈ 1.2 % при 550^◦С). Та-

кое несоответствие появляется из-за разницы коэф-

фициэнтов теплового расширения Si и CaF₂ [18, 19].

Оценка критической толщины для введения дис-

локаций согласно модели энергетического баланса

Пипла-Бина [20, 21] дает значение ≈ 67 нм. Дей-

ствительно, согласно исследованиям методом АСМ

для образцов с толщиной эпитаксиального слоя более

60 нм (рис.2b), на поверхности наблюдается сетка из

Рис. 3. (Цветной онлайн) Спектры КРС от многослой-

ных структур с 9 слоями Si толщиной: 1 БС (кривые 3

и 4), 2 БС (кривая 2) и 3 БС (кривая 1), встроенными в

CaF2. Спектр от структуры с одним слоем Si толщиной

1 БС (кривая 5). Для сравнения на рисунке приведены

спектры КРС от исходной подложки Si(111) (кривая 7)

и пленки CaF2 (кривая 6) толщиной 40 нм, выращенной

на подложке Si(111) при температуре 550^◦С. Номера

кривых соответствуют номерам структур, указанных

в табл. 1

Рис. 2. (Цветной онлайн) АСМ - сканы поверхности

жением одного из трех пиков в спектрах КРС (при

структур различной толщины: (a) - структуры 4 тол-

418, 388 и 346 см^-1), характерных для кристалличе-

щиной 29 нм; (b) - структуры 5 толщиной 123 нм (па-

ских слоев CaSi₂ [22-24]. Кристаллическая решетка

раметры структур см. в табл. 1). Среднеквадратич-

ная шероховатость поверхности составляет 1.24 нм для

объемного CaSi₂ включает в себя двумерные слои Si,

структуры 4 и 0.89 нм для структуры 5. На плоском

интеркалированные кальцием [25, 26]. Согласно тео-

участке поверхности размером 300 × 300 нм, выделен-

ретическому рассмотрению в работе [26], наблюдае-

ном белым квадратом (панель (a)) среднеквадратичная

мый пик при 418 см^-1 можно связать с колебаниями

шероховатость составляет 0.32 нм

Si атомов в плоскости двумерных слоев кремния, ин-

теркалированных кальцием (мода колебаний E_g(Si)).

ступеней, образующихся из-за введения дислокаций

Небольшое несовпадение с теоретическим значением

вследствие процессов пластической релаксации. В то

413 см^-1, полученным в работе [26] для объемного

время как для образцов с меньшей толщиной эпитак-

CaSi₂, может быть связано с наличием деформаций

сиального слоя на поверхности присутствуют только

в экспериментальной структуре или размерным эф-

Письма в ЖЭТФ том 116 вып. 9 - 10

2022

Cинтез эпитаксиальных структур, содержащих двумерные слои Si. . .

611

фектом [23]. Пики при 388 и 346 см^-1, соответствую-

БС наблюдается появление небольшого плеча у пи-

щие колебаниям атомов Si вне плоскости двумерных

ка КРС при 418 см^-1 со стороны меньших энергий

слоев кремния, для наших структур не наблюдаются.

(рис. 3, кривая 1), что может свидетельствовать о на-

Из сравнения спектров КРС (рис.3) от структур

чале процесса нарушения планарности Si слоев при

3 и 5, для которых Si слои формировались при оса-

таком количестве осажденного материала.

ждении 1 БС кремния на CaF₂, получено, что интен-

Во всех спектрах КРС сформированных структур

сивность узкого пика при 418 см^-1 для многослой-

обнаружен еще один пик при 445 см^-1, который, как

ной структуры 3 с 9-ю слоями кремния примерно

мы предполагаем, связан с формированием дополни-

в 4 раза превышает интенсивность пика для струк-

тельной структурной фазы на границе раздела меж-

туры 5 с одним Si слоем. Из простых соображений

ду слоем CaF₂ и подложкой Si(111). В пользу этого

можно было ожидать 9-кратного увеличения сигнала

свидетельствует тот факт, что данный пик наблюда-

КРС, однако эффект оказался слабее. Этот резуль-

ется так же в спектрах КРС от структур с пленками

тат указывает на то, что количество кремния, прихо-

CaF₂ (без встроенных тонких слоев Si), выращенны-

дящегося на один двумерный слой, в многослойной

ми на подложках Si(111) (рис. 3, кривая 6).

структуре 3 оказывается меньше, чем в структуре 5.

В спектрах ЭПР многослойных структур 1 и 2

Мы связываем это с меньшим количеством ступеней

(см. табл. 1) наблюдался изотропный сигнал ЭПР с

на поверхности многослойной структуры. Согласно

g = 1.9992 и шириной линии ΔH

≈ 0.7 Гс. Сиг-

литературным данным в многослойных гетерострук-

нал проявлялся при подсветке белым светом (рис. 4)

турах введение дислокаций просходит при больших

в температурном диапазоне 4.5-20 К. При повыше-

толщинах пленки, чем в однослойных, из-за пере-

распределения и компенсации деформации в слоях

структуры [27, 28]. Кроме того, суммарная толщина

структуры 3 меньше, чем структуры 5 (см. табл.1),

поэтому степень пластической релаксации у структу-

ры 3 меньше. Можно предположить, что зарождение

двумерных островков кремния происходит именно на

ступенях, где появляются свободные от фтора атомы

кальция, к которым и прикрепляются атомы крем-

ния.

В пользу данного предположения свидетельству-

ет сравнение спектров КРС от многослойной струк-

туры 4 и однослойной структуры 5. Структура 4

имеет толщину, не превышающую критическую для

введения дислокаций, и интенсивность сигнала КРС

для нее оказывается меньше, чем для структуры 5 с

Рис. 4. (Цветной онлайн) ЭПР спектры от структуры 2

одним Si слоем, но имеющей толщину больше крити-

(см. табл. 1), измеренные при подсветке белым светом

ческой. Для пластически релаксированной структу-

(красная линия) и в темноте, после выключения света

ры 5 плотность ступеней больше (рис. 2b), чем для

(синяя линия). Магнитное поле приложено вдоль на-

нерелаксированной структуры 4 (рис. 2а), и соответ-

правления [111]. Мощность микроволнового излучения

ственно, сигнал КРС от двумерного Si для структу-

P = 0.063мВт, T = 6K

ры 5 более интенсивный.

Для нерелаксированной структуры 4 обнаружен

нии температуры интенсивность сигнала падала и

сдвиг пика КРС на 2 см^-1, что можно связать с на-

после 20 К сигнал исчезал. Интересным результа-

личием упругих деформаций в выращенной пленке

том является эффект последействия. При достаточ-

(рис. 3, кривая 4). Положение пика в этом случае со-

но низких температурах < 10 К, после выключения

ставляет 420 см^-1.

света сигнал проявлялся в спектре, однако его ве-

При увеличении количества кремния, идущего на

личина падала в несколько раз. Сигнал имел асим-

формирование двумерных слоев с 1-го до 3-х БС

метричную дайсоновскую форму, что вместе со зна-

(структуры 1, 2, 3), наблюдается небольшое возрас-

чением g-фактора позволяет предложить, что этот

тание интенсивности сигнала КРС при 418 см^-1, со-

сигнал принадлежит фотоиндуцированным электро-

ставляющее в случае структуры с 3-мя БС пример-

нам проводимости в Si слоях. Наблюдаемый эффект

но 25 % (рис. 3). Кроме этого, для структуры с 3-мя

последействия может быть объяснен пространствен-

Письма в ЖЭТФ том 116 вып. 9 - 10

2022

612

В.А.Зиновьев, А.Ф.Зиновьева, В.А.Володин и др.

ным разделением электронов и дырок в исследуемой

гетеросистеме, что приводит к замедлению процесса

рекомбинации. Однако этот вопрос требует дополни-

тельных исследований. Сопоставление результатов

ЭПР с микроскопическими исследованиями позво-

ляет сделать вывод, что сигнал происходит от про-

тяженных двумерных островков кремния, сформи-

ровавшихся в исследуемых структурах. Формирова-

ние сплошных планарных двумерных слоев крем-

ния не подтверждается. При образовании сплош-

ных непрерывных двумерных слоев кремния дол-

жен был наблюдаться более узкий ЭПР сигнал с

шириной ЭПР - линии порядка 0.1-0.2 Гс и мень-

ше. Изотропность сигнала свидетельствует об отсут-

ствии дополнительных механизмов спиновой релак-

Рис. 5. (Цветной онлайн) Cпектр ФЛ от структуры 4

сации (изотропность ширины ЭПР - линии), свя-

(см. табл. 1), измеренный при 78 К. Для возбуждения

занных с ассиметрией квантовых ям относительно

люминесценции использовался диодный лазерный мо-

плоскости роста (за счет взаимодействия Бычкова-

дуль, работающий на длине волны 405 нм

Рашбы). Для структур, полученых осаждением 1 БС

Si (структуры 3, 4, 5, см. табл. 1) вышеописанный

в этом спектральном диапазоне должны наблюдать-

сигнал ЭПР не наблюдался, что может быть объяс-

ся оптические переходы. В работе [5] было показано,

нено недостаточной чувствительностью метода при

что двухслойный силицен является непрямозонным

малых количествах осажденного кремния. Следует

материалом с шириной запрещенной зоны 1.08 эВ.

отметить, что все образцы, на которых наблюдал-

При пассивации би-силицена фтором (например, при

ся сигнал ЭПР, согласно данным АСМ исследова-

встраивании в CaF₂) ширина запрещенной зоны уве-

ний, имеют характерную сетку ступеней на поверх-

личивается до 1.78 эВ, что как раз соответствует на-

ности, что указывает на связь между присутствием

блюдаемому пику P1.

ступеней на поверхности и наличием протяженных

Таким образом, в данной работе была про-

двумерных островков кремния, которые дают сигнал

демонстрирована возможность формирования

ЭПР при подсветке.

участков двумерных слоев кремния на CaF₂ мето-

На основании сопоставления результатов КРС,

дом молекулярно-лучевой эпитаксии. Полученные

ЭПР и микроскопических исследований можно сде-

результаты могут быть использованы в дальнейшем

лать предположение, что рост Si слоев происходит

для разработки подходов к получению двумерных

преимущественно от ступеней на поверхности СаF₂.

материалов на основе кремния.

На краю ступеней на поверхность выходят атомы

Работа поддержана грантом Министерства на-

кальция, с которыми могут связаться атомы крем-

уки и высшего образования РФ # 075-15-2020-797

ния. Чем больше ступеней, тем более вероятно за-

(13.1902.21.0024).

рождение и дальнейший рост двумерного слоя крем-

Авторы выражают благодарность ЦКП “ВТАН”

ния. С этим предположением согласуется возраста-

НГУ и ЦКП “Наноструктуры” ИФП СО РАН за

ние интенсивности сигнала КРС при 418 см^-1 для

предоставление измерительного оборудования.

структур с более толстыми слоями СaF₂. Здесь плот-

ность ступеней намного больше и, соответственно,

1. S. Z. Butler, S. M. Hollen, L. Cao et al. (Collaboration),

вероятность зарождения двумерных слоев Si выше.

ACS Nano 7, 2898 (2013).

Дополнительным свидетельством в пользу фор-

2. M. Galbiati, N. Motta, M. De Crescenzi, and L. Camilli,

мирования участков двумерных Si слоев являются

Appl. Phys. Lett. 6, 041310 (2019).

результаты исследования методом фотолюминесцен-

3. G. Vogg, A. J.-P. Meyer, C. Miesner, M. S. Brandt, and

ции. На рисунке 5 показан спектр ФЛ от структу-

M. Stutzmann, Appl. Phys. Lett. 78, 3956 (2001).

ры 4, на котором хорошо видны два широких пика

4. Z. Ni, Q. Liu, K. Tang, J. Zheng, J. Zhou, R. Qin,

P2 при ≈ 480 нм (2.6 эВ) и P1 при ≈ 685 нм (1.8 эВ).

Z. Gao, D. Yu, and J. Lu, Nano Lett. 12, 113 (2012).

Первый пик мы относим к дефектам в CaF₂ [29], a

5. R. Yaokawa, T. Ohsuna, T. Morishita, Y. Hayasaka,

второй можно связать с участками двумерных Si сло-

M. J. S. Spencer, and H. Nakano, Nat. Commun. 7,

ев. Согласно литературным данным для би-силицена

10657 (2016).

Письма в ЖЭТФ том 116 вып. 9 - 10

2022

Cинтез эпитаксиальных структур, содержащих двумерные слои Si. . .

613

6. X. Wang and Z. Wu, Phys. Chem. Phys. 19, 2148

L. J. Schowalter, MRS Online Proceedings Library

(2017).

298, 103 (1993).

7. J. Sone, T. Yamagami, Y. Aoki, K. Nakatsuji, and

18. Y. Okada and Y. Tokumaru, J. Appl. Phys. 56, 314

H. Hirayama, New J. Phys. 16, 095004 (2014).

(1984).

8. M. E. Davila, L. Xian, S. Cahangirov, A. Rubio, and

19. R. B. Roberts and G. K. White, J. Phys. C: Solid State

G. L. Lay, New J. Phys. 16, 095002 (2014).

Phys. 19, 7167 (1986).

9. L. Li, S. Lu, J. Pan, Z. Qin, Y. Wang, Y. Wang, G. Cao,

20. R. People and J. C. Bean, Appl. Phys. Lett. 47, 322

S. Du, and H. Gao, Adv. Mater. 26, 4820 (2014).

(1985).

10. Yu. Yu. Illarionov, A. G. Banshchikov, D. K. Polyushkin,

21. R. People and J. C. Bean, Appl. Phys. Lett. 49, 229

S. Wachter, T. Knobloch, M. Thesberg, L. Mennel,

(1986).

M. Paur, M. Stöger-Pollach, A. Steiger-Thirsfeld,

22. A. V. Kacyuba, A. V. Dvurechenskii, G. N. Kamaev,

M. I. Vexler, M. Waltl, N. S. Sokolov, T. Mueller, and

V. A. Volodin, and A. Y. Krupin, Mater. Lett. 268,

T. Grasser, Nat. Electron. 2, 230 (2019).

127554 (2020).

11. S. Kokott, P. Pflugradt, L. Matthes, and F. Bechstedt,

23. A. Kacyuba, A. Dvurechenskii, G. Kamaev, V. Volodin,

J. Phys.: Condens. Matter 26, 185002 (2014).

and A. Krupin, J. Cryst. Growth 562, 126080 (2021).

12. P. O. Pettersson, R. J. Miles, and T. C. McGill, J. Appl.

24. A. V. Dvurechenskii, A. V. Kacyuba, G. N. Kamaev,

Phys. 76, 7328 (1994).

V. A. Volodin, and Zh. V. Smagina, Nanomaterials 12,

13. C. R. Wang, B. H. Muller, E. Bugiel, and

1407 (2022).

K. R. Hofmann, Appl. Surf. Sci. 211, 203 (2003).

25. G. Vogg, M. S. Brandt, M. Stutzmann, and M. Albrecht,

14. A. Klust, M. Grimsehl, and J. Wollschlager, Appl. Phys.

J. Cryst. Growth 203, 570 (1999).

Lett. 82, 4483 (2003).

26. S. M. Castillo, Z. Tang, A. P. Litvinchuk, and

15. J. Suela, E. Abramof, P. H. O. Rappl, F. E. Freitas,

A. M. Guloy, Inorg. Chem. 55, 10203 (2016).

H. Closs, and C. Boschetti, J. Phys. D: Appl. Phys. 44,

185405 (2011).

27. J. W. Matthews and A. E. Blakeslee, J. Cryst. Growth

16. Yu. Yu. Illarionov, M. I. Vexler, V. V. Fedorov,

27, 118 (1974).

S. M. Suturin, and N.S. Sokolov, J. Appl. Phys. 115,

28. S. M. Hu, J. Appl. Phys. 69, 7901 (1991).

223706 (2014).

29. N. Salah, N. D. Alharbi, S. S. Habib, and S. P. Lochab,

17. A. P. Taylor, B. M. Kim, P. D. Persans, and

Journal of Nanomaterials 2015, 136402 (2015).

Письма в ЖЭТФ том 116 вып. 9 - 10

2022